Выводы

1 Оптимизированы химические составы и процедуры химической полировки и селективного дислокационного травления основных кристаллографических поверхностей кристаллов германия и парателлурита.

2. Показано, что использование РЭМ с большой глубиной резкости позволяет проводить наблюдения картин дислокационного травления на непрепарированных поверхностях кристаллов, минуя процедуры механической и химической полировки, з C использованием методов интерференционной профилометрии, оптической, растровой и просвечивающей электронной микроскопии исследована микроморфология поверхностей кристаллов германия и парателлурита. Проведена количественная и качественная оценка террасчатой структуры ямок дислокационного травления.

4. В микрорельефе боковых поверхностей кристаллов германия методами растровой электронной микроскопии и интерференционной профилометрии выявлен рельеф в виде выступов и впадин с пространственной периодичностью 6 и 60 мкм, соответствующей периодам времени 0,3 с и 3 с. На кристалле германия, выращенном методом направленной кристаллизации, обнаружены периодичности неровностей рельефа двух временных и пространственных масштабов: 3 с, 70 мкм; 0,3 с, 7 мкм.

5. Оценены механизмы роста и кинетические коэффициенты, характерные для образования участков кристалла, прилегающих к цилиндрической боковой поверхности. Показано, что большая часть этих участков сформирована по

нормальному механизму с кинетическим коэффициентом k = 6∙10'⁵mc"ⁱK^ⁱ. Минимальная плотность дислокаций зафиксирована на участках кристаллов германия, C(X)IBCiCiBy і ощп х пирамидам роста сингулярных граней {111}, образованных при послойном (тангенциальном) росте, и составляет 5 ∙ 10³- Il O⁴см’². 6 Предложено и впервые реализовано применение метода фотоупругости для выявления дислокаций в кристаллах парателлурита Данным методом в парателлурите обнаружены значительные объемы материала с малой - IO²см'² - плотностью дислокаций. Эти объемы образованы пирамидами роста сингулярных граней трех типов с минимальными удельными поверхностными энергиями

7. Проведен кристалломорфологический анализ мнокристаллов парателлурита, выращенных путем вытягивания из расплава в направлении [110] методом Чохральского. Экспериментально показано и подтверждено расчетами существование выходов на боковые поверхности буль граней (1Ї0), (110), (113), (113) и четырех граней {101}.

8. Экспериментально продемонстрирована возможность микропрофилирования поверхности монокристаллов парателлурита методом фотолитографии. Получены профили травления с периодами 10 - 50 мкм. Полученные профили могут быть использованы для создания новых типов поляризационных дифракционных решеток.