Определение коэффициента температуропроводности с помощью Linseis XFA 500
Образцы для исследования изготавливались из монокристаллов, выращенных из расплава методом Чохральского (раздел 2.4). Вытягивание производилось в направлении [111].
Исследованы температурные зависимости температуропроводности образцов монокристаллического германия (Ge), легированных галлием (Ga) и сурьмой (Sb), имеющих кристаллографическую ориентацию [111].
Удельное электрическое сопротивление (УЭС) и концентрация примеси исследуемых образцов представлена в таблице 4.12.
Таблица 4.12. Электрофизические характеристики образцов
| Концентрация примеси Sb, см'3 | 14 1.5-10 | 13 9,5-10 | 13 3.5-10 |
| Удельное электросопротивление, Omcm | 7.5 | 15 | 30 |
| Концентрация | 14 | 14 | 14 |
| примеси Ga, см’3 | 8.5-10 | 6.5-10 | 0.9-10 |
| Удельное электросопротивление, Omcm | 4 | 5 | 30 |
Измерения температурных зависимостей температуропроводности (коэффициента тепловой диффузии) проводились импульсным методом C использованием импульсного анализатора температуропроводности Linseis XFA 500 в температурном диапазоне от -40oC до IOO0C согласно методике раздела 2.3.2. Измерение температуропроводности исследуемых образцов проводилось в вакууме.
На рисунках 4.15 и 4.16 приведены температурные зависимости коэффициента тепловой диффузии легированных сурьмой и галлием образцов германия, а на рисунке 4.17 сравнительная зависимость кристаллов электронного и дырочного типа проводимости (сурьма и галлий).
Рис.
4.15. Температурные зависимости коэффициента тепловой диффузии кристаллов Ge легированных Sb с различными УЭС (кривая 1 - 7,5 Ом-см, кривая 2-15 Ом-см, кривая 3-30 Ом-см)
Рис. 4.16. Температурные зависимости коэффициента тепловой диффузии кристаллов Ge легированных Ga с различными УЭС (кривая 1-4 Ом-см, кривая 2-5 Ом-см, кривая 3-30 Ом-см).
Рис. 4.17. Температурные зависимости коэффициента тепловой диффузии кристаллов Ge легированных Sb (кривая 1) и Ga (кривая 2) с одинаковым УЭС (30 Ом-см)
Наблюдалось незначительное уменьшение температуропроводности с увеличением температуры у образцов легированных галлием и увеличения у образцов, легированных сурьмой.
Было обнаружено увеличение значения температуропроводности у образца, легированного сурьмой с удельным электросопротивлением 30 Ом-см по сравнению с образцом легированным сурьмой и удельным электросопротивлением 7.5 Ом-см.
У образцов, легированных галлием, в исследуемом температурном диапазоне изменение значения температуропроводности для различных значений удельного электрического сопротивления слабо выражено.
Еще по теме Определение коэффициента температуропроводности с помощью Linseis XFA 500:
- Измерение коэффициента температуропроводности с помощью анализатора температуропроводности и теплопроводности Linseis XFA 500
- 23.1. Метод определения удельной теплоёмкости и коэффициента температуропроводности
- Определение коэффициента температуропроводности динамическим методом
- К теплофизическим свойствам твёрдых горючих ископаемых обычно относят удельную теплоёмкость, коэффициенты теплопроводности и температуропроводности, коэффициент теплового расширения, а также теплоту сгорания.
- Определение масштабного коэффициента
- 6.2 Определение коэффициентов компетентности экспертов
- Определение коэффициента тепловой диффузии несегнетоэлектрических материалов
- 22.3.1. Определение коэффициента размолоспособности по ВТИ
- Определение коэффициента тепловой диффузии сегнетоэлектрических пленочных материалов на основе керамики ЦТС
- 23.2. Метод определения коэффициента теплопроводности