СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение

1. Блистанов, А. А. Кристаллы квантовой и нелинейной оптики / А. А. Блистанов. -M.: МИСИС, 2000. - 432 с.

2. Claeys₅С. Extended Defects in Germanium. Fundamental and Technological Aspects ∕ C.Claeys₅ E.Simoen.

3. Bosi₅ M. Germanium: Epitaxy and its Applications ∕ M.Bosi₅ G.Attolini ∕∕ Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials. -2010. -V.56. - P. 146-174.

4. Dhanaraj₅ G., Byrappa₅ K.₅ Prasad₅ V.₅ Dudley, M. Springer Handbook of Crystal Growth. - Springer Science & Business Media, 2010. -1818 p.

5. Теория и практика современной акустооптики / В.Я.Молчанов, Ю.И.Китаев, А.И. Колесников, В.И. Нервер, А.З. Розенштейн, Н.П. Солодовников, К.Г. Шаповаленко. -М.:МИСИС, 2015. - 459 с.

Глава 1

6. Колесников, А.И. Ослабление света монокристаллами парателлурита /

А.И.Колесников, А.В.Шелопаев, И.А.Каплунов, И.В.Талызин, Е.Ю.Воронцова // Изв. ВУЗов. Материалы электронной техники. -2009. -№ 4. - С. 27-30.

7. Залетов, А.Б. Рассеивающие включения в кристаллах парателлурита / А.Б. Залетов, А.В. Шелопаев, М.А. Архипова, И.А. Каплунов, А.И. Колесников, С.А. Третьяков // Вестник ТвГУ. Серия "Физика". -2009. - Вып. 5. - № 24. - С. 4-8.

8. Каплунов, И.А. Влияние характеристик германия на рассеяние ИК излучения / И.А. Каплунов, А.И. Колесников // Поверхность. -2002. -№ 2. - С.14-19.

9. Мильвидский М.Г. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников / М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. -M.: Металлургия, 1984.-384 С.

10. Смирнов, Ю.М. Распределение дислокаций в монокристаллах германия / Ю.М. Смирнов // Изв.АН СССР. Сер.физическая. -1972. -T.XXXVI. -Вып.З.- С.534-536.

11. Смирнов, Ю.М. Образование дислокаций в бездислокационном германии / Ю.М.

12. Каплунов, И.А. Структурные дефекты в монокристаллах германия / И.А. Каплунов, А.В. Шелопаев, А.И. Колесников И Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2010. - № 12. - С. 22-25.

13. Тиман, Б.Л. Кинетические зависимости при росте кристаллов способом Чохральского / Б.Л. Тиман, О.Д.Колотий И Кристаллография. -1970. - Т.24.-Вып.1. С. 192-194.

14. Смирнов, В.А Анализ распределения скоростей, температур и концентрации реагирующей примеси в расплаве при выращивании монокристаллов по Чохральскому / В.А. Смирнов, И.В. Старшинова, И.В. Фразинов. В кн.: Рост кристаллов. М: Наука, -1983. -Т.14. - С. 124-135.

15. Светухин, В.В. Кинетика и термодинамика комплексообразования и кластеризации дефектов в кремнии и германии: дис. д.ф.-м.н.: 01.04.10 /Светухин Владимир Владимирович. - Ульяновск, - 2003. - 358 с.

16. Жернов, А.П. Кинетические коэффициенты в кристаллах с изотопическим беспорядком / А. П. Жернов, А.И. Инюшкин // Успехи физических наук. -2002. -172.5. - С. 573-599.

17. Червоный, И.Ф. Эффект ускоренной кристаллизации кремния и германия / И.Ф. Червоный // Технологический аудит и резервы производства. - 2014.-№ 1(3).-С. 46-48.

18. Кашкаров, П.К. Образование точечных дефектов в полупроводниковых кристаллах / П.К. Кашкаров И Соросовский образовательный журнал. - 1999- № 1.-С.105-112.

19. Асабина, Е.А. Дефекты в твердых телах и их влияние на свойства функциональных материалов / Е.А. Асабина // Электронное учебно­методическое пособие. Нижний Новгород:Нижегородский университет. - 2012. -65 с.

20. Бюрен, Ван. Дефекты в кристаллах [Текст] : пер. с англ. / В. Бюрен. - М. : Изд-во иностранной лит-ры, 1962. - 584 с.

21. Дамаск А.Точечные дефекты в металлах [Текст] : пер. с англ. / А. Дамаск, Динс Дж. - M.: Мир, 1966. -292 с.

22. Хирт Дж. Теория дислокаций [Текст] : пер. с англ. / Дж. Хирт, И. Лоте. -M.: Атомиздат, 1972. -600с.

23. Келли А. Кристаллография и дефекты в кристаллах [Текст] : пер. с англ. / А. Келли, Г. Гровс. - M.: Мир, 1974. -496с.

24. Стоунхэм А.М. Теория дефектов в твердых телах [Текст] : пер. с англ. /

А. М. Стоунхэм. -M.: Мир, 1978. -Т.1-2, -575+360c.

25. Современная кристаллография / под ред. Б. К. Вайнштейна. -M.: Наука, 1979. -Т.2. -360с.

26. Орлов А.Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах / А.Н. Орлов. - M.: Высшая школа, 1983. -144с.

27. Колесников, А.И. Акустооптика: Учеб, пособие / А.И. Колесников, В.Я. Молчанов, И.А. Каплунов, С.Е. Ильяшенко. -Тверь: Твер.гос.ун-т, 2011. - 112 с.

28. Янски, И. О плотности дислокаций и затухания ультразвука в парателлурите / И. Янски, А. Петер, А. Мечеки и др. // Кристаллография. -1982. - Т.26.-Вып. 1.-С.152-155.

29. Мозжерин, А.В. Оценка критического радиуса дислокационных петель в кремнии и германии с учетом энергии дефекта упаковки / А.В. Мозжерин // Фуедаментальные исследования. - 2012. - №11. - С.700-704.

30. Смирнов, Ю.М. Концепция особой сингулярной грани (на примере парателлурита) / Ю.М. Смирнов, А.И. Колесников // Физика кристаллизации. - Тверь. -1994.-С.82-85.

31. Смирнов, Ю.М. Выращивание высокочистых крупногабаритных монокристаллов / Ю.М. Смирнов, А.И. Колесников, И.А. Каплунов, Г.Е. Родионова // Высокочистые вещества. M., АН СССР. -1990. - С.213-216.

32. Хартман, П.В. Зависимость морфологии кристалла от кристаллической структуры / П.В. Хартман // Рост кристаллов. M.: Наука, 1967. -Т.7. - С. 8-24.

33. Ормонт, Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников / Б.Ф. Ормонт. -M.: Высшая школа, 1982. -528 с.

34. Смирнов, Б.И. Дислокационная структура и упрочнение кристаллов / Б.И. Смирнов. -JI.: Наука, 1981. - 235 с.

35. Владимиров, В.И. Дислокации в кристаллах / В.И. Владимиров, А.Е. Романов. -M.: Наука, 1986. - 223 с.

36. Вахрамеев, С.С. Анализ полей температур и термоупругих напряжений в процессах выращивания монокристаллов из расплава / С.С. Вахрамеев, М.Г.

37. Мильвидский, М.Г. Изучение формирования дислокационной структуры монокристаллов полупроводников при выращивании из расплава: проблемы и перспективы / М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский, С.С. Шифрин. Рост полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука, 1984. -

4.1. -С. 90-104.

38. Инденбом, В.Л. Разделение вклада различных эффектов, определяющих величину и распределение напряжений в кристаллах, выращиваемых из расплава / В.Л. Инденбом, В.Н. Каганер, А.Г. Фролов // Изв.АН СССР. Сер.физическая. -1983. -Т.47. -№ 2. - С.254-260.

39. Инденбом, В.Л. Напряжения и дислокации при росте кристаллов /

В.Л. Инденбом // Изв.АН СССР. Сер.физическая. -1973. -Т.37. -№ 11. -С.2258- 2267.

40. Инденбом, В.Л. Теоретические и экспериментальные исследования возникновения напряжений и дислокаций при росте кристаллов / В.Л. Инденбом, В.Б. Освенский // Рост кристаллов. М: Наука, 1980. -Т.13. - С.240- 251.

41. Dew-Hughes, D. Dislocations and Plastic Flow in Germanium ∕ D. Dew- Hughes ∕∕ JBM Journal. Okt. -1961. -P.279-286.

42. Смирнов, Ю.М. Влияние кривизны фронта кристаллизации на плотность дислокаций в монокристаллах германия / Ю.М. Смирнов, В.Н. Романенко // Изв.АН СССР Неорганические материалы. -1973. -Т.9. -№ 12. -

С.2220-2221.

43. Смирнов, Ю.М. Выращивание бездислокационных монокристаллов германия / Ю.М. Смирнов И Цветные металлы. -1977. -№ 5. -С.48-49.

44. Смирнов, Ю.М. Симметрийно-термодинамический подход к анализу дислокационного течения при росте кристаллов / Ю.М. Смирнов, И.А. Каплунов, А.Б. Долматов И Физика кристаллизации. Тверь: ТвГУ. - 2002. - С.129-131.

45. Смирнов Ю.М. Внутренняя морфология кристаллов / Ю.М. Смирнов // Физика кристаллизации. Калинин: КГУ. -1982. - С. 63-66.

46. Смирнов, Ю.М. Актуальные проблемы кристаллографии. Учебное пособие / Ю.М. Смирнов. -Тверь: ТвГУ, 1998.

47. Смирнов, Ю.М. Связь переохлаждения расплава с плотностью дислокаций в монокристаллах германия и парателлурита / Ю.М. Смирнов // Физика кристализации. Калинин.: КГУ. -1983. - С. 146-149.

48. Смирнов, Ю.М. Выращивание крупногабаритных монокристаллов германия / Ю.М. Смирнов, И.А. Каплунов // Минералогическая кристаллография, кристаллогенезис, кристаллосинтез. Сыктывкар: УрО АН СССР.-1990.-С. 102.

49. Smimov, Yu.M. Growth of Germanium Single Crystals for Infrared Optics ∕ Yu.M. Smirnov, I.A. Kaplunov, AT. Kolesnikov ∕∕ Thesis of Second International

workshop "Nucleation and Non-linear Problems in First-Orded Phase Transitions". Institute OfMechanical Engineering Problems. St.Peterburg. -2002. - P. 113-114.

50. Каплунов, И.А. Монокристаллы германия для инфракрасной техники: выращивание, дефекты структуры и оптические характеристики / И.А. Каплунов, Ю.М. Смирнов, А.Б. Долматов, А.И. Колесников И Перспективные материалы. -2003. -№ 4. - С.35-41.

51. Смирнов, Ю.М. Монокристаллы германия для инфракрасной техники / Ю.М. Смирнов, И.А Каплунов // Материаловедение. - 2004. - №5. - С.48-52.

52. Зейналов, Д.А. О взаимосвязи гидродинамической устойчивости расплава и радиальной примесной неоднородности в кристаллах. / Д.А. Зейналов, И.В. Старшинова, Л.Н. Титюник, М.А. Филиппов. Математическое моделирование. Получение монокристаллов и полупроводниковых структур. M.: Наука, 1986. -С. 59-66.

53. Каплунов, И.А. Внутренние напряжения и дислокационная структура крупногабаритных монокристаллов германия для инфракрасной оптики / И.А. Каплунов // Оптический журнал. -2006. - Т.73.-№ 2. - С.85-91.

54. Каплунов, И.А. Малоугловые границы в германии / И.А. Каплунов,

А.И. Колесников // Тезисы докладов X национальной конференции по росту кристаллов. M.: ИК РАН, 2002. - С. 90.

55. Каплунов, И.А. Внутренние напряжения и дислокационная структура монокристаллов германия / И.А. Каплунов // Неорганические материалы. - 2006. -Т.42. -№ 6.

56. Хейман, Р.Б. Растворение кристаллов / Р.Б. Хейман. -JI.: Недра, 1979. - 272с.

57. Амелинкс, С. Методы прямого наблюдения дислокаций / С. Амелинкс. -M.: Мир, 1968.-440с.

58. Сангвал, Л. Травление кристаллов. Теория, эксперимент, применение / Л. Сангвал. М.:Мир, 1990. - 492с.

59. Родес, Р.С. Несовершенства и активные центры в полупроводниках / Р.С. Родес. M.: Металлургия, 1968. - 371с.

60. Calzecchi, F. Preparation and analysis of germanium slices having prevalence of either screw or edge dislocations ∕ F. Calzecchi ∕∕ II Nuovo Cimento B Series 10. -1967. -V.50. -Issue 2. - P.263-276.

61. Honess A.P. The Nature, Origin and Interpretation of the Etch Figures on Crystals ∕ A. P. Honess. - New York, 1927.

62. Пшеничное, Ю.П. Выявление тонкой структуры кристаллов / Ю.П. Пшеничное. -M.: Металлурги, 1974. - С.528.

63. Василевская, В.П. / В.П. Василевская, Е.Г. Миселюк // ФТТ. -1961. - Т.З. -№2. -С.429-435.

64. Wang P. Surface state on germanium// Sylvania Tech. 1958. V.II. P.50

65. Маслов, B.H ∕ B.H. Маслов и др. // Кристаллография. -1964. - Т.9. - №14.-С.568-569.

66. Кокориш, Е.Ю. Рост кристаллов / Е.Ю. Кокориш , Э.В. Мякиненкова. -М.:Наука, 1961. - Т.З. - С.371-379.

67. Wang, G. Optical Methods in Orientation of High-Purity Germanium Crystal ∕ G. Wang, Y. Sun, Y. Guan, D. Mei, G.Yang, A.Alanson Chiller, and B. Grayet ∕∕ Journal of Crystallization Process and Technology. -2013. -V. 3. -No. 2. - P. 60-63.

68. Ellis, S.G. Dislocations in germanium ∕ S.G. Ellis ∕∕ Journal of Applied Physics. -1955. - V.26. - P. 1140-1146.

69. Кокориш, Е.Ю. Дислокации в полупроводниковых кристаллах / Е.Ю. Кокориш, Н.Н. Шефталъ // Успехи физических наук. - 1967. - Т.72. - Вып.З. - С.479 494.

70. Souriau, L. A Wet etching technique to reveal threading dislocations in thin germanium layers ∕ L. Souriau, V. Terziev, M. Meuris, and M. Caymax ∕∕ Solid State Phenom. - 2008. - 134. - P.83-86.

71. Fultz, B. Transmission electron microscopy and diffractometry of materials ∕

B. Fultz, & J. M. Howe. - Springer Science & Business Media. - 2012. P. 236.

72. Reimer, Ludwig Transmission electron microscopy: physics of image formation ∕ Ludwig Reimer, and Kohl Helmut. - Springer Science & Business Media, 2008.-Vol.36.-590p.

73. Williams, David B. The Transmission electron microscope ∕ David B. Williams, and Carter C. Barry ∕∕ Springer US. - 2009. - P.3-22.

74. Kumar, G. Preparation of unsupported metal organic and ceramic thin film specimens for TEM observation ∕ G. Kumar, L. Messing, C.A. Randall ∕∕ Journal of the American Ceramic Society. - 1993. - V.76(7). -P. 1882-1884.

75. Лучинин, B.B. Фокусированный ионный пучок как технология локального прецизионного травления / В.В. Лучинин, А.Ю. Савенко // Вакуумная техника и технология. -2008. - 18. -3. -С.191-195.

76. Герасименко, Н.Н. Метод сфокусированного ионного пучка при формировании наноразмерных структур в микрофлюидных чипах /Н.Н. Герасименко, А. А. Чамов, Н.А. Медетов // Письма в ЖТФ. - 2011. - 37(20). - С. 32-40.

77. Герасименко, Н.Н. Особенности формирования рельефа при травлении кремния фокусированным ионным пучком. / Н.Н. Герасименко, Н.А. Медетов, А.А. Чамов, В.А. Ханин // Письма в ЖТФ. - 36(21).- Р.38—45.

78. Yamaguchi, A. Transmission electron microscopy specimen preparation technique using focused ion beam fabrication: Application to GaAs metal­semiconductor field effect transistors ∕ A. Yamaguchi, M. Shibata, & T. Hashinaga ∕∕ Journal ofVacuum Science & Technology B. -1993. -11(6). -P.2016-2020.

79. Yamaguchi, A. Low-damage specimen preparation technique for transmission electron microscopy using iodine gas-assisted focused ion beam milling ∕ A.Yamaguchi, & T. Nishikawa ∕∕ Journal of Vacuum Science & Technology B. - 1995.-13(3).-P. 962-966.

80. Болховитинов, Ю.Б. Кремний-германиевые эпитаксиальные плёнки: физические основы получения напряжённых и полностью релаксированных гетероструктур / Ю.Б. Болховитинов, О.П. Пчеляков, С.И. Чикичев // УФН. - 2001.-Т.171.-С.659-715.

81. Bravman₅ J.C. The preparation of cross-section specimens for transmission electron microscopy ∕ J.C. Bravman₅ R. Sinclair ∕∕ Journal of Electron Microscopy Technique. - 1984. - 1(1). - P.53-6L

82. Overwijk₅ M. H. F. Novel scheme for the preparation of transmission electron microscopy specimens with a focused ion beam ∕ M. H. F. Overwijk₅ F. C. Van den Heuvel₅& C. W. T. Bulle-Lieuwma ∕∕ Journal of Vacuum Science & Technology. - 1993. - B. i∖(6). - P.2021-2024.

83. Strecker₅ A. Specimen preparation for transmission electron microscopy: reliable method for cross-sections and brittle materials ∕ A. Strecker₅ U. Salzberger₅ J. Mayer ∕∕ Prakt. Metall. - 1993. - 30. - P.482 495.

84. Kirk₅ E.C.G. Cross-sectional transmission electron microscopy of precisely selected regions from semiconductor devices ∕ E.C.G. Kirk₅ D.A. Williams, H. Ahmed ∕∕ Inst. Phys. Conf Ser. - 1989. - 100. - P.501-506.

85. Park, K. Cross-sectional TEM specimen preparation of semiconductor devices by focused ion beam etching ∕ K. Park ∕∕ Mater. Res. Soc. Proc. - 1990. -199. -P.271-280.

86. Rubanov, S. Investigation of the structure of damage layers in TEM samples prepared using a FIB ∕ S. Rubanov₅ P.R. Munroe ∕∕ J. Mater. Sci. Lett. -2001. - 20(13).-P.1181-1183.

87. Appleton₅ B.R. Characterisation of damage in ion implanted Ge ∕ B.R. Appleton₅ O.W. Holland, J. Narayan ∕∕ Appl. Phys. Lett. - 1982. - 41(8). - P.711- 712.

88. Holland, O. W. Ion implantation damage and annealing in germanium ∕ O. W. Holland, B.R. Appleton₅ J. Narayan ∕∕ J. Appl. Phys. - 1983.- 54(5). - P.2295-230L

89. Vasile₅ M.J. Micro fabrication techniques using focused ion beams and emergent applications ∕ M.J. Vasile₅ R. Nassar, J. Xie , H. Guo ∕∕ Micron. - 1999. - 30.-P.235-244.

90. Clavelier₅ L. Review of some critical aspects of Ge and GeOI substrates ∕ L. Clavelier₅ C. Le Royer, Y.Morand et.al. ∕∕ ECS Transactions. - 2006. - V. 3(7). - P. 789-805.

91. Надточий, В. А. Исследование наноструктур на поверхности монокристаллического Ge методом атомно-силовой микроскопии / В.А. Надточий, А.И. Уколов, С.А. Костенко и др. // Збірник наукових праць фізико- математичного факультета СДПУ. - 2012. - Выпуск 2. - С.94-99.

92. Гришечкин, М.Б., Исследование дефектов структуры в кристаллах CdZnTe методами инфракрасной и оптической микроскопии / М. Б. Гришечкин, И. А. Денисов , А. А. Силина и др. //Прикладная физика. - 2014. -№. 6. - С. 10.

93. Праве, Г.Г. О возможности прямых измерений термоупругих напряжений в несовершенных кристаллах, подвергнутых лазерному воздействию / Г.Г. Праве, В.С. Чудаков, Л.Г. Янусова // Кристаллография. - 1983. - Т. 28. - Вып. 5. - С.944-950.

94. Осипян, Ю.А. Электронные свойства дислокации в полупроводниках / Ю.А.Осипян. - OM.: Эдиториал УРСС, 2000. -320 с.

95. Шикин, В.Б. Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах / В.Б. Шикин, Ю.В. Шикина // УФИ. - 1995. - Т. 165. - № 8. - С.887-917.

96. Калинушкин, В.П. Исследование примесных дефектов в полупроводниках методом рассеяния лазерного излучения ИК-диапазона /

B. П.Калинушкин // Труды института общей физики. - 1986. -№4. - С.3-58.

97. Воронков, В.В. Рассеяние инфракрасного лазерного излучения - метод исследования локальных неоднородностей в чистых полупроводниках / В.В. Воронков, Г.И. Воронкова, Б.В. Зубови др. // ФТТ. - 1981. - Т.23. - №1. -

C. 117-126.

98. Voronkov, V.V. Application of elastic IR light scattering for investigation of large-scale electrically active defects in semiconductors ∕ V.V.Voronkov, S.E. Zabolotskiy, V.P. Kalinushkin et.al. ∕∕ Journal of Crystal Growth. - 1990. - 103(1). - P. 126-130.

99. Astafiev, O. V. A new optical technique for characterization of technological semiconductor wafers ∕ O. V. Astafiev, V. P. Kalinushkin, & V. A. Yuryev H Materials Science and Engineering: - 1995. - B. 34(2). - P. 124-131.

100. Astafiev, O. V. Mid-IR-Iaser microscopy as a tool for defect investigation in bulk semiconductors ∕ O.V. Astafiev, V.P. Kalinushkin, & V.A. Yuryev U arXiv preprintarXiv:1106.0751. -2011. -P.1-16.

101. Волошинов, В.Б. Отклонение монохроматического терагерцового излучения методами акустооптики / В.Б. Волошинов, П.А. Никитин, В.В. Герасимов, Б.А. Князев, Ю.Ю. Чопорова // Квантовая электроника. -2013.-43 (12).-С.1139-1142.

102. Магдич, Л.Н. Акустооптические устройства и их применение / Л.Н. Магдич, В.Я. Молчанов. - M.: Советское радио, 1978. -112с.

103. Наумов, А.В. Обзор мирового рынка германия / А.В. Наумов // Изв. вузов, материалы электронной техники. - 2003. - №4. - С.7-14.

104. Нашельский, А.Я. Технология полупроводниковых материалов / А.Я. Нашельский. -M.: Металлургия, 1987. - 336 с.

105. Истомина, Н. Мир лазеров и оптики. Обзор выставки "Фотоника- 20097 Н. Истомина И Фотоника. - 2009. - №3. - С. 38—40.

106. Каравашкина, К.А. Приближение геометрической оптики при расчете коэффициентов пропускания света шероховатыми поверхностями прозрачных материалов и его экспериментальная проверка / К.А. Каравашкина, Н.В. Айдинян, С.Ю. Козинов, Д.В. Хохлов, М.В. Гавалян, А.И. Колесников, К.Р. Гасымова, П.М. Бурак // Вестник ТвГУ. Серия «Физика». - 2013. - Выпуск 18,- С.62-69.

107. Каплунов, И.А. Исследование возможности лазерно-химической очистки металлических поверхностей / И.А. Каплунов, В.Е. Рогалин, С.А. Филин // Цветные металлы. - 2014. - № 7.- С.72-75.

108. Окатов, М.А. Справочник оптика-технолога / М.А. Окатов, Э.А. Антонов, А. Байгожин и др. под ред. М.А. Окатова. - СПб.: Политехника, 2004. - 679 с.

109. Тарасов, В.В. Инфракрасные системы 3-го поколения. / В.В. Тарасов, И.П. Торшина, Ю.Г. Якушенков. -M.: Логос, 2011. -242 с.

ПО. Воронкова, Е.М. Оптические материалы для инфракрасной оптики / Е.М. Воронкова, Б.Н. Гречушников, Г. И. Дистлер, И.П. Петров. -M.: Наука, 1965.-335 с.

111. Fox, A. Thermal Design for Germanium Acoustooptic Modulators ∕ A. Fox ∕∕ Applied Optics. - 1987. - V.26. - № 5. - P.872-884.

112. Fox, A. Acustooptic Figure of Merit for Single Crystal Gemtanium at 10,6 μm Wavelength ∕ A. Fox H Applied Optics. - 1985. - V.24. - № 14. - P.2040-2041.

113. Блистанов, A.A. Акустические кристаллы. Справочник ∕ А.А. Блистанов, В.С. Бондаренко, Н.В. Переломоваи др. -M.: Наука, 1982. -632с.

114. Виноградов, А.В. Рост и некоторые свойства монокристаллов TeO2 большого диаметра / А.В. Виноградов, В.А. Ломонов, Ю.А. Першин, Н.П. Сизова // Кристаллография. - 2004. - Т.49. -№ 2. - С.209-211.

115. Leciiejewicz, J. The Stracture of tellurium dioxide. A rederminaton by neutron difracton ∕ J. Leciiejewicz ∕∕ Zeitschrift fur Kristallographie. Bd. -1961. - V. 116.-P. 345-353.

116. Lindquist, O. Refinement of the structure of α-TeO₂ /O. Lindquist ∕∕ Acta chemica Scandinavica. - 1968. -V.22. - P. 977-982.

117. Смирнов, Ю.М. Новые применения акустооптических устройств предъявляют новые требования к монокристаллам парателлурита / Ю.М. Смирнов, В.Я. Молчанов, А.И. Колесников, И.А. Терентьев, В.Е. Ильин //Физика кристаллизации. Тверь: ТвГУ. - 2002. - С.9-17.

118. Magdich, L.N. Acoustooptic devices and their applications ∕ L.N. Magdich, V. Ya. Molchanov. - New York: Gordon and Breach Science Pub., 1989. - 238 p.

119. Kolesnikov, A.I. Optical parameters of paratellurite crystals ∕ A.I. Kolesnikov, LA. Kaplunov, S.E. Ilyashenko, V.Ya. Molchanov, R.M. Grechishkin, M.A. Arkhipova, S.A. Tretyakov ∕∕ Crystallography Reports. - 2012. - V.57 - №7. - P. 37-39.

120. Xu J. Acousto-Optic Devices: Principles, Design and Applications ∕J. Xu, R. Stroud. - New York: John Wiley and Sons, 1992. - P.40-42.

121. Goutzoulis, A.P. Design and Fabrication of Acousto-Optic Devices ∕ A.P. Goutzoulis, D.R. Pape. - New York: Marcel Dekker, 1994. - 497 p.

122. Molchanov, V.Ya. Adaptive optical delay lines for femtosecond laser pulses shaping ∕ V.Ya. Molchanov, S.I. Chizhikov, O.Yu. Makarov, N.P. Solodovnikov, V.N. Ginzburg, E.V. Katkin, E.A. Khazanov, V.V. Lozhkarev, I.V. Yakovlev ∕∕ Acta Physica Polonica. - 2009. - V. 116. - № 3. - P.335-358.

123. Molchanov, V.Ya. Interaction between femtosecond radiation and sound in a light dispersive delay lines using effect of strong elastic anisotropy ∕ V.Ya. Molchanov, S.I. Shizhikov, O. Yu. Makarov ∕∕ Journal of Physics: Conference Series. -2011.-V. 278.-P. 102-105.

124. Molchanov, V.Ya. Adaptive acousto-optic technique for femtosecond laser pulses shaping ∕ V.Ya. Molchanov, S.I. Chizhikov, O.Yu. Makarov, N.P. Solodovnikov, V.N. Ginzburg, E.V. Katin, E.A. Khazanov, V.V. Lozhkarev and I.V. Yakovlev∕∕ Appl. Optics. -2009. - V.48. -№7. -P.118-124.

125. Молчанов, В.Я. Двухкаскадная акустооптическая дисперсионная линия задержки для фемтосекундных лазеров / В.Я. Молчанов, С.И. Чижиков, К.Б. Юшков // Квантовая электроника. - 2011. - Т.41. - № 8. - С. 675-676.

126. Алферов, Ж.И. Тенденции и перспективы развития солнечной энергетики / Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.Д. Румянцев // ФТП. - 2004. - Т.38. - Вып.8. - С.937-948.

127. Андреев, В.М. Нанотехнологии для солнечной фотоэнергетики / В.М. Андреев // Альтернативная энергетика и экология. - 2007. - №2. - С. 1-10.

128. Колесников, А.И. Монокристаллы в оптике / А.И. Колесников // Физика кристаллизации. Калинин: КГУ. -1986. - С.69-76.

129. Лодиз, Р. Рост монокристаллов / Р. Лодиз, Р. Паркер. -M.: Мир, 1974. -540 с.

130. Wimscher, М. Crucible-free Pulling of Germanium Crystals ∕ M. Wimscher, A. Ltidge, H. Riemann ∕∕ Journal of Crystal Growth. - 2011. - Vol.318. - P. 1039-1042.

131. Clayes, C. Germanium Based Teclinologies: from Materials to Devices ∕

C. Clayes, E. Simoen. - Elsevier, 2007. - 476 p.

131. Clayes, C. Si versus Ge for Future Microelectronics ∕ C. Clayes, J. Mitard, G. Eneman, M. Meuris, Simoen E. ∕∕ Thin Solid Films. - 2010. - V.518. - P.2301- 2306.

133. Brunco, D.P. Germanium MOSFET Devices: Advances in Materials Understanding, Process Development, and Electrical Performance ∕ D.P. Brunco, B.De Jaeger, G. Eneman, J. Mitard, G. Hellings, A. Satta, and M. Heyns ∕∕ Journal of the Electrochemical Society. - 2008. - 155(7). - P.552-561.

134. Peter, Y.Yu. Fundamentals of Semiconductors: Physics and Materials Properties ∕ Y. Yu. Peter, Cardona Manuel. -Berlin [etc.]: Springer, 2009. -775 p.

135. Depuydt, B. Germanium: From the First Application of Czochralski Crystal Growth to Large Diameter Dislocation-free Wafers ∕ B. Depuydt, A. Theuwis, I. Romandic ∕∕ Materials Science in Semiconductor Processing. - 2006. - Vol.9. - Issues 4-5. -P.437-443.

136. Edmund, G. Seebauer. Charged Semiconductor Defects: Strucmre, Thermodynamics and Diffusion ∕ G. Seebauer Edmund, C. Kratzer Meredith. - Berlin [etc.]: Springer, 2008. -294 p.

137. Wang, G. Development of Large Size High Purity Germanium Crystal Growth ∕ G. Wang, Y. Sun, W. Xiang, et al. ∕∕ Journal of Crystal Growth. - 2012. - Vol.352.-P.27-30.

138. Конаков, Π.K. Тепло- и массообмен при получении монокристаллов / П.К. Конаков, Г.Е. Веревочкин, Л. А. Горяйнов и др. -M.: Металлургия, 1971. - 239 с.

139. Пат. US201001854 Al, СЗОВ 15/14. Method of Producing Single Crystal [Text] ∕ Sumco corp [JP]. №2009US-0458410; application number 10.07.2009; pub. date on: 28.01.2010.

140. ∏aτ. 5817171 A US, C30B 15/14. Apparatus and Method for Producing Single Crystal Using Czocliralski Teclmique [Text] ∕ Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. №655810; application number 31.05.1996; pub. date on: 06.10.1998.

141 Пат. CN101063227 (А), Китай, МПК C30B15∕30, С30В29/08, C30B15∕30, С30В29/08. Technique and Arrangement for Low Dislocations Germanium Monocrystal with Crucible Lowering Down Czochralski Method [Text] Su Xiaoping Feng (Китай); Beijing Nonferrous Metal (Китай). - №20071099557; application number 24.05.2007; pub. date on: 31.10.2007.

142. Taishi, T. Reduction of Grownin Dislocation Density in Ge Czochralski Grown from the B₂O₃ Partially-covered Melt ∕ T.Taishi, Y. Ohno, I. Yonenaga ∕∕ Journal OfCrystal Growth. - 2009. - Vol.31L - Issue 22. - P.4615-4618.

143. Taishi, T. Czochralskbgrowth of Germanium Crystals Containing High Concentrations of Oxygen Impurities ∕ T. Taishi, H. Ise, Yu. Murao et al.// Journal of Crystal Growth. - 2010. - Vol.312. - P.2783-2787.

144. Taishia, T. Improved Czochralski Growth of Germanium Single Crystals from a Melt Covered by Boron Oxide ∕ T. Taishia, I. Yonenagab, K. Hoshikawaa ∕∕ Acta Physica Polonica A. - 2013. - V. 124. - N.2. - P.231-234.]

145. Антонов, П.И. Получение профилированных монокристаллов и изделий способом Степанова / П.И. Антонов, Л.М. Затуловский, А.С. Костыгов и др. -JI.: Наука, 1981. - 280 с.

146. Богомаз, А.В. Тепловой узел ростовой камеры установки выращивания крупногабаритных кристаллов германия методом погружного вращающегося формообразователя /Богомаз А.В., Критская Т.В., Карпенко А.В./ А.В. Богомаз, Т.В. Критская, А.В. Карпенко // Металургія: наукові праці ЗДІА. -2010. -Вип.22. - С. 139-146.

147. Пат. 2381305 Российская Федерация, C30B13∕18, С30В13/28, C30B13∕10, C30B13∕34, С30В29/08. Способ выращивания монокристаллов германия диаметром до 150 мм методом ОТФ [ Текст] / Голышев В.Д., Цветовский В.Д, Быкова СВ. - № 2008119071/15; заявл. 15.05.2008. опубл. 10.02.2010.

148. Пат. 2330127 Российская Федерация, C30B13∕18, С30В13/28, С30В13/10. C30B13∕34, С30В29/08. Способ выращивания монокристаллов германия методом ОТФ [ Текст] / Быкова С.В., Голышев В.Д., Гоник М.А.,

Цветовский В.Д. - № 2006119535/15; заявл. 06.06.2006; опубл. 27.07.2008, Бюл. №21.

149. Пат. 357023 Российская Федерация, С30В11/00 (2006.01),

С30В13/18 (2006.01), С30В13/28. Способ управления процессом выращивания кристаллов из расплава [ Текст] / Гоник М.А. (RU), Гоник М.М. (RU), Кригер В.А. (DE),

Лобачев В.А. (RU), Цветовский В.Б. (RU). - № 2007141295/15; заявл. 07.11.2007(24); опубл. 27.05.2009.

150. Balikci, Е. Antimony-doped Germanium Single Crystals Grown from the Melt by the Axial Heat Processing (AHP) Technique ∕ E. Balikci, A. Deal, R. Abbaschian H Journal of Crystal Growth. - 2004. - Vol.262. - P.581-593.

151. ∏aτ. 2357021 Российская Федерация, C3OB11/00 (2006.01), C30B13∕18. Установка для выращивания монокристаллов методом осевого теплового потока вблизи фронта кристаллизации [ Текст] / Гоник М.А. (RU); патентообладатель ООО "Центр тепло физических исследований "ТЕРМО"(RU). - № 2007141499/15; заявл. 07.11.2007 (24); опубл. 27.05.2009.

152. Bellmann, М.Р. Optimisation of the VGF Growth Process by Inverse Modelling ∕ M.P. Bellmann₅O. Patzold₅ M. Stelter₅ H.J. Moller ∕∕ Journal of Crystal Growth. - 2010. - Vol.312. - P.2175-2178.

153 ∏aτ. 6866714 США, C30B11/00, C30B15∕00, C30B35∕00, C30B29∕42.

Large Size Semiconductor Crystal with Low Dislocation Density [Text] ∕ Tomohiro K. (JP), Katsushi H. (JP), Shinichi S. (JP), Masami T. (JP); Sumitomo Electric Industries, Ltd. (JP). - № 10/430027; application date: 05.05.2003; pub. date on: 15.03.2005. 154. ∏aτ. WO 2011/072278 A2. Germanium IngotsAvafers

Having Low Micropit Density (MPD) as well as Systems and Methods for ManiifacUiring Same [Text] ∕ Liu Weiguo, Li Xiao; application date: 13.12.2010; pub. date on: 16.06.2011.

155. Langheinrich₅ D. VGF Growth of Germanium Single Crystals without Crucible Contact ∕ D. Langheinrich₅ O. Patzold, L. Raabe, M. Stelter ∕∕ Journal of Crystal Growth. -2010. -Vol.312. - P.2291-2296.

156. Palosz, W. Detached Growth of Germanium by Directional Solidification I W. Palosz, M.P. Volz, S. Cobb et al. ∕∕ Journal of Crystal Growth. - 2005. - Vol.277.-P.124-132.

157. Volz, M.P. Existence and Shapes of Menisci in Detached Bridgman Growth ∕ M.P. Volz, K. Mazurak ∕∕ Journal of Crystal Growth. - 2011. - Vol.321. - P. 29-3 5.

158. Frank-Rotsch, Ch. Vertical Gradient Freeze of 4 inch Ge Crystals in a Heater-magnet Module ∕ Ch. Frank-Rotsch, P. Rudolph ∕∕ Journal of Crystal Growth. - 2009. - Vol.311. - P.2294-2299.

159. Wimscher, M. Crucible-free Pulling of Gemtanium Crystals ∕ M. Wimscher, A. Ltidge, H. Riemann ∕∕ Journal of Ciystal Growth. - 2011. - Vol.318. - P. 1039-1042.

160. Veber, P. Bridgman growth of paratellurite single crystals ∕ P. Veber, J. Mangin, P. Strimer, P. Delame, C. Josse, L. Saviot ∕∕ Journal of Crystal Growth. -

2004. -№270.-P.71-84.

161. Chu, Ya. Growth of the high quality and large size paratellurite single crystals ∕ Ya. Chu, Ya. Li, Z. Ge, G. Wu, H. Wang ∕∕ Journal of Crystal Growth. - 2006. -V.295. -P.158-161.

162. Kokli, A.E. Growth of TeO2 single crystals by the low temperature gradient Czochralski method with nonuniform heating ∕ A.E. Kokh, V.S. Shevchenko, V.A. Vlezko, K. A. Kokh ∕∕ Journal of Crystal Growth. - 2013. -№384. - P. 1—4.

Глава 2

163. Смирнов, Ю.М. Взаимодействие термических условий при росте монокристаллов германия с диаметрами до 600 мм / Ю.М. Смирнов, И.А. Каплунов// Физика кристаллизации. Тверь: ТвГУ. - 1994. - С.21.

164. Каплунов, И.А. Монокристаллы германия для инфракрасной техники: выращивание, дефекты структуры и оптические характеристики / И.А. Каплунов, Ю.М. Смирнов, А.Б. Долматов, А.И. Колесников HПерспективные материалы. - 2003.-№4.-С.35^41.

165. Clayes, C. Geιτnanium Based Technologies: from Materials to Devices I C. Clayes, E. Simoen. -Elsevier, 2007. - 476 p.

166. Claeys, C. Extended Defects in Germanium. Fundamental and Technological Aspects. I C. Claeys, E. Simoen. -Springer, 2009. - 300 p.

167. Peter, Y. Yu. Fundamentals of Semiconductors: Physics and Materials Properties ∕ Y.Yu Peter, Cardona Manuel. - Berlin [etc.]: Springer, 2009. - 775 p.

168. Depuydt, B. Gennanium: From the First Application of Czochralski Crystal Growth to Large Diameter Dislocation-free Wafers I B. Depuydt, A. Theuwis, I. Romandic ∕∕ Materials Science in Semiconductor Processing. - 2006. - Vol.9. - Issues 4-5. - P.437-443.

169. Edmund, G. Seebauer. Charged Semiconductor Defects: Structure, Thennodynamics and Diffusion ∕ G. Seebauer Edmund, C. Kratzer Meredith. - Berlin [etc.]: Springer, 2008. - 294 p.

170. Дифрактометр рентгеновский ДСО-2 для уточнения ориентации кристаллов. Руководство по эксплуатации. С.-Пб., - 2011. - 29 с.

171. Dash W. С. Growth and Perfection of Crystals. Ed. R. H. Doremus, Wiley. N. Y. 1958. -361 p.

172. NanoMap 1OOOWLI. Инструкция по эксплуатации.

173. Пат. №2557179 Российская федерация. Способ подготовки диэлектрических образцов для исследований на растровом электронном микроскопе [Текст] / Журавлев О.Е., Иванова А.И., Гречишкин Р.М. заявл. 23.06. 2015.

174. Grabmaier, J. G. Suppression of constitutional supercooling in CzochralskLgrown paratellurite ∕ J.G. Grabmaier, R.D. Plattner, M. Schieber H Journal of Crystal Growth. - 1973. - T.20. - №.2. - P.82-88.

175. Калашников, А.И. Травление монокристаллов парателлурита в водных растворах сильных щелочей / А.И. Калашников, Е.Б. Шкуратова // Неорганические материалы. - 1983. - Т. 19. - № 2. - С.250-252.

176. Vinogradov, A.V. Growth and some properties of TeO2 single crystals with a large diameter ∕ A.V. Vinogradov, V.A. Lomonov, Y.A. Pershin, & N.L. Sizova U Crystallography Reports. - 2002. - T.47. - №. 6. - C. 1036-1040.

177. Kumaragurubaran, S. Growth of paratellurite crystals: effect of axial temperature gradient on the quality of the crystals ∕ S. Kumaragurubaran, D. Krishnamurthy, C. Subramanian, & P Ramasamy ∕∕ Journal of crystal growth. - 2000. - T.211. -№.l. -C.276-280.

178. Yasutake, K. Dislocations and ultrasonic attenuation in paratellurite ∕ K. Yasutake, K. Sugiura, H. Inoue, A. Takeuchi, M. Uemura, K. Yoshii, & H. Kawabe ∕∕ Physica stams solidi (a). - 1991. -T.125. -№.2. -C.489-502.

179. Каплунов, И.А. Связь между механическими напряжениями и оптическими аномалиями в германии и парателлурите / И.А. Каплунов, А.И. Колесников, К.П. Скоков и др.// Оптический жури. - 2005- Т. 72. - №7. - С.85-89.

Глава 3

180. Miyano, Т. Fundamentals OfNeural Networks: Architecmres, Algorithms, and Applications ∕ T. Miyano, H. Morita, A. Shintani, T. Kanda, M. Hourai ∕∕ Joum. Appl. Phys. - 1994,- V.76. - P. 2681-2693.

181. Strelov V.I. Striation in Ge single crystals grown from melt under vibrations and weak heat convection/ V.I. Strelov, V.S. Sidorov, B.G. Zakharov ∕∕ Cryst. Reports. - 2001. - V.46. - P.690 —695/

182. Tanner, B.K. Contrast Contrast of crystal defects under polarized light ∕ B.K. Tanner, D.J. Fathers ∕∕ Phil Mag. - 1974. - A29. - P. 1081-1094.

183. Nikitenko, V.I. Possibility of Direct Investigation of the Influence of Dislocations on the Processes OfMagnetization of Yttrium Iron Garnet Crystals/ V.I. Nikitenko, L.M. Dedukli, S.S. Gendelev, N.G. Scherbak ∕∕ J. Exp Theor Phys Lett. - 1968. -V.8. -P.470-473.

184. Shtukenberg, A. Optically Anomalous Crystals ∕ A. Shtukenberg, Y.O. Punin. -New York: Springer, 2007. - 277 p.

Глава 4

185. Шувалов, Л.А. Современная кристаллография. Т.4. Физические свойства кристаллов. / Л.А. Шувалов, А.А. Урусовская, И.С. Желудев и др. -M.: Наука, 1981. -61 с.

186. Колесников, А.И. Дефекты различных размерностей в крупногабаритных монокристаллах парателлурита / А.И. Колесников, И.А. Каплунов, И.А. Терентьев // Кристаллография. - 2004. - Т.49. - № 2. - С.234- 238.

187. Калашников А.И. Внешняя морфология и распределение дислокаций в кристаллах парателлурита //Доклады АН СССР. 1982.

188. Смирнов, Ю.М. Морфология, дислокационная структура и оптические свойства парателлурита / Ю.М. Смирнов, Н.М. Павленко И Неорганические материалы. - 1989. - Т.19. - №5. - С.780-784.

189. Данилина, Т.И. Технологические процессы микроэлектроники. Учебное пособие. / Т.И. Данилина, К.И. Смирнова. - Томск, 2005. - 223 с.

190. Броудай, И. Физические основы микротехнологии / И. Броудай, Дж. Мерей. - Пер. с англ. -M.: Мир, 1985. -496 С.

191. Wang, С.М. Anisotropic wet etching on birefringent calcite crystal ∕ C.M. Wang, Y.C. Cliang, C.D. Smigh, HT Tien,. C.C. Lee, J. Y. Chang ∕∕ Applied Physics A. -

2005. -T.81.-№.4. - C.851-854.