<<
>>

Проводимость тонкой пленки ХСП

Выше были рассмотрены процессы захвата электронов на ионизованный центр. Вычислены вероятности первой и второй ионизации центра в электрическом поле, а также сечение захвата электронов при отсутствии поля.

Сечение захвата электрона слабо зависит от величины электрического поля [76], поэтому будем считать, что сечение захвата в электрическом поле описывается выражением (3 19). Для первой ионизации центра D^-w→ D0'.

В этом выражении величина E∏ - тепловая энергия ионизации центра (равна расстоянию по энергии между минимумами термов, соответствующих D~и D0центрам), величина Ejимеет смысл энергии активации захвата электронов на D0центр (она равна расстоянию по энергии между минимумом терма, соответствующего центру без электрона, и точкой пересечения термов), величина ф; описывает увеличение вероятности ионизации и захвата благодаря туннелированию ядра центра между термами, величина ну описывает численно рассчитанное увеличение вероятности ионизации в электрическом поле.

Аналогичные выражения можно записать для вероятности второй ионизации центра и захвата D0-nj→ D':

Концентрация электронов проводимости описывается кинетическим уравнением:

В этом выражении квадратными скобками обозначена концентрация центров в соответствующем состоянии. Два первых слагаемых в правой части описывают увеличение концентрации электронов проводимости за счет ионизации центров, следующее слагаемое описывает захват электронов на центры, два последних слагаемых описывают процессы генерации и рекомбинации электронов, не связанные с (/-минус центрами. Далее будем считать, что концентрация электронов проводимости определяется

процессами ионизации и захвата на (/-минус центры и не будем учитывать два последних члена уравнения (3.21).

Также запишем кинетические уравнения для центров:

Первое слагаемое в правой части выражения описывает увеличение концентрации D+ центров за счет ионизации D0центров, второе слагаемое описывает захват электронов на D+центры, третье и четвертое слагаемое описывают переходы между различными состояниями центров D+ + D'

<< | >>
Источник: Батуркин Сергей Александрович. ИССЛЕДОВАНИЕ ТОКОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ СОСТАВА GST-225, ЛЕГИРОВАННЫХ АЗОТОМ И БОРОМ. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2015. 2015

Еще по теме Проводимость тонкой пленки ХСП:

  1. Для изучения механизмов проводимости и влияния условий синтеза на транспорт носителей были получены зависимости токов утечки от приложенного к пленкам постоянного электрического напряжения.
  2. Энергонезависимая память на основе ХСП
  3. Введение глазной лекарственной пленки.
  4. Структура слезной пленки
  5. Разработка программы анализа массива ячеек энергонезависимой фазовой памяти (ЯЭФП) на основе ХСП состава GST-225
  6. Слезная пленка
  7. 1.4. Интерференция в тонких плёнках
  8. Тонкие пленки
  9. 4.1. Механизмы проводимости пленок PZT(54∕46)
  10. Самополяризация в пленках сегнетоэлектриков