Выращивание методом Чохральского

Образцы кристаллов выращивались на модернизированной ростовой установке Редмет-10М с ручной регулировкой параметров роста, представленной на рисунке 2.1. Рабочий вакуум в камере составлял (4...9)∙10 ⁴ мм.рт.ст.

Рисунок 2.1 - Установка Редмет IOM для роста кристаллов германия методом

Чохральского

Сырье для получения монокристаллов - германий поликристаллический зонноочищенный марки ГПЗ по ГОСТ 48-293-85 и по ТУ 48-4-546-90. Его удельное электрическое сопротивление при комнатной температуре (22 ⁰C) составляет 47 Ом-см и более. Концентрация электроактивных примесей в германии ГПЗ - (3...12)∙10^l1cm^³при подвижности носителей заряда (3...4)-1O⁴ cm²Bc.Перед загрузкой в тигель германий подвергался химическому

травлению - кипячению в смеси раствора соляной кислоты и перекиси водорода в кварцевых тиглях, что способствует очистке от загрязнений и оксидной пленки. Протравленный германий промывался в деионизированной воде и высушивался, сушится. Оснастка подготтавилвалась путём отжига в вакууме не ниже IO'³мм.рт.ст. в течение 2...5 часов при температуре -1200"C. Отжиг производится для удаления влаги из графитовых тиглей, приводящей к шлаковым загрязнениям и окислению расплава. Затравочные кристаллы изготавливались из монокристаллов германия с кристаллографической ориентацией , , и плотностью дислокаций не более (1...IO⁵) см'². Угол отклонения продольной оси затравочного кристалла от заданного кристаллографического направления составляет не более 30"(в ряде случаев допускается разориентация до 4°). Атмосфера выращивания - вакуум; графитовая оснастка состоит из тигля, верхних, боковых и донных экранов и нагревателя сопротивления.

2.1.1.1