Методы создания пленок

Дополнительный термический отжиг синтезированных соединений, при температуре SOO⁰C с выдержкой 105 часов в атмосфере аргона позволяет существенно улучшить стабильность свойств материалов при термоциклировании.

Метод низкочастотного тлеющего разряда использовался для получения гидрогенизированного кремния и сплавов на его основе. Для приготовления образцов Ge- Sb-Te (GST) различного состава проводилось плавление шихты, составленной из германия, сурьмы и теллура полупроводниковой степени чистоты, в кварцевых ампулах с последующим охлаждением на воздухе. Для получения тонких пленок на основе синтезированных материалов использовался метод термического испарения и конденсации. Кроме того, в работе рассмотрены основные методы исследования состава и структуры полученных образцов, такие как рентгенофазовый анализ, атомно-силовая микроскопия, инфракрасная спектроскопия, метод обратного рассеяния Резерфорда. Определение состава пленок GST является достаточно сложной задачей, так как спектры

сурьмы и теллура находятся в достаточно близких диапазонах. Наилучшие результаты при определении состава пленок GST были получены при использовании метода рентгеновского микрозондового анализа.

Основным методом исследования в данной работе является метод дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК). На основании большого объема экспериментальных работ и анализа имеющейся литературы была разработана комплексная, универсальная методика подготовки и ДСК измерений образцов синтезированных материалов и тонких пленок, включающая в себя несколько этапов (подготовка прибора, подготовка образцов, проведение эксперимента). Методика подготовки прибора включает в себя калибровку с использованием ряда эталонов (в частности индий, олово, кадмий, свинец), подбор тиглей близкого веса, фиксирование тиглей в ячейке, фиксирование крышки ячейки. C помощью предложенного комплекса мер удалось снизить погрешность измерений до ±0,3%. Методика подготовки образца позволила исключить влияние подложки на результаты измерений Методика измерений включает три этапа: измерение базовой линии; первое и последующие измерения образцов, что позволяет исключить влияние тиглей на результаты и проводить количественную оценку необратимых процессов в тонких пленках неупорядоченных полупроводников.