Процессы переключения кристаллов SBN
Поскольку, как было отмечено в работе [39], воздействие переменных полей оказывает существенное влияние на состояние полярных нанокластеров, то исследования процессов переключения в релаксорных сегнетоэлектриках имеет особый интерес.
Диэлектрический гистерезис различных составов кристаллов SBN в переменных электрических полях изучался многими авторами [38, 62, 65-73].В работе [38] показано, что динамика петель диэлектрического гистерезиса кристаллов SBN отличается от динамики петель в модельных сегнетоэлектриках (рис. 1.16). Петли гистерезиса имеют нестандартный вид, а первые циклы у всех разомкнуты. Воспроизводиться петли начинают только после нескольких циклов переключения. Аномальное поведение петель
диэлектрического гистерезиса кристаллов SBN авторами [38] связывается с размытием по температуре макисмума диэлектрической проницаемости.
Рис. 1.16. Квазистатические петли диэлектрического гистерезиса кристаллов ТГС (a), SBN:(La+Ce) (b), SBN:Nd (с), SBN:Cr (d), PMN (е) при температурах 293, 274, 273, 206 и 210 К соответственно. На вставке - локальная свободная энергия как функция поляризации [38].
Исследование петель диэлектрического гистерезиса на частоте 50 Гц, показало, что у кристаллов SBN61 существует порог внешнего поля 4,4 кВ/см, при достижении которого наблюдается резкий рост величины поляризации и уменьшение коэрцитивного поля [68, 72, 73]. Такое аномальное поведение петли диэлектрического гистерезиса, автор [72] связывает с поведением диэлектрической проницаемости в переменных электрических полях, а именно: увеличение значения диэлектрической проницаемости от 10 (в поле напряженностью 0,8 кВ/см) до 1 0i(bполе 4,8 кВ/см).
В работах [68, 72] также показано, что петля диэлектрического гистерезиса для SBN61 вырождается в эллипс потерь при температуре порядка 60°С, что авторами объясняется резким увеличением проводимости данного
материала (рис. 1.17).
Рис. 1.17 Петли диэлектрического гистерезиса в беспримесном кристалле SBN при температурах 35°С (а), 52°С (б) и 65°С (в) [72].
Авторами [81] отмечено наличие явления эффекта усталости у кристаллов SBN, что проявлялось в деградации петель гистерезиса при последовательных циклах переключения.
1.4.4.
Еще по теме Процессы переключения кристаллов SBN:
- Доменная структура кристаллов SBN
- Сегнетоэлектрические свойства кристаллов SBN
- 4.1. Влияние термоциклирования на состояние поляризации кристаллов SBN
- З.1. Температурные зависимости пиротока кристаллов SBN различного состава
- Влияние примесей на физические свойства кристаллов SBN
- Кристаллическая структура кристаллов SBN
- Свойства кристаллов SBN
- Оптические свойства одноосных кристаллов парателлурита, ииобата лития и SBN, как объектов для исследований методом коноскопии
- Процессы переключения в импульсных полях в форме меандра
- Анализ дисперсии процессов переключения
- Процессы переключения в синусоидальных полях разных частот
- Процессы переключения в полях частотой 50 Гц
- Описание нелинейности BAX и эффекта переключения