<<
>>

Общая концепция процесса идентификации параметров ЯЭФП

На практике приходится иметь дело с цельным физическим образцом ЯЭФП на RC-ЭРП, следовательно, доступные для измерения неразрушающими метрологическими средствами параметры: сопротивления слоев, емкость структуры, ЧХ ^-параметров относительно выводов и др.

- являются общими. Для целей исследования применялся модернизированный метод, предложенный в [80]. Однако для изучения внутренней структуры ЯЭФП этого не достаточно, требуется дополнительно определить параметры отдельно взятых базовых конструктивных элементов, измерить которые напрямую, не разрушая образец, невозможно. Чтобы верифицировать параметры БКЭ, на которые условно по топологии разбивают физический образец, и оценить их количественно, не прибегая к РФА, необходимо решить задачу параметрической идентификации. Решение данной задачи позволит:

1. Количественно оценивать степень влияния различных частей конструкции (их параметров) на общие электрические характеристики всей конструкции конкретного ЯЭФП

2. Определять наличие отклонений параметров, дефектов и неоднородностей в конструкции конкретных ЯЭФП, что повысит качество разбраковки образцов.

3. Качественно и количественно контролировать технологический процесс изготовления ЯЭФП, в том числе отдельные его операции.

4. Создать систему подстройки и коррекции параметров уже изготовленных ЯЭФП на основе RC-ЭРП

На рисунке 3.9 приведена блок-схема разработанной общей концепции процесса идентификации R-C-NR ЯЭФП Рассмотрим ее более подробно

Рис 3.9 Блок-схема процесса идентификации ЯЭФП

На блок-схеме: t - максимальное количество итераций процесса идентификации, блок «Реализация оптимизационного алгоритма. Расчет характеристик модели ЯЭФП» реализован различными вариантами описанными ниже в виде отдельных блок-схем со

входом (J)и выходом (2), остальные параметры блок-схемы рисунка 3.9 подробно интерпретируются далее по тексту.

В приведенных структурных моделях БКЭ можно выделить семь параметров, которые характеризуют электрофизические свойства пленочных слоев материалов R-C- . Точная идентификация составляющих вектора -, позволит определить параметры любого БКЭ, составляющего конструкцию R-C-NR ЯЭФП

На первоначальном этапе идентификации необходимо задать всю имеющуюся информацию по объекту идентификации - от априорных сведений в большой степени зависит эффективность идентификационного процесса. На рисунке 3.9 априорные сведения (первоначальное приближение) задаются блоками «Выбор технологии изготовления ЯЭФП» и «Ввод начального приближения вектора P...». Так указание технологии изготовления ограничит диапазон возможных параметров реализуемых конструктивных элементов ЯЭФП и позволит приблизительно оценить допуски на данные параметры (см. таблицу 3.1).

Таблица 3.1 - Диапазоны варьирования параметров и допуски на них, принятые на основе анализа имеющегося опыта изготовления ЯЭФП на RC-ЭРП

Параметр Толстопленочная технология T онкопленочная

технология

Полупроводн иковая технология
диапазон допуск, % диапазон допуск, % диапазон допу СК, %
1 Удельное сопротивление резистивных слоев (1-1000) кОм/ мм2 ±15 (0,05-1) кОм/ мм2 ±1 (0,01÷10)

кОм/ мм2

±10
2 Удельная поверхностная емкость (0,l÷5) пФ/мм2 ±20 (0,l÷10) нФ/мм2 ±5 (l÷100) нФ/мм2 ±15
3 Сквозное сопротивление диэлектрика (1-ю) ГОм ±25 (0,1-5)

ГОм

±20 (0,01÷l)

ГОм

±20
4 Удельное сопротивление контактных площадок И проводников (0,01 ±50)

Ом/ мм2

±15 (0,001-10)

Ом/ мм2

±1 (0,001-10)

Ом/ мм2

±10

Что касается самих параметров, то в данном случае применяют следующую методику задания начального приближения:

IRhNопределяют на основе непосредственных измерений сопротивлений резистивных слоев тестового R-C-NR ЯЭФП Под тестовым подразумевается R-C- NR ЯЭФП прямоугольной формы, не имеющий геометрических неоднородностей, с контактными площадками к обоим резистивным слоям. Тестовый R-C-NR ЯЭФП рекомендуется изготавливать одновременно (в одном технологическом цикле, на одной подложке/кристалле) с изготовлением «рабочих» ЯЭФП для большего соответствия параметров модели свойствам изготовленных слоев.

В этом случае параметры RhNмогут быть исключены из идентифицируемых параметров.

2. C рассчитывают приблизительно, измеряя емкость «конденсатора-свидетеля», если он изготовляется на подложке в одном технологическом цикле с исследуемой структурой,

3. rpопределяют из типовых значений потерь для используемого диэлектрического материала (как правило, указывается в ТУ на диэлектрик),

4. L- априори известная величина (либо ее можно измерить непосредственно по топологии образца ЯЭФП);

5. Gи rκ- задают случайным образом из диапазона возможных значений.

Для идентификации оставшихся параметров, которые не могут быть измерены непосредственно, необходимо применять алгоритм оптимизации функций нескольких переменных Для постановки задачи оптимизации требуется выбрать вид измеряемой характеристики, задать целевую функцию, а также определить ограничения на идентифицируемые параметры модели.

Поскольку, так или иначе, ЯЭФП на RC-ЭРП в программах анализа и синтеза должен характеризоваться системой у-параметров, то целесообразно на основе структурной модели вычислять частотную характеристику (ЧХ) одного из ^-параметров модели и сравнивать ее с измеренной ЧХ тестовой структуры при соответствующих граничных условиях.

Измеренная ЧХ г-параметра является целевой функцией, а вычисляемая - оптимизируемой функцией. Выбор конкретного ^-параметра не играет большого значения. Однако, при прочих равных условиях, предпочтение надо отдать тому ИЗ НИХ, который может быть измерен с наибольшей ТОЧНОСТЬЮ. В алгоритме идентификации оцениваемую ЧХ ^-параметра будем задавать дискретно в виде массива точек измерений по п частотам:

Для проверки ТОГО, что найденная при идентификации совокупность параметров однозначно определяет электрофизические характеристики изготовленных слоев, можно провести сравнение вычисленной и измеренной частотных характеристик любого другого ^-параметра или сразу выполнять многокритериальную оптимизацию.

В алгоритме идентификации контрольные ^-параметры (их ЧХ) также будем задавать дискретно в виде массивов точек по п частотам:

где т - количество контрольных ^-параметров (чем больше т, тем выше точность и достоверность идентифицируемых параметров).

В качестве критерия качества идентификации (функционала невязки) При определении параметров моделей радиоэлементов наиболее широко используется среднеквадратическая ошибка, которую в данном случае можно записать в виде: где yp(ft)и yjvXZ) - соответственно значения измеренной ЧХ у-параметра исследуемого R- C-NR ЯЭФП и вычисленной для модели на /-той частоте; п - число точек на частотной оси.

Аналогичным образом оцениваются контрольные среднеквадратические ошибки (контрольные функционалы невязок)контрольных у-

параметров (3 31). При выполнении условий:

где Δ*λ⅛m- допустимое значение среднеквадратической ошибки, задача определения параметров модели является решенной.

Задача идентификации, являясь частным случаем оптимизации, разрешима лишь с помощью инструментария численных методов. Все численные методы можно разделить на 2 категории: регулярные и статистические.

Наиболее часто используемые методы оптимизации в отношении ЯЭФП на RC- ЭРП - это статистические методы В частности для R-C-NR ЯЭФП хорошо исследованы генетические алгоритмы поисковой оптимизации. Однако параметрическая

идентификация подразумевает наличие хорошего начального приближения. Следовательно, для решения этой задачи, даже в случае многоэкстремального функционала невязки, могут оказаться Эффективными численные методы первой категорий. Для объективности выберем метод градиентного спуска [78]

3.4.2.

<< | >>
Источник: Батуркин Сергей Александрович. ИССЛЕДОВАНИЕ ТОКОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ СОСТАВА GST-225, ЛЕГИРОВАННЫХ АЗОТОМ И БОРОМ. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2015. 2015

Еще по теме Общая концепция процесса идентификации параметров ЯЭФП:

  1. Программа идентификации R-C-NR ЯЭФП и исследование алгоритмов идентификации на основе опытных образцов ЯЭФП
  2. Исследование алгоритмов идентификации с применением FSpice- моделей R-C-NR ЯЭФП
  3. Апробация и количественная оценка методик идентификации на основе опытных образцов R-C-NR ЯЭФП
  4. Параметрическая идентификация R-C-NR ЯЭФП
  5. Диагностико-измерительная система электрофизических параметров ЯЭФП на основе RC-ЭРП
  6. Модернизированный метод градиентного спуска параметрической идентификации R-C-NR ЯЭФП
  7. Разработка средств и методов автоматизированного измерения электрофизических параметров образцов R-C-NR ЯЭФП
  8. Идентификация процессов.
  9. Когнитивная трехкластерная система идентификации параметров порядка The three cluster cognitive system of order parameter_identification
  10. 1.1 Общее описание проблемы. Идентификация состояния процесса
  11. Порядок проведения работ по определению, классифиюции и идентификации процессов.
  12. 1.3 Идентификация свойств сырья и состояния процесса
  13. Глава 3. Разработка математической модели физических процессов в неупорядоченных полупроводниках структуры GST -225 и моделей массива ЯЭФП
  14. Контролируемые параметры процесса