Выводы
1. В щёлочно-галоидных монокристаллах, выращенных в атмосфере воздуха, в результате воздействия излучения импульсного СО2 - лазера с плотностью мощности 106÷107Вт/см2 возникают микропоры размером до 30÷100 мкм.
Объёмная плотность этих полостей достигает IO5см'3. Исследована статистика распределения пор по размерам в зависимости от условий воздействия.2. Полости возникают вследствие оптического пробоя на поглощающих микронеоднородностях, которые, вероятнее всего, являются результатом коагуляции посторонних примесей, преимущественно анионных, причём природа этих примесных центров сходна в NaCl, KCl, KBr и RbI.
3. Фотоионизация примесных центров коротковолновой составляющей излучения плазменного образования заметно снижает порог пробоя на этих микронеоднородностях.
4. Размеры (~ 20 мкм) и концентрация (~ 3?104см'3) полостей, возникших при воздействии излучением длительностью до 1 мкс, прошедшем через плазму оптического пробоя воздуха, идентичны в NaCl, KCl, KBr и RbI.
5. Размеры полостей в ЩГК, возникших при воздействии излучением длительностью до 5 мкс, определяются свойствами материала и подчиняются экспериментально найденной зависимости от энергии кристаллической решётки. Для такого режима воздействия характерно наличие максимального размера полостей, увеличить который путём роста плотности энергии лазерного излучения, выделившейся на дефекте, не удаётся вследствие распространения из полости магистральных макротрещин, вызывающих последующее катастрофическое разрушение образца.
6. Анализ полученных экспериментальных данных позволяет считать, что процесс образования полости сопровождается возникновением в ней плазменного образования, имеющем среднюю температуру Tπ ≈ 5500 К и давление порядка IO4 кг/см2.
Формирование полости происходит, в основном, во время действия импульса излучения за счёт двух основных процессов - испарения на фронте волны поглощения и пластической деформации, вызванной избыточным давлением плазмы. Эти данныечисленно согласуются с известными теоретическими расчётами. При обработке экспериментальных результатов определена скорость волн поглощения ~ 5 м/с, что соответствует теоретическим данным.
7. Микрополости являются центрами значительных внутренних напряжений, визуально выявляемых по розеткам двойного лучепреломления, имеющим размер до ~ 1 мм.
8. Исследована кинетика отжига монокристаллов с микропорами при предплавильной температуре (на образцах из кристалла KCl). Показано, что полости залечиваются в процессе отжига при атмосферном давлении внешней среды благодаря действию полей внутренних напряжений, локализованных вокруг них, а также диффузии точечных дефектов, равновесная структура которых была нарушена в процессе образования пор. На основе этого явления предложен метод частичной реставрации элементов лазерной оптики из ЩГК.
9. Впервые изучено влияние ионизирующей радиации на процесс объёмного порообразования в NaCl при поражении импульсом излучения мощного СО2 - лазера. Показано, что ни F-, ни M- центры сами по себе не способствуют возникновению пор, но, при отжиге радиационно окрашенных кристаллов, эти центры коагулируют с образованием коллоидальных частиц металла, которые резко снижают порог оптического пробоя и инициируют порообразование. Полученные данные необходимо учитывать при разработке электроионизационных лазеров, а также других генераторов, использующих для накачки ионизирующее излучение, либо эксплуатирующихся при повышенной радиационной нагрузке.
10. В монокристаллах NaCl и KCl, специально очищенных от посторонних примесей путём выращивания в атмосфере фосгена (содержание как анионных, так и катионных примесей не превышало IO'6вес. %), следы объёмного пробоя отсутствовали и при заметном превышении порога образования плазменного факела перед поверхностью образца (при плотности энергии до ~ 50 Дж/см2).
11. Предложен и апробирован новый способ определения оптической однородности в прозрачных материалах, основанный на локальном нагреве импульсным лазерным излучением микро- и наноразмерных поглощающих микронеоднородностей путем выявления нагретых дефектов выявления с помощью тепловизионного прибора [А51].
х/ Сверхчистые монокристаллы были выращены д-ром Р. Воска (лаборатория физики кристаллов АН Венгрии, Будапешт).
Еще по теме Выводы:
- Условия истинности силлогистических выводов
- Выводы
- Машина вывода
- Дедуктивная система натурального вывода
- Вывод уравнения переноса
- ВЫВОД ПЛАНОВ И ОБНАРУЖЕНИЕ ПРЕПЯТСТВИИ
- ВЫВОД
- 4.5. Правила выводов логики высказываний
- Выводы
- Выводы