Переход от объёмных материалов к тонкопленочным

Большое число применений сегнетоэлектриков связано с использованием объемных керамических образцов, толщина которых составляла от 0,1 мм до 1 сантиметра. Эти образцы являются поликристаллическими, с характерным размером зерен 1-10 мкм.

При переходе к тонкопленочным структурам возникает ряд проблем, связанных с появлением размерных эффектов. Их природа сильно зависит от электрических граничных условий, таких как экранирование заряда на электродах и деполяризующее поле, что может сказываться на стабильности сегнетоэлектрической фазы. Источники размерных эффектов рассмотрены в работе [22]. Критическая толщина тонких пленок составляет 6 атомных слоев, как заявляют авторы [23], опираясь на свои расчеты.

1.2