<<
>>

4.1. Механизмы проводимости пленок PZT(54∕46)

На основе экспериментально полученных вольт-амперных характеристик, наиболее характерные из которых приведены в параграфе 3.1, для исследуемых пленок проведен анализ механизмов проводимости, основные результаты которого обсуждаются в данном параграфе.

Было показано, что в большинстве случаев в области малых полей (до 10 кВ-см-1), а иногда и в большем диапазоне (для пленки с ТСИНТ= 540 °C до Е= ± 70 кВ-см-1), полученные ВАХ носят характер, близкий к линейному. Такая зависимость силы тока от приложенного электрического напряжения свидетельствует о преимущественно омическом механизме проводимости.

В ряде случаев для пленок PZT(54/46) с температурой синтеза 545 °C вольт-амперные характеристики в полях напряженностью до 15 кВ-см-1 можно описать на основе токов, ограниченных пространственным зарядом. Известно [97], что эти токи описываются квадратичным законом Мотта:

где J- плотность тока, τμ- максвелловское время релаксации, σ0- удельная электропроводность в объеме материала в отсутствие инжекции, μ - подвижность носителей заряда, L- толщина образца. На рисунке 4.1 представлена зависимость силы тока от квадрата приложенного напряжения, полученная для пленки с температурой синтеза 545 °C. Линейность этой зависимости свидетельствует о преобладающем вкладе токов, ограниченных пространственным зарядом, в диапазоне приложенных напряжений (Е = ± 15 кВ-см-1).

Рисунок 4.1. Зависимость тока от квадрата напряжения для пленки PZT(54∕46) с

температурой синтеза 545 °C. К верхнему электроду приложен: 1 - отрицательный, 2 - положительный потенциал.

В области больших электрических полей наиболее вероятным механизмом проводимости является эмиссия Пула-Френкеля, согласно которой сильное электрическое поле, приложенное к образцу, изменяет вид потенциальных барьеров для носителей заряда между атомами кристаллической решетки [98]. Это приводит к увеличению количества электронов в образце за счет преодоления потенциального барьера. На рисунке 4.2 представлены зависимости силы тока от приложенного напряжения разной полярности в представлении Пула-Френкеля для пленок с температурами синтеза 545 и 570 °C. Данные зависимости характеризуются линейными участками, что свидетельствует о существенном вкладе в электрический ток носителей заряда, возникающих за счет эмиссии Пула- Френкеля.

Рисунок 4.2. ВАХ для пленок PZT(54∕46) в представлении Пула-Френкеля: (а) -

Тсинт = 545 °C, (б) - Тсинт= 570 °C. К верхнему электроду приложен: 1 - положительный, 2 - отрицательный потенциал.

Для анализа температурной зависимости проводимости использовались представления Пула-Френкеля или Шоттки. На рисунке 4.3 экспериментальные результаты представлены в виде зависимостей ln(∕∕E) от 1/Т (представление Пула-Френкеля) для различных значений напряженности электрического поля, приложенного к пленке. Эти зависимости обнаруживают близкое к линейному поведение, что может свидетельствовать об увеличении проводимости за счет роста концентрации носителей заряда.

Рисунок 4.3. Вольт-амперная характеристика для пленки PZT(54/46) с температурой синтеза 540 °C в представлении Пула-Френкеля. Поле напряженностью 35 кВ-см-1(1) и 11 кВ-см-1(2) направлено от верхнего электрода к подложке; поле напряженностью 11 кВ-см-1(3) и 35 кВ-см-1(4) направлено от подложки к верхнему электроду.

Зависимости, построенные в представлении Шоттки, также имеют вид, близкий к линейному.

На рисунке 4.4 приведен график ln(∕∕Γ2) от U0,5для пленки PZT(54∕46) с температурой синтеза 540 °C.

Рисунок 4.4. ВАХ для пленки PZT(54∕46) с температурой синтеза 540 °C в представлении Шоттки, полученные при различных температурах.

На основе экспериментально полученных температурных зависимостей токов утечки с использованием соотношений (1.14) и (1.15) произведен расчет высокочастотной диэлектрической проницаемости. Значение εr, рассчитанное согласно (1.14), составило 1,5, тогда как аналогичная величина, определенная на основе уравнения (1.15), приблизительно равна 5,6. Последнее значение согласуется с результатами исследования оптических характеристик пленок PZT, согласно которым показатель преломления n = y[εTлежит в пределах от 2,50 до 2,56 [50, 99, 100]. Это также показывает, что доминирующим механизмом проводимости для исследуемых пленок в интервале полей от 10 до 70 кВ-см-1является эмиссия Пула-Френкеля. В работе произведен расчет подвижности носителей μ, величина которой для исследуемых образцов составила (2,9 ± 0,5) ∙10-2см2-1- с-1, что согласуется с результатами, полученными для пленок PZT, сформированных методом ВЧ магнетронного распыления [44].

<< | >>
Источник: Каменщиков Михаил Викторович. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ И БАРЬЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В ТОНКИХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ ЦИРКОНАТА-ТИТАНАТА СВИНЦА. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2014. 2014

Еще по теме 4.1. Механизмы проводимости пленок PZT(54∕46):

  1. Влияние условий синтеза пленок PZT(54∕46) на дисперсию диэлектрических характеристик и проводимость по переменному току
  2. Связь петель диэлектрического гистерезиса, пироотклика и барьерных явлений для пленок PZT(54∕46)
  3. 4.2. Определение величин потенциальных барьеров в структуре Pt∕PZT(54∕46)∕Pt
  4. ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЛЕНОК PZT(54∕46),СИНТЕЗИРОВАННЫХ ПРИ РАЗЛИЧНЫХ ТЕМПЕРАТУРАХ
  5. Фазовые переходы пирохлор - перовскит I, перовскит I - перовскит II и их влияние на электрофизические свойства пленок PZT(54∕46)
  6. 1.5. Механизмы электропроводности пленок PZT
  7. Вольт-амперные характеристики пленок PZT
  8. Вольт-фарадные характеристики пленок PZT
  9. Петли диэлектрического гистерезиса пленок PZT
  10. Электрофизические свойства сегнетоэлектрических пленок PZT
  11. Обозначение фонемы ∕j∕
  12. О взаимосвязи между механизмом напыления наноразмерных пленок и их морфологическими характеристиками
  13. Для изучения механизмов проводимости и влияния условий синтеза на транспорт носителей были получены зависимости токов утечки от приложенного к пленкам постоянного электрического напряжения.
  14. 3.13. Механизм потери массы при формировании миι√∣)o∕ιιaιιoιιрофи.ія поверхности
  15. Линейные и нелинейные диэлектрические свойства пленочных гетероструктур BaTiO3∕Si
  16. Лекция 2. Примесная проводимость
  17. Особенности проводимости сегнетоэлектрических кристаллов