<<
>>

Исследования спонтанной поляризации

Измерения проводились в интервале температур от 20oC до IOO0C. Поляризация определялась по петле диэлектрического гистерезиса методом Сойера-Тауэра [90, 91].

Исследовались образцы керамики титаната-станата бария; у висмутсодержащей керамики процессов переключения в переменном электрическом поля выявлено не было.

Принципиальная схема этого метода представлена на рис. 2.1. Переменное напряжение с генератора или трансформатора подаётся на соединённые последовательно исследуемый образец сегнетоэлектрика (емкостью) и эталонный конденсатор Сэт. Напряжение U3с эталонного конденсатораподаётся на вход Y осциллографа. Это напряжение пропорционально заряду qна эталонном конденсаторе. Заряд qможно определить из соотношения

где Ux- напряжение на образце. Поскольку заряд qсвязан с поверхностной плотностью заряда σсоотношением

где S - площадь поверхности образца, то в случае, когда вектор поляризации P перпендикулярен поверхности кристалла, имеем

Подставляя (2.71) и (2.70) в (2.72), получаем для поляризации

Отсюда следует, что напряжение на эталонном конденсаторе U3прямо пропорционально поляризации Р.

На вход X осциллографа подаётся напряжение с сегнетоэлектрического материала (при использовании в эксперименте большой величины напряженности электрического поля применяется делитель, состоящий из двух последовательно соединённых сопротивлений Ei и E2), пропорциональное величине электрического поля, приложенного к образцу.

Рис. 2.1. Схема для наблюдения петель диэлектрического гистерезиса

Таким образом, на экране осциллографа (при выключенном генераторе развёртки горизонтального отклонения) можно видеть изображение петли гистерезиса q = q(u) - зависимость заряда q(или поляризации P = q S)от напряжения Uxна его обкладках (или напряжённости электрического поля E = [∕x∕J, где d - толщина образца). Данный метод позволяет измерять как величину поляризации сегнетоэлектрического материала, так и коэрцитивное поле.

2.3.3

<< | >>
Источник: Шашков Максим Сергеевич. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ОТКЛИК СЛОИСТЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ТИТAHATА-СТАННАТА БАРИЯ И ТИТАНАТА ВИСМУТА. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2018. 2018

Еще по теме Исследования спонтанной поляризации:

  1. 2.3 Осциллографический метод - определения спонтанной поляризации
  2. Эффекты, связанные с экранированием спонтанной поляризации
  3. 1.4. Влияние спонтанной поляризации на свойства интерфейсных слоев в пленочных сегнетоэлектриках
  4. 4.4 Исследование поляризации методом петель диэлектрического гистерезиса.
  5. 4.2 Исследование самополяризованного состояния и локальной поляризации тонких пленок ЦТС методом силовой микроскопии пьезоэлектрического отклика.
  6. Спонтанная атака, поддержанная заинтересованными лицами
  7. Спонтанные информационные атаки.
  8. Анализ пироотклика двухслойных сегнетоэлектрических структур с противоположным значением поляризации
  9. Температурные зависимости остаточной поляризации
  10. Многие работники государственных органов власти в периоде спонтанной приватизации зачастую играли
  11. Профиль поляризации слоистых структур на основе BTS
  12. Влияние внешних воздействий на состояние поляризации кристаллов CBN
  13. 2.2. Анализ состояния поляризации в сегнетоактивных материалах с использованием TSW метода
  14. Поляризация
  15. 4.1. Влияние термоциклирования на состояние поляризации кристаллов SBN
  16. 3.1. Эффект поляризации в группе
  17. 2. 1. Феноменологическая теория поляризации в переменных полях