<<
>>

Процессы переключения кристаллов SBN

Поскольку, как было отмечено в работе [39], воздействие переменных полей оказывает существенное влияние на состояние полярных нанокластеров, то исследования процессов переключения в релаксорных сегнетоэлектриках имеет особый интерес.

Диэлектрический гистерезис различных составов кристаллов SBN в переменных электрических полях изучался многими авторами [38, 62, 65-73].

В работе [38] показано, что динамика петель диэлектрического гистерезиса кристаллов SBN отличается от динамики петель в модельных сегнетоэлектриках (рис. 1.16). Петли гистерезиса имеют нестандартный вид, а первые циклы у всех разомкнуты. Воспроизводиться петли начинают только после нескольких циклов переключения. Аномальное поведение петель

диэлектрического гистерезиса кристаллов SBN авторами [38] связывается с размытием по температуре макисмума диэлектрической проницаемости.

Рис. 1.16. Квазистатические петли диэлектрического гистерезиса кристаллов ТГС (a), SBN:(La+Ce) (b), SBN:Nd (с), SBN:Cr (d), PMN (е) при температурах 293, 274, 273, 206 и 210 К соответственно. На вставке - локальная свободная энергия как функция поляризации [38].

Исследование петель диэлектрического гистерезиса на частоте 50 Гц, показало, что у кристаллов SBN61 существует порог внешнего поля 4,4 кВ/см, при достижении которого наблюдается резкий рост величины поляризации и уменьшение коэрцитивного поля [68, 72, 73]. Такое аномальное поведение петли диэлектрического гистерезиса, автор [72] связывает с поведением диэлектрической проницаемости в переменных электрических полях, а именно: увеличение значения диэлектрической проницаемости от 10 (в поле напряженностью 0,8 кВ/см) до 1 0i(bполе 4,8 кВ/см).

В работах [68, 72] также показано, что петля диэлектрического гистерезиса для SBN61 вырождается в эллипс потерь при температуре порядка 60°С, что авторами объясняется резким увеличением проводимости данного

материала (рис. 1.17).

Рис. 1.17 Петли диэлектрического гистерезиса в беспримесном кристалле SBN при температурах 35°С (а), 52°С (б) и 65°С (в) [72].

Авторами [81] отмечено наличие явления эффекта усталости у кристаллов SBN, что проявлялось в деградации петель гистерезиса при последовательных циклах переключения.

1.4.4.

<< | >>
Источник: Лисицын Владимир Сергеевич. ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И СОСТОЯНИЕ ПОЛЯРИЗАЦИИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НИОБАТА БАРИЯ СТРОНЦИЯ И НИОБАТА БАРИЯ КАЛЬЦИЯ. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2015. 2015

Еще по теме Процессы переключения кристаллов SBN:

  1. Доменная структура кристаллов SBN
  2. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов SBN
  3. 4.1. Влияние термоциклирования на состояние поляризации кристаллов SBN
  4. З.1. Температурные зависимости пиротока кристаллов SBN различного состава
  5. Влияние примесей на физические свойства кристаллов SBN
  6. Кристаллическая структура кристаллов SBN
  7. Свойства кристаллов SBN
  8. Оптические свойства одноосных кристаллов парателлурита, ииобата лития и SBN, как объектов для исследований методом коноскопии
  9. Процессы переключения в импульсных полях в форме меандра
  10. Анализ дисперсии процессов переключения
  11. Процессы переключения в синусоидальных полях разных частот
  12. Процессы переключения в полях частотой 50 Гц
  13. Описание нелинейности BAX и эффекта переключения