Обращенные диоды

Обращенными называют полупроводниковые диоды, в которых вследствие туннельного эффекта проводимость при обратном напряжении значительно больше, чем при прямом.

Электронно-дырочные переходы обращенных диодов образуются полупроводниками с такой концентрацией примесей, что выполняется условие Wфn = Wдн n и Wфp = Wвp.

Рис. 3.31. Вольт-амперная характеристика обращенного диода

Поскольку у этих диодов прямой ток меньше обратного, они названы обращенными. Условное графическое изображение обращенного диода показано на рис. 3.32. Третьим элементом обозначения этих диодов является цифра 4.

Рис. 3.32. Условное графическое изображение обращенного диода

Малая инерционность, связанная с туннельным прохождение тока, и большая кривизна характеристики обусловливают целесообразность использования обращенных диодов в детекторах и смесителях диапазонов СВЧ, в качестве переключательных и др.