Проводимость тонкой пленки ХСП
Выше были рассмотрены процессы захвата электронов на ионизованный центр. Вычислены вероятности первой и второй ионизации центра в электрическом поле, а также сечение захвата электронов при отсутствии поля.
Сечение захвата электрона слабо зависит от величины электрического поля [76], поэтому будем считать, что сечение захвата в электрическом поле описывается выражением (3 19). Для первой ионизации центра D^-w→ D0'.
В этом выражении величина E∏ - тепловая энергия ионизации центра (равна расстоянию по энергии между минимумами термов, соответствующих D~и D0центрам), величина Ejимеет смысл энергии активации захвата электронов на D0центр (она равна расстоянию по энергии между минимумом терма, соответствующего центру без электрона, и точкой пересечения термов), величина ф; описывает увеличение вероятности ионизации и захвата благодаря туннелированию ядра центра между термами, величина ну описывает численно рассчитанное увеличение вероятности ионизации в электрическом поле.
Аналогичные выражения можно записать для вероятности второй ионизации центра и захвата D0-nj→ D':
Концентрация электронов проводимости описывается кинетическим уравнением:
В этом выражении квадратными скобками обозначена концентрация центров в соответствующем состоянии. Два первых слагаемых в правой части описывают увеличение концентрации электронов проводимости за счет ионизации центров, следующее слагаемое описывает захват электронов на центры, два последних слагаемых описывают процессы генерации и рекомбинации электронов, не связанные с (/-минус центрами. Далее будем считать, что концентрация электронов проводимости определяется
процессами ионизации и захвата на (/-минус центры и не будем учитывать два последних члена уравнения (3.21).
Также запишем кинетические уравнения для центров:
Первое слагаемое в правой части выражения описывает увеличение концентрации D+ центров за счет ионизации D0центров, второе слагаемое описывает захват электронов на D+центры, третье и четвертое слагаемое описывают переходы между различными состояниями центров D+ + D'
Еще по теме Проводимость тонкой пленки ХСП:
- Для изучения механизмов проводимости и влияния условий синтеза на транспорт носителей были получены зависимости токов утечки от приложенного к пленкам постоянного электрического напряжения.
- Энергонезависимая память на основе ХСП
- Введение глазной лекарственной пленки.
- Структура слезной пленки
- Разработка программы анализа массива ячеек энергонезависимой фазовой памяти (ЯЭФП) на основе ХСП состава GST-225
- Слезная пленка
- 1.4. Интерференция в тонких плёнках
- Тонкие пленки
- 4.1. Механизмы проводимости пленок PZT(54∕46)
- Самополяризация в пленках сегнетоэлектриков