СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Мамедов В.М. Исследование процессов выращивания оксидных кристаллов из расплава методами Чохральского и Степанова с помощью вычислительного эксперимента // Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.

2. Чернов А.А., Гиваргизов Е.И., Богдасаров Х.С. и др. Современная кристаллография Т.З. М. Наука. 1980. 408 С.

3. Татарченко В.А. Устойчивый рост кристаллов. M.: Наука. 1988. 240 С.

4. Мюллер Г. Выращивание кристаллов из расплава. Конвекция и неоднородности. M.: Мир, 1991. 143 С.

5. Лодиз P., Паркер Р. Рост монокристаллов. M.: Мир. 1974. 533 С.

6. Вилке К.-Т. Выращивание кристаллов. Л.: Недра. 1997. 423 С.

7. Молчанов В.Я., Китаев Ю.И., Колесников А.И., Нарвер BH., Розенштейн А.З., Солодовников Н.П., Шаповаленко К.Г. Теория и практика современной акустооптики. M.: Изд. Дом МИСиС. 2015. 459 С.

8. Смирнов Ю.М., Молчанов В.Я., Колесников А.И., Терентьев И.А., Ильин В.Е. Новые применения акустооптических устройств предъявляют новые требования к монокристаллам парателлурита // Физика кристаллизации. Тверь: ТвГУ. 2002. С. 9-17.

9. Каплунов И.А. Выращивание, оптические свойства и дислокационная структура кристаллов германия для инфракрасной оптики. Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук. Тверь. 2006. 364 С.

10. Подкопаев О.И., Шиманский А.Ф., Бычков П.С., Вахрин В.В. Влияние содержания оптически активного кислорода на дефектную структуру монокристаллического германия // Вестник сиб. гос. аэрокосм, ун-та им. акад. М.Ф. Решетнева. 2012. Вып. 1(41). С. 129-132.

И. Молчанов В.Я., Макаров О.Ю., Колесников А.И., Смирнов Ю.М. Перспективы применения монокристаллов TeO₂в акустооптических

дефлекторах уф диапазона // Вестник Тверского государственного университета. Серия: Физика. 2004. № 1. С.

12. Molchanov V.Ya,, Chizhikov S.I., Makarov O.Yu., Solodovnikov N.P., Ginzburg V.N., Katkin E.V., Khazanov E.A., Lozhkarev V.V., Yakovlev I.V. Adaptive Optical Delay Lines for Femtosecond Laser Pulses Shaping ∕∕ Acta PhysicaPolonica. 2009. V. 116. № 3. P. 335-358.

13. Molchanov V.Ya., Chizhikov S.I., Makarov O.Yu. Interaction between Femtosecond Radiation and Sound in a Light Dispersive Delay Lines Using Effect of Strong Elastic Anisotropy ∕∕ Journal of Physics: Conference Series. 2011. V. 278. P. 102-105.

14. Molchanov V.Ya., Chizhikov S.I., Makarov O.Yu., Solodovnikov N.P., Ginzburg V.N., Katin E.V., Khazanov E.A., Lozhkarev V.V. and Yakovlev I.V. Adaptive Acoustooptic Technique for Femtosecond Laser Pulses Shaping ∕∕ Appl. Optics. 2009. V. 48. № 7. P. 118-124.

15. Молчанов В.Я., Чижиков С.И., Юшков К.Б. Двухкаскадная акустооптическая дисперсионная линия задержки для фемтосекундных лазеров // Квантовая электроника. 2011. Т. 41. № 8. С. 675-676.

16. Колесников А.И, Каплунов И.А., Терентьев А.А. Дефекты различных размерностей в крупногабаритных монокристаллах парателлурита // Кристаллография. 2004. Т.49. №2. С. 229-233.

17. Veber P., Mangin J., Strimer P., Delarue P., Josse C., Saviot L. Bridgman Growth of Paratellurite Single Crystals ∕∕ Journal of Crystal Growth. 2004. №270. P. 71-84.

18. Chu Ya., Li Ya., Ge Z., Wu G., Wang H. Growth of the High Quality and Large Size Paratellurite Single Crystals ∕∕ Journal of Crystal Growth. 2006. V. 295. P.158-161.

19. Маколкина E.H., Пржевуский A.K. Влияние структурных дефектов на оптические параметры кристаллов германия // Оптический журнал. 2003. Т. 70. №11. С. 64-67.

20. Kaplunov LA., Kolesnikov A.I., Shaiovich S.L. Method for Measuring Light Scattering in Germanium and Paratellurite Crystals ∕∕ Crystallography Reports. V. 50. Suppl 1. 2005. P. 546-552.

21. Каплунов И.А., Колесников А.И., Шайович С.Л., Талызин И.В.

22. Рашкович Л.Н., Петрова Е.В., Шустин О.А., Черневич Т.Г. Формирование дислокационной спирали на грани (010) кристалла биорталата калия (БФК) // ФТТ, 2003. Т. 45. № 2. С. 400-407.

23. Мамедов В.М., Юферев В.С. Численная визуализация процесса инверсии фронта кристаллизации при выращивании оксидных кристаллов из расплава методом Чохральского // Письма в ЖТФ. 2008. Т.34. Вып. 14. С. 75-81.

24. Винокуров В.А., Люмикс Е.Д., Мартузан Б.Я. Расчет гидродинамики потоков в расплаве и распределения температуры для прозрачных материалов, выращиваемых способом Чохральского // Математическое моделирование. Получение монокристаллов и полупроводниковых структур. M.: Наука 1986. С. 279-280.

25. Колесников А.И., Каплунов А.И., Третьяков С.А., Воронцова Е.Ю. Конвекция расплава при выращивании монокристаллов парателлурита методом Чохральского // Расплавы. 2009. Т.49. № 2. С. 58-67.

26. Иванова Г.Ф., Люмикс Е.Д., Мартузан Б.Я. и др. Численное решение задач совместного определения температурного поля в системе расплав - кристалл и потоков в расплаве в процессе Чохральского. Математическое моделирование. Получение монокристаллов и полупроводниковых структурам.: Наука. 1986. С. 171-185.

27. Смирнов Ю.М., Связь переохлаждения расплава с плотностью дислокаций в монокристаллах германия и парателлурита // Физика кристаллизации. Калинин: КГУ. 1983. С. 146-149.

28. Смирнов Ю.М., Павленко Н.М. Морфология, дислокационная структура и оптические свойства парателлурита // Неорганические материалы. 1989. Т. 19. № 5. С. 780-784.

29. Инденбом В.Л., Освенский В.Б. Теоретические и экспериментальные исследования возникновения напряжений и дислокаций при росте кристаллов//Рост кристаллов. M.: Наука. 1980. Т. 13. С. 240-251.

30. Авдонин Н.А. Математическое описание процессов кристаллизации. Рига. 1980. 180 С.

31. Kaplunov I.A., Malishkina О.V., Kolesnikov A.I., Grechishkin R.M., Kaplunova E.I.

32. Kaplunov I.A., Kolesnikov AT., Ivanova AT., Tretiakov S.A. and Grechishkin R.M. Surface micromorphology of germanium single crystals boules grown from melt ∕∕ Journal of Suface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2015. № 3. P. 630-635.

33. Смирнов Ю.М., Романенко B.H. Влияние кривизны фронта кристал­лизации на плотность дислокаций в монокристаллах германия // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1973. Т. 9. №12. С. 2220-2221.

34. Смирнов Ю.М., Колесников А.И. Концепция особой сингулярной грани (на примере парателлурита) // Физика кристаллизации. Тверь: ТвГУ. 1994. С. 82-85.

35. Хартман П.В. Зависимость морфологии кристалла от кристаллической структуры // Рост кристаллов. M.: Наука. 1967. Т. 7. С. 5-24.

36. Надточий В.А., Уколов А.И., Костенко С.А. и др. Исследование наноструктур на поверхности монокристаллического Ge методом атомно­силовой микроскопии // Збірник наукових праць фізико-математичного факультета СДПУ. 2012. Вып. 2. С. 94-99.

37. Каплунов И.А., Смирнов Ю.М., Долматов А.Б., Колесников А.И. Монокристаллы германия для инфракрасной техники: выращивание,

дефекты структуры и оптические характеристики // Перспективные материалы. 2003. № 4. С. 35-41.

38. Kokh A.E., Shevchenko V.S., Vlezko V.A., Kokh К.А. Growth of TeO₂ single crystals by the low temperature gradient Czochralski method with non uniform heating ∕∕ Journal of Crystal Growth. 2013. № 384. P. 1-4.

39. Алферов Ж.И., Андреев B.M., Румянцев В.Д. Тенденции и перспективы развития солнечной энергетики // ФТП. 2004. Т. 38. Вып. 8. С. 937-948.

40. Stukenberg A., Punin Y.O. Optically Anomalous Crystals ∕∕ New York: Springer. 2007. 277 P.

41. Калашников A.Π. Внешняя морфология и распределение дислокаций в кристаллах парателлурита // Доклады АН СССР.

42. Kox А.Е. Выращивание кристаллов парателлурита автоматизированным методом Чохральского // Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. Л.: ГОИ. 1985. С. 15-16.

43. Хакен Г. Синергетика: Иерархия неустойчивостей в самоорганизующихся системах и устройствах ∕∕ M.: Мир. 1985. 423 С.

44. Берже И. Конвекция Рэлея-Бенара в жидкостях с высоким числом Прандтля // М. Мир. 1984. С. 220-223.

45. Горбенко В.M., Кудзин А.Ю., Садовская Л.Я. Физические свойства и особенности технологии получения кристаллов TeO₂и соединений на его основе // Тезисы докладов II Всесоюзной конференции по росту кристаллов. Харьков: НИИТЭХНМ. 1982. С. 47.

46. Винокуров В.А., Алекссва H.B., Kox А.Е. Выращивание кристаллов парателлурита в направлениях [001], [100], [112] // Тезисы докладов II Всесоюзной конференции по росту кристаллов. Харьков: НИИТЭХНМ.

1982. С. 35.

47. Kox А.Е., Шкуратов Е.Б. Инверсия формы фронта кристаллизации при выращивании кристаллов по Чохральскому // Тезисы докладов II

Всесоюзной конференции по росту кристаллов. Харьков: НИИТЭХНМ. 1982. С. 68.

48. Каплунов И.А., Колесников А.И. Влияние характеристик германия на рассеяние ИК излучения // Поверхность. 2002. № 2. С. 14-19.

49. Блистанов А.А., Бондаренко В.C., Переломова Н.В. и др. Акустические кристаллы. Справочник. M.: Наука. 1982. 632 С.

50. Brunco D.P., De Jaeger B., Eneman G. Germanium MOSFET devices: Advances in materials understanding, process development, and electrical performance ∕∕ Journal of The Electrochemical Society. 2008. 155(7). P. 552- 561.

51. Каплунов И.А., Колесников А.И., Талызин И.В., Седова Л.В. Измерение коэффициентов ослабления света монокристаллами германия и парателлурита // Оптический журнал. 2005. Т. 72. № 7. С. 76-84.

52. Kumaragurubaran S., Krishnamurty D., Subramanian C., Ramasamy P. Growth OfParatellurite Crystals: Effect of Axial Temperature Gradient on the Quality of the Crystals ∕∕ Journal of Crystal Growth.

53. Kumaragurubaran S., Krishnamurty D., Subramanian C., Ramasamy P. Investigation on the growth of Bi₂TeO₅ and TeO₂ crystals ∕∕ Journal of Crystal Growth. 1999. V. 197. P. 210-215.

54. Колесников А.И. Влияние условий роста на распределение дефектов в чистых и легированных монокристаллов парателлурита // Тверь: ТвГУ. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико- математических наук. 1996. 231 С.

55. Виноградов А.В., Ломонов В.А., Першин Ю.А., Сизова Н.П. Рост и некоторые свойства монокристаллов TeO₂большого диаметра // Кристаллография. 2004. Т. 49. № 2. С. 209-2IE

56. Отчет о прикладных научных исследованиях по теме «Разработка технологии получения крупногабаритных кристаллов парателлурита для акустооптических дисперсионных линий задержки в сверхмощных фемтосекундных лазерных системах» в рамках ФІДП «Исследования и

разработки по приоритетным направлениям развития научно­технологического комплекса России на 2014-2020 годы». 3 этап. 2015. Тверь ТвГУ. 223 С.

57. Смирнов Ю.М., Павленко Н.М. Морфология, дислокационная структура и оптические свойства парателлурита // Неорганические материалы. 1989. Т. 19. № 5. С. 780-784.

58. Инденбом В.Л., Освенский В.Б. Теоретические и экспериментальные исследования возникновения напряжений и дислокаций при росте кристаллов//М.: Наука. 1980. Т. 13. С. 240-251.

59. Инденбом В.Л. напряжения и дислокации при росте кристаллов // Изд. АН СССР. Сер. Физическая. 1973. Т. 37. № 11. С. 2258-2267.

60. Инденбом В.Л., Каганер В.Н., Фролов А.Г. Разделение вклада различных эффектов, определяющих величину и распределение напряжений в кристаллах, выращиваемых из расплава // Изд. АН СССР. Сер. Физическая.

1983. Т. 47. №2. С. 254-260.

61. Джексон К., Ульман Д., Хант О. О механизме роста кристаллов из расплава // Проблемы роста кристаллов. М. 1968. С. 27-86.

62. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике (для научных работников и инженеров). M.: Наука. 1977. 832 С.

63. Подкопаев О.И., Шиманский А.Ф. Выращивание монокристалла германия с низким содержанием дислокаций и примесей. Красноярск: СФУ. 2013. С. 5-12.

64. Turnball D. Formation of crystal nuclei in liquid metal ∕∕ Journal of Applied Phisics. 1950. V. 21.110. P. 1022-1028.

65. Takagi M. Electron-diffraction study of liquid-solid transition of thin metal films ∕∕ Journal of the Physical Society of Japan. 1954. №3. P. 359-363.

66. Berry R.S. Melting and freezing of microclusters from analytics and simulations ∕∕ Springer: New York. 1987. P. 200-210.

67. Жданов Г.С. Температурный гистерезис фазового перехода и механизм кристаллизации тонких металлических пленок // Физика твердого тела.1977. Т. 19. Вып. 1. С. 299-301.

68. Коверда В.П. Влияние флуктуаций и неравновесной границы на плавление маленьких металлических кристаллов // Физика металлов и металлове­дение. 1981. Т. 51. № 6. С. 1238-1244.

69. Соколов Д.Н. Изучение термодинамических и структурных характеристик наночастиц металлов в процессах плавления и кристаллизации: теория и компьютерное моделирование // Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь: ТвГУ. 2016. 239 С.

70. Палатник Л.C., KomhmkЮ. Ф. Исследование температуры плавления тонких конденсированных слоев Sn и Bi // Физика металлов и металловедения. 1960. Т. 9. Вып. 3. С. 374-378.

71. Бойко В.Т. О плавлении конденсированных пленок индия до критической толщины // Физика металлов и металловедения. 1968. Т. 10. Вып. 12. С. 3567-3570.

72. Барна А., Барна И., Пейса Е. Рост кристаллов. M.: Наука. 1968. Т. 8. С. 124-130.

73. Kofman R., Cheyssac P., Lereach Y., Stella A. Melting of clusters approaching //EuropeanPhysical Journal D. 1999. V. 9.-I.l.P. 441-444.

74. Васильев Я.В., Боровьев Ю.А., Толантов Е.Н. и др. Низкоградиентная технология роста сцинтилляционных оксидных кристаллов. Материалы конференции «Сцинтилляционные материалы. Инженерия, устройства, применение». Харьков: HCMA. 2011. С. 118-119.

75. Claeys L., Simoen Е. Germanium-based technologies: from materials to devices. Berlin: Elsevier. 2007. P. 449.

76. Wang G., Sun Y., Xiang W. et al. Development of large size high purity germanium crystal growth ∕∕ Journal of Crystal Growth. 2012. V. 352. P. 27-30.

77. Kolesnikov A.I., Tretiakov S.A., Grechishkin R.M., Morozova K.A., Yushkov K.B., Molchanov V.Ya. and Linde B.B.I. A Study of Optical Uniformity of

Lithium Niobate and Paratellurite Crystals by the Method of Conoscopy ∕∕ Acta PhysicaPolonica. A. 2015. № 1.V. 127. P. 84-86.

78. Kolesnikov A.I., Kaplunov LA., Tretyakov S.A., Grechishkin R.M., Morozova K.A., Molchanov V. Ya., Kolesnikov A.A. Isochromes in Conoscopic Patterns OfUniaxial Crystals under Normal’s Random Orientation in Relation to Optical Axis ∕∕ Research Journal of Applied Sciences. 2014. V. 9. Issue 12. P. 1134— 1142.

79. Иванова А.И. Микроморфология поверхности и дислокационная структура крупногабаритных оптических кристаллов германия. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь.: ТвГУ. 2015. 157 С.

80. Янски И., Петер А., Мечеки А. и др. // Кристаллография. 1982. Т. 26. Вып.

1. С. 152-155.

81. Мильвидский MT., Освенский В.Б., Шифрин С.С. Изучение формирова­ния дислокационной структуры монокристаллов полупроводников при выращивании из расплава: проблемы и перспективы. Рост полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука. 1984. Ч. 1. С. 90-104.

82. Смирнов Ю.М., Каплунов И.А. Взаимодействие термических условий при росте монокристаллов германия с диаметрами до 600 мм // Физика кристаллизации. Тверь: ТвГУ. 1994. С. 21.

83. Clays C., Simoen Е. Extended Defects in Germanium. Fundamental and Technological Aspects. Springer. 2009. P. 300.

84. Depuydt B., Theuwis A., Romandic I. Germanium: From the First Application of Czochralski Crystal Growth to Large Diameter Dislocation-free Wafers ∕∕ Materials Science in Semicondactor Processing. 2006. V. 9. Issues 4-5. P. 437- 443.

85. Edmund S.G., Meridit K.C. Charged Semiconductor Defects Structure Thermodynamics and Diffusion. Berlin: Springer. 2008. 294 P.

86. Grabmaier J.G., Platner R.D., Schieber M. Suppression of constitutional supercooling in Czochralski-grown Paratellurite ∕∕ Journal of Crystal Growth. 1973. T. 20. №2. P. 82-88.

87. Yusatake K., Sugiora K., Inoue H., Takeuchi A., Uemura M., Yoshii K., Kawabe H. Dislocations and ultrasonic attenuation in paratellurite ∕∕ Physia status solidi. 1991. V. 125. № 3. P. 489-502.

88. Strelov V.I., Sidorov V.S., Zakharov B.G. Striation in Ge single crystals grown from melt under vibrations and weak heat convection ∕∕ Crystal Reports. 2001. V. 46. P. 690-695.

89. Stukenberg A. Punin X.O. Optically Anomalous Crystals. New York: Springer. 2007. 277 P.

90. Седова JI.B.,Колесников А.И., Гречишкин P.M., Каплунов И.А. Влияние конвекции расплава диоксида теллура на захват газовых пузырьков кристаллами парателлурита // Вестник ТвГУ. Серия «Физика». Тверь. 2005. Вып. 2. № 9(15). С. 68-74.

91. Kolesnikov AT., Kaplunov LA., Ilyashenko S.E., Molchanov Y.Ya., Grechishkin R.M. Piezooptic effect and dislocation structure in paratellurite single crystals ∕∕ Ferroelectrics. 2012. V. 441. № 1. P. 84-91.

92. Блистанов A.A., Бондаренко B.C., Переломова H.B. и др. Акустические кристаллы. Справочник. M.: Наука. 1982. 632 С.

93. Наумов А.В. Обзор мирового рынка германия // Изв. Вузов. Материалы электронной техники. 2003. № 4. С. 7-14.

94. Gafni G., Azoulay M., Shilah С. and other Large Diameter Germanium Single Crystals for Infrared Optics Engineering. 1989. V. 28. № 9. P. 1003-1007.

95. Fox A. Acoustooptic Figure of Merit for Single Crystal Germanium at 10,6 μm Wavelength ∕∕ Applied Optics. 1985 V. 24. № 14. P. 2040-2041.

96. Оптические кристаллические материалы. Каталог. ГМП «Оптические материалы, элементы приборов». Л.: ВНЦ «ГОИ имени С.И. Вавилова».

1991. 52 С.

97. Караванов В.Б., Сахновский Н.Ю. Влияние качества полировки поверхности монокристаллов Ge на их оптические константы // Журнал прикладной спектроскопии. 1986. Т. 14. № 4. С. 623-627.

98. Тарасов В.В., Торшина И.П., Якушенков Ю.Г. Инфракрасные системы 3- 20 поколения. M.: Логос. 2011. 242 С.

99. Херл Д.Т. Механизм роста металлических кристаллов из расплава // Процессы роста и выращивание монокристаллов. Под редакцией Н.Н. Шефталя. M.: ИЛ 1963. С. 303-410.

100. Сергеев В.О., Карасев Б.E., Шалагин Л.И. Патент РФ №2029. Опубликовано 20.02.1995.

101. Михляев С.В. Оптический мониторинг выращивания кристаллов из высокотемпературного расплава методом Чохральского // Материалы электронной техники. 2013. №2. С. 32-39.

102. Софьянников Н.М., Шкульков А.В. Способ измерения температуры расплава и устройство для его осуществления. Патент РФ № 2150091. Опубликовано 27.05.2000.

103. Анчуков А.В., Тимштейн В.Г. Об изучении дискретного тона сверхзвуковой струей, истекающей из конического сопла // Изв. АН СССР. Механика жидкостей и газов. 1975. № 1. С. 153-156.

104. Bonner W.A. High Quality Tellurium Dioxide for Acousto-Optic and Non­linear Applications ∕∕ Electronic Materials. 1972. V. 1.P. 156-165.

105. Морозова K.A., Каплунов Е.И., Рыбина C.C., Шмилева Е.В., Костюк А.В., Самохвалов Н.Е. Температурные поля в светозвукопроводах акусто- оптических устройств на основе парателлурита // Вестник ТвГУ. Серия «Физика». 2015. Выпуск 1 № 1. С. 68-74.

106. ЛандебергГ.С. Оптика. Учебное пособие. M.: Физматлит. 2003. 848 С.

107. Иванов А.М., Кондратьев В.М. О технологии оптической обработки монокристаллов парателлурита // Физика кристаллизации. Тверь. 2002. С. 136-139.

108. Калинкин В.Г., Колесников А.И. Термодинамика процессов захвата примесей монокристаллами парателлурита // Физика кристаллизации. Калинин: КГУ. 1988. С. 67-73.

109. Гречушников Б.H., Желудев И.C., Залесский А.В., Пикин С.А., Семилетов С.А., Урусовская А.А., Чистяков И.Г., Шувалов Л.А. Современная кристаллография. Т. 4. Физические свойства кристаллов. M.: Наука. 1981. 496 С.

ПО. Lukasiewicz T., Majchrowski A. Czochralski Growth of TeO₂ single crystal under conditions of forced-convection in the melt ∕∕ Journal of Crystal Growth.

1992. V. 116. Issue 3-4. P. 364-368.

111. Calvert G. Annealing Experiments and Optical Characterization OfTellurium Dioxide TeO₂ ∕∕ Mat. E. 198 B. Spring. 2001. Crystal Technology Inc. (CTI). P. 20.

112. Монокристаллы TeO₂для акустооптики и оптоэлектроники // рекламный проспект фирмы «Элент А/Элент Технике». info@elent-a.net; www.elent- a.net. 2010.

113. Dafniel I. Production of vadiopure TeO₂ crystals for neutrinoless double beta decay application ∕∕ RPSCI. 2009. № 109. INFNSezonedi. Roma. Italy. P. 1-9.

114. Смирнов Ю.М., Васин B.Φ., Волков Б.А. Кристалломорфология парателлурита в зависимости от переохлаждения расплава // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Калинин: КГУ. 1977. С. 124.

115. Ramachanobran P.A., Dudukovic М.Р. Simulation OfTemperature Distribution in Crystal Growth by Czochralski Method ∕∕ Journal of Crystal Growth. 1985. V. 71. P. 399-408.

116. Градуировка термопары. Методические указания к лабораторной работе для студентов специальности 110400 «Литейное производство черных и цветных материалов». Хабаровск: ХТУ. 2002. 21 С.

117. Долиненко В.В., Шаповалов Е.В., Коляда В.А., Гнатушенко А.В., Якуша В.В. Уточнение инерционных свойств термопар, применяемых при

исследованиях металлургических и сварочных процессов // Общие вопросы металлургии. 2012. № 4. С. 33-36.

118. Зломанов В.А., Хавин З.Я. Краткий химический справочник. M.: Химия. 1978. С. 104-105.

119. Рабинович В.А., Хавин З.Я. Краткий химический справочник. M.: Химия. 1978. С. 104-105.

120. Седова Л.В. Секториальное распределение газовых пузырьков в кристаллах парателлурита // Вестник ТвГУ. Серия «Физика». 2005. Вып. 2. №9(15). С. 58-67.

121. Седова Л.В., Колесников А.И., Гречишкин Р.М., Каплунов И.А. Влияние конвекции расплава диоксида теллура на захват газовых пузырьков кристаллами парателлурита // Вестник ТвГУ. Серия «Физика». 2005. Вып.

2. № 9(15). С. 68-74.

122. Седова Л.В. Образование газовых включений при синтезе кристаллов парателлурита из расплава. Дисс. кандидата физико-математических наук. Тверь: ТвГУ. 2005. С. 154.

123. Малышкина О.В., Гавалян М.Ю., Шишков Г.C., Каплунов И.А., Колесников А.И., Айдинян Н.В. Анализ тепловых характеристик монокристаллов парателлурита методом прямоугольной тепловой волны // ФТТ. 2016. Т. 58. Вып. И. С. 2282-2286.