СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Яффе, Б. Пьезоэлектрическая керамика / Б. Яффе, У. Кук, Г. Яффе. - Пер. с англ. - М.: Мир, 1974. - 288 с.

2. Noheda, B. A monoclinic ferroelectric phase in the Pb(Zr_1-xTi_x)O₃ solid solution / B.

3. Noheda, B. Tetragonal-to-monoclinic phase transition in a ferroelectric perovskite: The structure of PbZr₀.₅₂Ti₀.₄₈O₃/ B. Noheda, J. A. Gonzalo, L. E. Cross, R. Guo, S. E. Park, D. E. Cox, G. Shirane // Physical Review B. - 2000.

- V. 61. - № 13. - P. 8687 - 8695.

4. Noheda, B. Stability of the monoclinic phase in the ferroelectric perovskite PbZr_1-xTi_xO₃/ B. Noheda, D. E. Cox, G. Shirane, R. Guo, B. Jones, L. E. Cross // Physical Review B. - 2000. - V. 63. - P. 014103.

5. Fu, H. Polarization rotation mechanism for ultrahigh electromechanical response in single-crystal piezoelectrics / H. Fu, R. E. Cohen // Nature. - 2000.

- V. 403. - P. 281 - 283.

6. Noheda, B. Polarization Rotation via a Monoclinic Phase in the Piezoelectric 92%PbZn_1/3Nb_2/3O₃-8%PbTiO₃/ B. Noheda, D. E. Cox, G. Shirane, S. E. Park, L. E. Cross, Z. Zhong // Physical Review Letters. - 2001. - V. 86. - № 17. - P. 3891 - 3894.

7. Kiat, J. M. Monoclinic structure of unpoled morphotropic high piezoelectric PMN-PT and PZN-PT compounds / J. M. Kiat, Y. Uesu, B. Dkhil, M. Matsuda,

C. Malibert, G. Calvarin // Physical Review B. - 2002. - V. 65. - P. 064106.

8. Cao, H. Fragile phase stability in (1-x)Pb(Mg_1/3Nb_2/3O₃)-xPbTiO₃ crystals: A comparison of [001] and [110] field-cooled phase diagrams / H. Cao, J. Li,

D.

9. Damjanovic, D. Contributions to the piezoelectric effect in ferroelectric single crystals and ceramics / D. Damjanovic // Journal of the American Ceramic Society. - 2005. - V. 88. - №. 10. - P. 2663 - 2676.

10. Pertsev, N. A. Phase diagrams and physical properties of single-domain epitaxial Pb(Zr_1-xTi_x)O₃ thin films ∕ N. A. Pertsev, V. G. Kukhar, H. Kohlstedt, R. Waser ∕∕ Physical Review B. - 2003. - V. 67. - P. 054107.

11. Foster, C. M. Single-crystal Pb(Zr_xTi_1-x)O₃ thin films prepared by metal­organic chemical vapor deposition: Systematic compositional variation of electronic and optical properties ∕ C. M. Foster, G. R. Bai, R. Csencsits,

J. Vetrone, R. Jammy, L. A. Wills, E. Carr, J. Amano ∕∕ Journal of Applied Physics. - 1997. - V. 81. - № 5. - P. 2349 - 2357.

12. Yokoyama, S. Dependence of electrical properties of epitaxial Pb(Zr,Ti)O₃ thick films on crystal orientation and Zr∕(Zr+Ti) ratio ∕ S. Yokoyama, Y. Honda, H. Morioka, S. Okamoto, H. Funakubo, T. Iijima, H. Matsuda,

K. Saito, T. Yamamoto, H. Okino, O. Sakata, S. Kimura ∕∕ Journal of Applied Physics. - 2005. - V. 98. - P. 094106.

13. Wang, J. Epitaxial BiFeO3 Multiferroic Thin Film Heterostructures ∕ J. Wang,

J. B. Neaton, H. Zheng, V. Nagarajan, S. B. Ogale, B. Liu, D. Viehland, V. Vaithyanathan, D. G. Schlom, U. V. Waghmare, N. A. Spadlin, K. M. Rabe, M. Wuttig, R. Ramesh ∕∕ Science. - 2003. - V. 299. - P. 1719 - 1722.

14. Li, J. Dramatically enhanced polarization in (001), (101), and (111) BiFeO₃ thin films due to epitiaxial-induced transitions ∕ J. Li, J. Wang, M. Wuttig, R. Ramesh, N. Wang N., B. Ruette, A. P. Pyatakov, A. K. Zvezdin, D. Viehland ∕∕ Applied Physics Letters. - 2004. - V. 84. - № 25. - P. 5261 - 5263.

15.

16. Araujo, E. B. Evidence for the monoclinic-tetragonal phase coexistence in Pb(Zr₀,₅₃Ti₀,₄₇jO₃ thin films ∕ E. B. Araujo, E. C. Lima, J. D. S. Guerra, A. O. Santos, L. P. Cardoso, M. U. Kleinke ∕∕ Journal of Physics: Condensed Matter. - 2008. - V. 20. - P. 415203.

17. Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд / под ред. К. М. Рабе, Ч. Г. Анна, Ж.-М. Трискона; пер. с англ. - М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011. - 440 с.

18. Martin, L. W. Advances in the growth and characterization of magnetic, ferroelectric, and multiferroic oxide thin films / L. W. Martin, Y.-H. Chu, R. Ramesh // Materials Science and Engineering R. - 2010. - V. 68. - P. 89 - 133.

19.Izyumskaya, N. Processing, Structure, Properties, and Applications of PZT Thin Films / N. Izyumskaya, Y.-I Alivov, S.-J. Cho, H. Morkoc, H. Lee, Y.-S. Kang // Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences. - 2007. - V. 32. - Issue 3 - 4. - P. 111 - 202.

20.Nam, S.-M. In situ epitaxial growth of lead zirconate titanate films by bias sputtering at high RF power / S.-M. Nam, T. Tsurumi // Japanese Journal of Applied Physics. - 2004. - V. 43. - № 5A. - P. 2672 - 2676.

21.Okada, A. Some electrical and optical properties of ferroelectric lead-zirconate- lead-titanate thin films / A. Okada // Journal of Applied Physics. - 1977. - V. 48. - № 7. - P. 2905 - 2909.

22. Takayama, R. Preparation of epitaxial Pb(ZrxTi1-x)O3 thin films and their crystallographic, pyroelectric, and ferroelectric properties / R. Takayama, Y. Tomita // Journal of Applied Physics. - 1989. - V. 65. - № 4. - P. 1666 - 1670.

23. Kang, H.-S. Effects of deposition temperature and seed layer on the optical properties of lead zirconate titanate films / H.-S.

24. Zhong, C. Fabrication of PZT thin films with TiO_x buffer layers by rf magnetron sputtering / C. Zhong, J. Peng, S. Zhang, W. Zhang // Integrated Ferroelectrics. - 2006. - V. 80. - Issue 1. - P. 281 - 288.

25. Афанасьев, В. П. Формирование и исследование свойств пленок цирконата-титаната свинца на диэлектрических подложках с подслоем платины / В. П. Афанасьев, Е. Ю. Каптелов, Г. П. Крамар, И. П. Пронин,

Т. А. Шаплыгина ∕∕ Физика твердого тела. - 1994. - Т. 36. - № 6. - С. 1657

- 1665.

26. Norton, D. Synthesis and properties of epitaxial electronic oxide thin-film materials ∕ D. Norton ∕∕ Materials Science and Engineering R. - 2004. - V. 43. P. 139 - 247.

27.Schwarzkopf, J. Epitaxial growth of ferroelectric oxide films ∕ J. Schwarzkopf,

R. Fornari ∕∕ Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials. - 2006. - V. 52. - P. 159 - 212.

28. Pintilie, L. Metal-ferroelectric-metal structures with Schottky contacts. II. Analysis of the experimental current-voltage and capacitance-voltage characteristics of Pb(Zr,Ti)O3 thin films ∕ L. Pintilie, I. Boerasu, M. J. M. Gomes, T. Zhao, R. Ramesh, M. Alexe ∕∕ Journal of Applied Physics.

- 2005. - V. 98. - P. 124104.

29. Pintilie, L. Charge Transport in Ferroelectric Thin Films [Электронный ресурс] ∕ L. Pintilie ∕∕ In book «Ferroelectrics - Physical Effects» edited by Mickael Lallart. - InTech, 2011. - P. 101 - 134. - Режим доступа: http√∕www.intechopen.com∕books∕ferroelectrics-physical-effects∕charge- transport-in-ferroelectric-thin-films).

30. Tagantsev, A. K. Non-Kolmogorov-Avrami switching kinetics in ferroelectric thin films ∕ A. K. Tagantsev, I. Stolichnov, N. Setter, J. C. Cross, M. Tsukada ∕∕ Physical Review B. - 2002. - V. 66. - P. 214109.

31. Shur, V. Ya. Polarization reversal in congruent and stoichiometric lithium tantalite ∕ V. Ya. Shur, E. V. Nikolaeva, E. I. Shishkin, V. L. Kozhevnikov, A. P. Chernykh, K. Terabe, K. Kitamura ∕∕ Applied Physics Letters. - 2001. - V. 79. - № 19. - P. 3146 - 3148.

32. Lohse, O. Relaxation mechanism of ferroelectric switching in Pb(Zr,Ti)O3 thin films ∕ O. Lohse, M. Grossmann, U. Boettger, D. Bolten, R. Waser ∕∕ Journal of Applied Physics. - 2001. - V. 89. - № 4. - P. 2332 - 2336.

33. Jiang, A. Q. Interfacial-layer modulation of domain switching current in ferroelectric thin films / A. Q. Jiang, Y. Y. Lin, T. A. Tang // Journal of Applied Physics. - 2007. - V. 101. - P. 104105.

34. Picinin, A. Theoretical and experimental investigations of polarization switching in ferroelectric materials / A. Picinin, M. H. Lente, J. A. Eiras,

J. P. Rino // Physical Review B. - 2004. - V. 69. - P. 064117.

35. Wu, A. Abnormal domain switching in Pb(Zr,Ti)O₃ thin film capacitors / A. Wu, P. M. Vilarinho, D. Wu, A. Gruverman // Applied Physics Letters. - 2008. - V. 93. - P. 262906.

36. Подгорный, Ю. В. Влияние толщины сегнетоэлектрических пленок ЦТС на свойства петель диэлектрического гистерезиса / Ю. В. Подгорный,

K. А. Воротилов, Д. С. Серегин, А. С. Сигов, В. В. Охапкин // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения / Материалы Международной научно - технической конференции «INTERMATIC - 2011», 14 - 17 ноября 2011 г., Москва. / Под ред. чл.- корр. РАН А. С. Сигова. - М.: МГТУ МИРЭА - ИРЭ РАН, 2011, часть 1. -

С. 59 - 62.

37. Podgorny, Yu. V. Effect of Sol-Gel PZT film thickness on the hysteresis properties / Yu. V. Podgorny, D. S. Seregin, A. S. Sigov, K. A. Vorotilov // Ferroelectrics. - 2012. - V. 439. - Issue 1. - P. 74 - 79.

38. Tagantsev, A. K. Interface-induced phenomena in polarization response of ferroelectric thin films / A. K. Tagantsev, G. Gerra // Journal of Applied Physics.

39. Gerra, G. Ferroelectricity in asymmetric metal-ferroelectricmetal

heterostructures: a combined first-principles-phenomenological approach / G. Gerra, A. K. Tagantsev, N. Setter // Physical Review Letters. - 2007. - V. 98. - P. 207601.

40. Vorotilov, K. A. Effect of annealing conditions on alkoxy derived PZT thin films. Microstructural and CV study / K. A. Vorotilov, M. I. Yanovskaya,

O. A. Dorokhova // Integrated Ferroelectrics. - 1993. - V. 3. - Issue 1. - P. 33 - 49.

41. Pintilie, L. Metal-ferroelectric-metal heterostructures with Schottky contacts. I. Influence of the ferroelectric properties / L. Pintilie, M. Alexe // Journal of Applied Physics. - 2005. - V. 98. - P. 124103.

42. Zubko, P. Electrical characterization of PbZr₀.₄Ti₀.₆O₃ capacitors / P. Zubko,

D. J. Jung, J. F. Scott // Journal of Applied Physics. - 2006. - V. 100. -

P. 114113.

43. Pintilie, L. Polarization reversal and capacitance-voltage characteristic of epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 layers / L. Pintilie, M. Lisca, M. Alexe // Applied Physics Letters. - 2005. - V. 86. - P. 192902.

44. Kundu, T. K. Temperature Dependence of Electrical Conduction in Pb(Zr,Ti)O₃ Thin Films / T. K. Kundu, J. Y.-M. Lee // Ferroelectrics. - 2005. - V. 328. - Issue 1. - P. 53 - 58.

45. Hu, H. Current-voltage characteristics of ultrafine-grained ferroelectric Pb(Zr, Ti)O3 thin films / H. Hu, S. B. Kurpanidhi // Journal of Materials Research. - 1994. - V. 9. - № 6. - P. 1484 - 1498.

46. Kundu, T. K. Thickness-dependent electrical properties of Pb(Zr, Ti)O₃thin film capacitors for memory device applications / T. K. Kundu, J. Y.-M. Lee // Journal of The Electrochemical Society. - 2000. - V. 147. - Issue 1. - P. 326 - 329.

47. Waser, R. Theory of conduction and breakdown in perovskite thin films / R. Waser, M. Klee // Integrated Ferroelectrics. - 1992. - V. 2. - Issue 1-4. - P. 23 - 40.

48.Stolichnov, I. Spaсe-charge influenced-injection model for conduction in Pb(ZrxTi1-x)O3 thin films / I. Stolichnov, A. Tagantsev // Journal of Applied Physics. - 1998. - V. 84. - № 6. - P. 3216 - 3225.

49. Подгорный, Ю. В. Исследование механизмов переноса заряда в тонких сегнетоэлектрических пленках / Ю. В. Подгорный, Д.С. Серегин, К. А. Воротилов // INTERMATIC-2010 / Материалы Международной

научно - технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 23 - 27 ноября 2010 г., Москва. ∕ Под ред. чл. - корр. РАН А. С. Сигова. - М.: Энергоатомиздат, 2010, часть 1. - С. 145 - 156.

50. Подгорный, Ю. В. Токи утечки в тонких сегнетоэлектрических пленках ∕ Ю. В. Подгорный, К. А. Воротилов, А. С. Сигов ∕∕ Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54. - Вып. 5. - С. 859 - 862.

51. Подгорный, Ю. В. Моделирование вольтамперных характеристик тонкопленочных сегнетоэлектрических структур с отрицательной проводимостью ∕ Ю. В. Подгорный, А. С. Вишневский, К. А. Воротилов ∕∕ Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения ∕ Материалы Международной научно - технической конференции «INTERMATIC - 2012», 3 - 7 декабря 2012 г., Москва. ∕ Под ред. академика РАН А. С. Сигова. - М.: МГТУ МИРЭА - ИРЭ РАН, 2012, часть 2. - С. 35 - 45.

52. Mihara, T. Electronic conduction characteristics of sol-gel ferroelectric Pb(Zr0.4Ti0.6)O3 thin-film capacitors: Part I ∕ T. Mihara, H. Watanabe ∕∕ Japanese Journal of Applied Physics. - 1995. - V. 34. - Part 1. - № 10. - P. 5664 - 5673.

53. Alkoy, E. M. Electrical properties and leakage current behavior of un-doped and Ti-doped lead zirconate thin films synthesized by sol-gel method ∕

E. M. Alkoy, T. Shiosaki ∕∕ Thin Solid Films. - 2008. - V. 516. - P. 4002 - 4010.

54. Waser, R. DC electrical degradation of perovskite-type titanates: I - III ∕ R. Waser, T. Baiatu, K.-H. Hardtl ∕∕ Journal of the American Ceramic Society. - 1990. - V. 73. - № 6. - P. 1645 - 1673.

55. Al-Shareef, H. N. Leakage and reliability characteristics of lead zirconate titanate thin-film capacitors ∕ H. N. Al-Shareef, D. Dimos ∕∕ Journal of the American Ceramic Society. - 1997. - V. 80. - № 12. - P. 3127 - 3132.

56. Minford, W. J. Accelerated life testing and reliability of high K multilayer ceramic capacitors / W. J. Minford // IEEE Transactions on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology. - 1982. - V. 5. - № 3. - P. 297 - 300.

57. Dimos, D. Integrated decoupling capacitors using Pb(Zr,Ti)O3 / D. Dimos,

S. J. Lockwood, T. J. Garino, H. N. Al-Shareef, R. W. Schwartz // Materials Research Society Symposium Proceedings, Ferroelectric Thin Films V, Pittsburgh. - 1996. - V. 433. - P. 305 - 316.

58. Chen, H. M. Leakage current characteristics of Lead-Zirconate-Titanate thin film capacitors / H. M. Chen, S. W. Tsaur, J. Y.-M. Lee // Japanese Journal of Applied Physics. - 1998. - V. 37. - Part 1. - № 7. - P. 4056 - 4060.

59.Scott, J. F. Ferroelectric Memories / J. F. Scott. - Berlin Heidelberg: Springer­Verlag, 2000. - 248 p.

60. Raymond, M. V. Defects and charge transport in perovskite ferroelectrics / M. V. Raymond, Smyth D. M. // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 1996. - V. 57. - № 10. - P. 1507 - 1511.

61. Aggarwal, S. Point defect chemistry of metal oxide heterostructures / S. Aggarwal, R. Ramesh // Annual Review of Materials Science. - 1998. - V. 28. - P. 463 - 499.

62. Pronin, I. P. Self-Polarization and Migratory Polarization in Thin-Film Ferroelectric Capacitor / I. P. Pronin, E. Y. Kaptelov, E. A. Tarakanov,

L. M. Sorokin, V. P. Afanasjev, A. V. Pankrashkin // Integrated Ferroelectrics. - 2002. - V. 49. - Issue 1. - P. 285 - 294.

63. Pintilie, L. Ferroelectric Schottky diode behavior from a SrRuO₃- Pb(Zr0.2Ti0.8)O3-Ta structure / L. Pintilie, V. Stancu, L. Trupina, I. Pintilie // Physical Review B. - 2010. - V. 82. - P. 085319.

64. Ярмаркин, В. К. Барьерные фотовольтаические эффекты в

сегнетоэлектрических тонких пленках PZT / В. К. Ярмаркин, Б. М. Гольцман, М. М. Казанов, В. В. Леманов // Физика твердого тела. - 2000. - Т. 42. - Вып. 3. - C. 511 - 516.

65. Dawber, M. Calculation of schottky barrier height of platinum∕lead zirconate titanate interface ∕ M. Dawber, J. F. Scott ∕∕ Integrated Ferroelectrics. - 2001. - V. 38. - Issue 1 - 4. - P. 161 - 169.

66. Cowley, A. M. Surface states and barrier height of metal-semiconductor systems ∕ A. M. Cowley, S. M. Sze ∕∕ Journal of Applied Physics. - 1965. - V. 36. - № 10. - P. 3212 - 3220.

67. Robertson, J. Schottky barrier heights of tantalum oxide, barium strontium titanate, lead titanate, and strontium bismuth tantalite ∕ J. Robertson, C. W. Chen ∕∕ Applied Physics Letters. - 1999. - V. 74. - № 8. - P. 1168 - 1170.

68.Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices ∕ S. M. Sze, K. K. Ng. - 3rd Edition. - New Jersey: John Wiley & Sons, 2007. - 815 p.

69. Rhoderick, E. H. Metal-Semiconductor Contacts ∕ E. H. Rhoderick, R. H. Williams. - 2nd Edition. - New York: Oxford University Press, 1988. - 252 p.

70. Tagantsev, A. K. Effect of ferroelectric polarization on current response of PZT thin films ∕ A. K. Tagantsev, A. L. Kholkin, E. L. Colla, K. G. Brooks, N. Setter ∕∕ Integrated Ferroelectrics. - 1995. - V. 10. - Issue 1 - 4. - P. 189 - 204.

71. Ярмаркин, В. К. О влиянии спонтанной поляризации на высоту барьера Шоттки на контакте металл-сегнетоэлектрик ∕ В. К. Ярмаркин, С. Г. Шульман, В. В. Леманов ∕∕ Физика твердого тела. - 2013. - Т. 55. - Вып. 3. - С. 496 - 499.

72. Choi, T. Switchable ferroelectric diode and photovoltaic effect in BiFeO3 ∕

T. Choi, S. Lee, Y. J. Choi, V. Kiriuchin, S.-W. Cheong ∕∕ Science. - 2009. - V. 324. - P. 63 - 66.

73. Murakami, T. The electrical conduction of metal-to-reduced BaTiO₃ single cristal contacts ∕ T. Murakami ∕∕ Journal of the Physical Society of Japan. - 1968. - V. 24. - № 2. - P. 282 - 290.

74. Barrett, N. Influence of the ferroelectric polarization on the electronic structure of BaTiO₃ thin films ∕ N. Barrett, J. Rault, I. Krug, B. Vilquin, G. Niu,

B. Gautier, D. Albertini, P. Lecoeur, O. Renault // Surface and Interface Analysis. - 2010. - V. 42. - P. 1690 - 1694.

75. Li, D. Direct in situ determination of the polarization dependence of physisorption on ferroelectric surfaces / D. Li, M. H. Zhao, J. Garra, A. M. Kolpak, A. M. Rappe, D. A. Bonnell, J. M. Vohs // Nature Materials. - 2008. - V. 7. - P. 473 - 477.

76. Pintilie, L. Ferroelectric polarization-leakage current relation in high quality epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 films / L. Pintilie, I. Vrejoiu, D. Hesse, G. LeRhun,

M. Alexe // Physical Review B. - 2007. - V. 75. - P. 104103.

77. Tinte, S. Anomalous enhancement of tetragonality in PbTiO₃ induced by negative pressure / S. Tinte, K. M. Rabe, D. Vanderbilt // Physical Review B. - 2003. - V. 68. - P. 144105.

78. Juan, T. P.-С. Temperature dependence of the current conduction mechanisms in ferroelectric Pb(Zr₀.₅₃,Ti₀.₄₇)O₃ thin films / T. P.-С. Juan, S.-M. Chen, J. Y.- M. Lee // Journal of Applied Physics. - 2004. - V. 95. - № 6. - P. 3120 - 3125.

79. Гущина, Е. В. Микроскопия сопротивления растекания

поликристаллических и монокристаллических сегнетоэлектрических пленок / Е. В. Гущина, А. В. Анкудинов, Л. А. Делимова, В. С. Юферев, И. В. Грехов // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54. - Вып. 5. - С. 944 - 946.

80. Петров, А. А. Гетерофазные границы в поликристаллических пленках селенида и цирконата-титаната свинца, а также структурах на их основе: автореф. дис. на соискание ученой степени д-ра. физ.- мат. наук: 01.04.10 / Петров Анатолий Арсеньевич. - СПб., 2008. - 34 с.

81. Пронин, И. П. Особенности кристаллизации поликристаллических тонких пленок PZT, сформированных на подложке Si/SiO2/Pt / И. П. Пронин, Е. Ю. Каптелов, С. В. Сенкевич, В. А. Климов, Н. В. Зайцева, Т. А. Шаплыгина, В. П. Пронин, С. А. Кукушкин // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52. - Вып. 1. - C. 124 - 128.

82. Кукушкин, С. А. Механизм фазового превращения пирохлорной фазы в перовскитовую в пленках цирконата-титаната свинца на кремниевых подложках ∕ С. А. Кукушкин, И. Ю. Тентилова, И. П. Пронин ∕∕ Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54. - Вып. 3. - C. 571 - 575.

83. Тентилова, И. Ю. Особенности процесса кристаллизации тонких сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца ∕ И. Ю. Тентилова, С. А. Кукушкин, Е. Ю. Каптелов, И. П. Пронин, В. Л. Уголков ∕∕ Письма в Журнал технической физики. - 2011. - Т. 37. - Вып. 4. - C. 37

- 43.

84. Klee, M. Structure-property relations in polycrystalline titanate thin films ∕ M. Klee, A. de Vierman, D. J. Naylor, P. K. Larsen ∕∕ Integrated Ferroelectrics.

- 1994. - V. 4. - Issue 3. - P. 197 - 206.

85.Song, Z.-T. A study on abnormal electric properties of lead lanthanum titanate thin films caused by excess PbO ∕ Z.-T. Song, W. Ren, L.-Y. Zhang, X. Yao, Ch. Lin ∕∕ Thin Solid Films. - 1999. - V. 353. - P. 25 - 28.

86. Watamori, M. Ion beam analysis of PZT thin films ∕ M. Watamori, M. Isono, H. Madono, Y. Kawano, K. Sasabe, T. Horao, K. Oura ∕∕ Applied Surface Science. - 1999. - V. 142. - P. 422 - 427.

87. Пронин, В. П. Аномальные потери свинца в тонких пленках PZT в процессе кристаллизации фазы перовскита ∕ В. П. Пронин, С. В. Сенкевич, Е. Ю. Каптелов, И. П. Пронин ∕∕ Физика твердого тела. - 2013. - Т. 55. - Вып. 1. - C. 92 - 94.

88. Сенкевич, С. В. Влияние оксида свинца на диэлектрические характеристики гетерогенных пленок Pb(Zr,Ti)O₃+ PbO, полученных двухстадийным способом ∕ С. В. Сенкевич, И. П. Пронин, Е. Ю. Каптелов, О. Н. Сергеева, Н. А. Ильин, В. П. Пронин ∕∕ Письма в Журнал технической физики. - 2013. - Т. 39. - Вып. 8. - С. 86 - 94.

89. Родерик, Э. Х. Контакты металл-полупроводник ∕ Э. Х. Родерик. - Пер. с англ7 Под ред. Г. В. Степанова. - М.: Радио и связь, 1982. - 208 с.

90. Goodman, A. M. Metal-semiconductor barrier height measurement by the differential capacitance method - one carrier system / A. M. Goodman // Journal of Applied Physics. - 1963. - V. 34. - № 2. - P. 329 - 338.

91. Khanna, S. Electrical characterization of Chromium/4H-SiC Schottky barrier diodes / S Khanna, A. Noor, S. Neeleshwar, M. S. Tyagi // International Journal of Engineering Science and Technology. - 2010. - V. 2. - Issue 3. - P. 220 - 226.

92. Ковалюк, З. Д. Механизмы токопереноса и фоточувствительность диодов Шоттки Zn/CuInSe₂/ З. Д. Ковалюк, О. Н. Сидор, В. В. Нетяга // Письма в Журнал технической физики. - 2006. - Т. 32. - Вып. 10. - C. 88 - 94.

93.Stolichnov, I. Control of leakage conduction of high-fatigue-endurance film ferroelectric capacitors with electrodes / I. Stolichnov, A. Tagantsev, N. Setter, J. S. Cross, M. Tsukuda // Applied Physics Letters. - 1999. - V. 75. - P. 1790 - 1792.

94.Scott, J. F. Device models for PZT/Pt, BST/Pt, SBT/Pt, and SBT/Bi ferroelectric memories / J. F. Scott, K. Watanabe, A. J. Hartmann, R. N. Lamb // Ferroelectrics. - 1999. - V. 225. - Issue 1. - P. 83 - 90.

95. Jonscher, A. K. Universal relaxation law. / A. K. Jonscher. - London: Chelsea Dielectric Press, 1996. - 380 p.

96. Тареев, Б. М. Физика диэлектрических материалов / Б. М. Тареев. - М.: Энергоиздат, 1982. - 320 с.

97. Бонч-Бруевич, В. Л. Физика полупроводников / В. Л. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. - М.: Наука, 1990. - 672 c.

98. Фистуль, В. И. Введение в физику полупроводников / В. И. Фистуль. - М.: Высшая школа, 1984. - 352 c.

99. Nashimoto, K. Preparation and Characterization of Sol-Gel Derived Epitaxial and Oriented Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 Thin Films / K. Nashimoto, S. Nakamura // Japanese Journal of Applied Physics. - 1994. - V. 33. - Part 1. - № 9B. - P. 5147 - 5150.

100. Пронин, И. П. Оптический контроль однофазности тонких

поликристаллических сегнетоэлектрических пленок со структурой перовскита ∕ И. П. Пронин, Н. В. Зайцева, Е. Ю. Каптелов, В. П. Афанасьев ∕∕ Известия РАН. Серия физическая. - 1997. - Т. 61. - Вып. 2. - C. 379 - 382.

101. Pintilie, L. Short-circuit photocurrent in epitaxial lead zirconate-titanate thin films ∕ L. Pintilie, I. Vrejoiu, G. Le Rhun, M. Alexe ∕∕ Journal of Applied Physics. - 2007. - V. 101. - P. 064109.

102. Децик, В. Н. Кинетика начальной стадии фазового перехода первого рода в тонких пленках ∕ В. Н. Децик, Е. Ю. Каптелов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, И. П. Пронин ∕∕ Физика твердого тела. - 1997. - Т. 39. - Вып. 1. - С. 121 - 126.

103. Kwok, C. K. Formation kinetics of PbZr_xTi_1-xO₃ thin films ∕ C. K. Kwok, S. B. Desu ∕∕ Journal of Materials Research. - 1994. - V. 9. - № 7. - P. 1728 - 1733.

104. Preston, K. D. Microstructural investigation of acetate-derived PLZT films ∕

K. D. Preston, G. H. Haertling ∕∕ Integrated Ferroelectrics. - 1992. - V. 1. - Issue 1. - P. 89 - 98.

105. Klee, M. Processing and electrical properties of Pb (Zr_x Ti_1-x )O₃(x = 0.2 - 0.75) films: Comparison of metallo-organic decomposition and sol-gel processes ∕ M. Klee, R. Eusemann, R. Waser, W. Brand, H. van Hal. ∕∕ Journal of Applied Physics. - 1992. - V. 72. - Issue 4. - P. 1566 - 1576.

106. Сергеева, О. Н. Пироэлектрические свойства тонких пленок цирконата титаната свинца, сформированных на подложках из ситалла, кремния и стали: дис. на соискание ученой степени канд. физ.- мат. наук: 01.04.07 ∕ Сергеева Ольга Николаевна. - Тверь, 2006. - 138 с.

107. Солнышкин, А. В. Пироэлектрический и фотовольтаический эффекты в неоднородных сегнетоэлектрических структурах: дис. на соискание ученой степени д-ра. физ.- мат. наук: 01.04.07 ∕ Солнышкин Александр Валентинович. - Тверь, 2012. - 338 с.

108. Пронин, И. П. Аномальное поведение диэлектрических и пироэлектрических свойств тонких пленок PZT с ростом температуры отжига / И. П. Пронин, С. В. Сенкевич, Е. Ю. Каптелов, О. Н. Сергеева, А. В. Солнышкин, А. А. Богомолов, В. П. Пронин // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения / Материалы Международной научно - технической конференции «INTERMATIC - 2012», 3-7 декабря 2012 г., Москва. / Под ред. академика РАН А. С. Сигова. - М.: МГТУ МИРЭА - ИРЭ РАН, 2012, часть 1. - С. 49 - 53.