Исследования спонтанной поляризации
Измерения проводились в интервале температур от 20oC до IOO0C. Поляризация определялась по петле диэлектрического гистерезиса методом Сойера-Тауэра [90, 91].
Исследовались образцы керамики титаната-станата бария; у висмутсодержащей керамики процессов переключения в переменном электрическом поля выявлено не было.Принципиальная схема этого метода представлена на рис. 2.1. Переменное напряжение с генератора или трансформатора подаётся на соединённые последовательно исследуемый образец сегнетоэлектрика (емкостью
) и эталонный конденсатор Сэт. Напряжение U3с эталонного конденсатора
подаётся на вход Y осциллографа. Это напряжение пропорционально заряду qна эталонном конденсаторе. Заряд qможно определить из соотношения
где Ux- напряжение на образце. Поскольку заряд qсвязан с поверхностной плотностью заряда σсоотношением
где S - площадь поверхности образца, то в случае, когда вектор поляризации P перпендикулярен поверхности кристалла, имеем 
Подставляя (2.71) и (2.70) в (2.72), получаем для поляризации
Отсюда следует, что напряжение на эталонном конденсаторе U3прямо пропорционально поляризации Р.
На вход X осциллографа подаётся напряжение с сегнетоэлектрического материала (при использовании в эксперименте большой величины напряженности электрического поля применяется делитель, состоящий из двух последовательно соединённых сопротивлений Ei и E2), пропорциональное величине электрического поля, приложенного к образцу.
Рис. 2.1. Схема для наблюдения петель диэлектрического гистерезиса
Таким образом, на экране осциллографа (при выключенном генераторе развёртки горизонтального отклонения) можно видеть изображение петли гистерезиса q = q(u) - зависимость заряда q(или поляризации P = q S)от напряжения Uxна его обкладках (или напряжённости электрического поля E = [∕x∕J, где d - толщина образца). Данный метод позволяет измерять как величину поляризации сегнетоэлектрического материала, так и коэрцитивное поле.
2.3.3
Еще по теме Исследования спонтанной поляризации:
- 2.3 Осциллографический метод - определения спонтанной поляризации
- Эффекты, связанные с экранированием спонтанной поляризации
- 1.4. Влияние спонтанной поляризации на свойства интерфейсных слоев в пленочных сегнетоэлектриках
- 4.4 Исследование поляризации методом петель диэлектрического гистерезиса.
- 4.2 Исследование самополяризованного состояния и локальной поляризации тонких пленок ЦТС методом силовой микроскопии пьезоэлектрического отклика.
- Спонтанная атака, поддержанная заинтересованными лицами
- Спонтанные информационные атаки.
- Анализ пироотклика двухслойных сегнетоэлектрических структур с противоположным значением поляризации
- Температурные зависимости остаточной поляризации
- Многие работники государственных органов власти в периоде спонтанной приватизации зачастую играли
- Профиль поляризации слоистых структур на основе BTS
- Влияние внешних воздействий на состояние поляризации кристаллов CBN
- 2.2. Анализ состояния поляризации в сегнетоактивных материалах с использованием TSW метода
- Поляризация
- 4.1. Влияние термоциклирования на состояние поляризации кристаллов SBN
- 3.1. Эффект поляризации в группе
- 2. 1. Феноменологическая теория поляризации в переменных полях