<<
>>

4.1. Влияние термоциклирования на состояние поляризации кристаллов SBN

Как было показано в главе 3 п.1.1., в процессе нагрева кристаллов SBN наблюдалась изменение поляризации в поверхностном слое образов (Рис.3.6). Более подробная информация об эволюции поляризации в поверхностном слое была получена с помощью TSW метода.

Координатные зависимости пирокоэффициента снимались в процессе нагрева при стабилизации температуры, вначале с одной стороны образца, при повторном нагреве - с другой стороны.

На рисунке 4.1 представлены профили координатных зависимостей пирокоэффициента кристалла SBN61 для разных температур в процессе нагрева. Как видно из представленных профилей поляризации (Рис. 4.1), после прохождения пиротоком максимального значения, наблюдается эволюция поляризации в объеме образца. Центральная часть полностью деполяризуется, а с обеих сторон кристалла SBN61 поляризация направлена от поверхности вглубь образца. Таким образом, наблюдаемое изменение направления поляризации в прогреваемом слое у образцов SBN61 (Рис. 3.6) связано, в отличии от кристаллов ДТГС, не с возникновением слоя с инверсной поляризацией [146], а с полной деполяризацией центральной области и последующим индуцированием в поверхностных слоях образца поляризации, направленной с обеих сторон от поверхности вглубь образца.

Интересно отметить, что полная деполяризация образца SBN61 после охлаждения имела место только, если кристалл нагревался до температур исчезновения пиротока.

Охлаждение кристалла SBN с более низких температур приводит к тому, что поляризация с обеих сторон образца направлена из глубины к поверхности. Соответствующая координатная зависимость эффективного значения пирокоэффициента представлена на рисунке 4.2. Отрицательное значение

пирокоэффициента соответствует той области образца, поляризация которой противоположна поляризации основного объема кристалла, т.е. слою с инверсной поляризацией. Необходимо отметить, что и в поверхностном слое, и в основном объеме образца величина пирокоэффициента меньше, чем у поляризованного кристалла (Рис.

4.1 кривая 1).

Суммарное направление поляризации после охлаждения (Рис. 4.2) противоположно состоянию поляризации, имеющему место в районе фазового перехода (Рис. 4.1, кривая 4). Таким образом, проведенные эксперименты свидетельствуют о том, что после охлаждения из параэлектрической фазы образец монокристалла SBN61 или полностью деполяризуется, либо в нем возникает система встречных доменов, суммарная поляризация которых вблизи обеих поверхностей направлена из глубины к поверхности.

Рис.4.1. Координатные зависимости пирокоэффициента кристалла SBN61. Кривая 1 - сразу после поляризации (Т=300 К), 2 - Т=327 К, 3 -Т=335 К, 4 - Т=358 К. Стрелками показано направление вектора поляризации в образце.

Рис.4.2 Координатные зависимости пирокоэффициента кристалла SBN61 после охлаждения из параэлектрической фазы. Стрелками показано направление вектора поляризации в образце.

В главе 3 отмечалось, что у кристаллов SBN не обладающих релаксорными свойствами, состояние поляризации в образцах после каждого цикла воспроизводится. На рисунке 4.3 показан профиль поляризации образца SBN35 после поляризации до нагрева (кривая 1) и после нагрева (кривая 2). Таким образом, образцы SBN35, в отличие от SBN61, сохраняют поляризованное состояние. Поскольку кристалл SBN61 обладает релаксорными свойствами, а SBN35 нет, можно предположить, что именно они являются причиной нестабильного состояния поляризации в этих кристаллах.

Действительно, кристалл SBN70 имеет распределение поляризации по толщине образца (Рис. 4.4) аналогичное образцу кристалла SBN61. Поскольку при комнатной температуре он находится в параэлектрической фазе (Рис. 1.1), то инверсный слой в нём наблюдается при комнатной температуре не только в процессе нагрева из сегнетоэлектрической фазы, но и после поляризации при

данной температуре (Рис 4.4 кривая 1).

Когда данный образец был поляризован при температуре ссгиетоэлсктрической фазы (О °С) характер распределения поляризации в нём соответствовал профилю поляризации образцов с другими концентрациями стронция, находящихся при комнатной температуре в сегнетоэлектрической фазе (Рис. 4.5).

Рис.4.3 Координатные зависимости пирокоэффициента кристалла SBN35.

Кривая 1 - сразу после поляризации, 2 - после цикла нагрев-охлаждение.

Стрелкой показано направление вектора поляризации в образце.

Поскольку кристаллы SBN61 и SBN70 в отличие от кристаллов с меньшим значением «ш> обладают релаксорными свойствами, можно предположить, что именно они являются причиной возникновения инверсного слоя и нестабильного состояния поляризации в этих кристаллах.

Для всех исследованных образцов значение пирокоэффициента со стороны, соответствующей положительному концу вектора поляризации на 10-15 процентов меньше чем на противоположной стороне (Рис. 4,4 и 4.5).

Важно отметить, что направление поляризации в инверсном слое зависит от того, какое температурное воздействие приводит к его возникновению. Так, в процессе квазистатического нагрева, при подходе к температуре фазового перехода поляризация с обеих сторон образца направлена от поверхности вглубь образца (Рис. 4.1). После охлаждения из параэлектрической фазы направление поляризации в слое противоположное - т.е. вектор поляризации направлен из глубины к поверхности (Рис. 4.2).

Рис.4.4 Координатные зависимости пирокоэффициента кристалла SBN70. Кривая 1 - образец, поляризованный при 25°С, 2 - поляризованный при 0°С. Стрелками показано направление вектора поляризации в образце.

Рис.4.5 Координатные зависимости пирокоэффициента кристаллов SBN40 (кривая 1), SBN61 (кривая 2), SBN35 (кривая 3) и SBN50 (кривая 4).

Направление поляризации в образце показано стрелкой.

Рассмотрим возможную причину различия направления поляризации в поверхностном слое в зависимости от характера температурного воздействия. Поскольку образец располагался на медном держателе (Рис. 2.4), непосредственно помещаемом в термостатируемую камеру (Рис. 2.5), то, в первом случае, в процессе нагрева, в образце существует стационарный градиент температуры (Рис. 4.6, а, б), направленный от поверхности, подвергаемой воздействию модулированного теплового потока, к тыльной стороне. В случае воздействия модулированным тепловым потоком на сторону, соответствующую + Ps,направление градиента температуры противоположно направлению существующей в образце поляризации (Рис. 4.6, а). При воздействии теплового потока на сторону, соответствующую - Ps,направление градиента температуры совпадает с направлением поляризации (Рис. 4.6, б).

Данное различие, по всей видимости, и служит причиной того, что слой с инверсной поляризацией возникает в процессе нагрева только на стороне, соответствующей + Ps(Рис. 3.2, 4.1 (кривая 4) и 4.4 (кривая 2)). То, что данный слой наблюдается только у кристаллов SBN обладающих релаксорными свойствами (т.е. у SBN61 и SBN70) подтверждает сделанный ранее вывод о том, что релаксорные свойства способствуют нестабильности поляризованного состояния.

В процессе охлаждения медная подложка отдает тепло достаточно быстро, и максимальная температура существует в центре образца, и градиент с обеих сторон направлен от поверхности вглубь (Рис. 4.6, в). Охлаждение осуществляется из параэлектрической фазы, в которой изначально поляризация в образце отсутствует. В этом случае, как следует из эксперимента (Рис. 4.2), направление возникающей при переходе через точку Кюри поляризации противоположно существующему в образце градиенту температуры (Рис. 4.6, в).

Рис.4.6. Направление градиента температуры возникающего в образце в процессе нагрева (а,б) и охлаждения (в).

4.2.

<< | >>
Источник: Лисицын Владимир Сергеевич. ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И СОСТОЯНИЕ ПОЛЯРИЗАЦИИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НИОБАТА БАРИЯ СТРОНЦИЯ И НИОБАТА БАРИЯ КАЛЬЦИЯ. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2015. 2015

Еще по теме 4.1. Влияние термоциклирования на состояние поляризации кристаллов SBN:

  1. Влияние внешних воздействий на состояние поляризации кристаллов CBN
  2. Стабилизация состояния поляризации монокристаллов SBN
  3. Влияние примесей на физические свойства кристаллов SBN
  4. Процессы переключения кристаллов SBN
  5. Доменная структура кристаллов SBN
  6. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов SBN
  7. З.1. Температурные зависимости пиротока кристаллов SBN различного состава
  8. Кристаллическая структура кристаллов SBN
  9. Свойства кристаллов SBN
  10. Оптические свойства одноосных кристаллов парателлурита, ииобата лития и SBN, как объектов для исследований методом коноскопии
  11. 2.2. Анализ состояния поляризации в сегнетоактивных материалах с использованием TSW метода
  12. Влияние примесей Ей и Rh на пироэлектрические свойства кристаллов SBN61