Молекулярно-лучевая эпитаксия.

Молекулярно-лучевую эпитаксию (МЛЭ) можно считать частным случаем испарительного осаждения, применяемым для выращивания монокристаллических пленок при управляемом испарении нескольких

источников в сверхвысоком вакууме порядка ~10'¹° Topp [24].

При таком низком давлении в процессе МЛЭ испаряемые атомы или молекулы из одного или более источников не взаимодействуют друг с другом в газовой фазе. Хотя в МЛЭ иногда применяются газообразные источники, молекулярные пучки обычно формируются нагревом твердых материалов, помещенных в испарительные ячейки, которые называются эффузионными ячейками, или ячейками Кнудсена. Материал источников обычно нагревают до требуемых температур с помощью электрического тока. Столкновение атомов или молекул с монокристаллической подложкой приводит к формированию необходимой эпитаксиальной пленки. Исключительно чистая среда, низкая скорость роста и независимое управление испарением отдельных источников способствуют прецизионному формированию наноструктур и наноматериалов на уровне отдельных монослоёв. Сверхвысокий вакуум обеспечивает отсутствие примесей и загрязнений, позволяя получать особо чистые пленки. Индивидуально регулируемое испарение источников позволяет особо точно управлять химическим составом наращиваемого вещества в любой момент времени. Низкая скорость роста обеспечивает такую поверхностную диффузию и релаксацию, при которых возникает минимальное количество кристаллических дефектов. Этим методом были сформированы пленки ЦТС в работах [25,26,27].

1.2.2