<<
>>

Методы изготовления сегнетоэлектрических пленок

Известно, что физические свойства тонких пленок сильно зависят от техники их изготовления. В данном параграфе приведены основные методы получения тонких пленок цирконата-титаната свинца.

Импульсное лазерное осаждение(Pulsed Laser Deposition - PLD) - это способ выращивания пленок, при котором материал испаряется из твердой мишени лазерным импульсом и переносится в виде газовой фазы к растущей поверхности пленки. Основным преимуществом PLD метода является использование твердых мишеней, обладающих необходимой для пленок стехиометрией [17], а также возможность использовать одновременно

14 несколько мишеней, для того чтобы варьировать состав полученных образцов [18].

Молекулярно-лучевая эпитаксия(Molecular Beam Epitaxy - MBE) - это техника роста кристаллов, которая позволяет формировать кристаллическую структуру тонкой пленки послойно с точностью до одного слоя благодаря контролю потоков пучков термически испаренных в вакууме составляющих элементов пленки. Эти пучки направляются на кристаллические подложки, где происходит формирование пленки нужного состава за счет реакций и кристаллизации. Ключевым преимуществом этого метода является возможность контролировать формирование границ раздела в гетероструктурах с точностью до атомного слоя [17]. Наиболее же существенной проблемой техники MBE, особенно при формировании структур типа перовскита, является контроль стехиометрии, также к недостаткам этого метода следует отнести его высокую стоимость [18].

Распыление(Sputtering) - это процесс удаления атомов с поверхности мишени путем передачи им кинетической энергии входящего потока высокоэнергетических частиц [17]. Для этого метода характерна высокая скорость осаждения, равномерность толщины и состава на большой площади, низкая концентрация примесей [19]. Наиболее распространенным способом распыления является высокочастотное (радиочастотное - radiofrequency RF) магнетронное распыление, схема которого представлена на рисунке 1.2. В качестве недостатков, следует отметить сложность контроля количества испаряемого материала.

В связи с высокой летучестью Pb и PbO при получении пленок PZT методом высокочастотного магнетронного распыления составную керамическую мишень изготавливают из порошков PbO, TiO2, ZrO2при избытке порошка PbO 10 - 20 мол. % [21, 22] или используют дополнительные гранулы PbO на керамической мишени PZT [20, 23 - 25] для компенсации потерь Pb и PbO в процессе осаждения и последующего отжига.

Рисунок 1.2. Схематическое изображение системы для RF-магнетронного распыления [20].

Осаждение из газовой фазы с использованием металлорганических соединений(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition MOCVD) - метод, основанный на разложении газообразных исходных веществ на горячей подложке, при котором образуется пленка нужной композиции [19]. Этот метод широко используется в электронной промышленности. Пленки получаются высокого качества, однородные на больших площадях, с достаточно высокой стехиометрией. MOCVD-метод имеет относительно высокие скорости осаждения, а также позволяет осуществлять многослойный рост, формировать сверхрешетки и создавать структуры с градиентом состава [26, 27].

Получение пленок из растворов включает в себя золь-гель метод, получение из хилатов и металлорганическое разложение. Эти методы, как правило, состоят из следующих этапов: синтез исходных веществ, осаждение, низкотемпературная термообработка для сушки и формирования аморфных пленок (обычно 300 - 400 °C), высокотемпературная

термообработка для уплотнения и кристаллизации пленки (600 - 1100 °C). Главными преимуществами этих методов являются низкая стоимость и относительно высокая скорость получения пленок [18].

1.3.

<< | >>
Источник: Каменщиков Михаил Викторович. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ И БАРЬЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В ТОНКИХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ ЦИРКОНАТА-ТИТАНАТА СВИНЦА. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2014. 2014

Еще по теме Методы изготовления сегнетоэлектрических пленок:

  1. Использование метода ДОЭ для анализа сегнетоэлектрических пленок
  2. Методы получения тонких сегнетоэлектрических пленок ЦТС
  3. Электрофизические свойства сегнетоэлектрических пленок PZT
  4. Методика исследования сегнетоэлектрических материалов методом нелинейной диэлектрической спектроскопии
  5. 4.2 Исследование самополяризованного состояния и локальной поляризации тонких пленок ЦТС методом силовой микроскопии пьезоэлектрического отклика.
  6. Методы создания пленок
  7. 2.2 Методы исследования электрофизических характеристик тонких пленок
  8. Характеристика линз, изготовленных методом токарной обработки
  9. Характеристика линз, изготовленных методом центробежного литья
  10. Характеристика линз, изготовленных методом литья в форме
  11. Глава 3. Исследование морфологии рельефа, фрактальных свойств поверхности и электрических характеристик контакта зонд-образец для наноразмерных металлических пленок на диэлектрических подложках методом сканирующей туннельной микроскопии
  12. Статья 216. Незаконное изготовление, подделка, использование или сбыт незаконно изготовленных, полученных либо поддельных марок акцизного сбора или контрольных марок
  13. Свойства неоднородных сегнетоэлектрических систем