<<
>>

Определение коэффициента температуропроводности с помощью Linseis XFA 500

Образцы для исследования изготавливались из монокристаллов, выращенных из расплава методом Чохральского (раздел 2.4). Вытягивание производилось в направлении [111].

Исследованы температурные зависимости температуропроводности образцов монокристаллического германия (Ge), легированных галлием (Ga) и сурьмой (Sb), имеющих кристаллографическую ориентацию [111].

Удельное электрическое сопротивление (УЭС) и концентрация примеси исследуемых образцов представлена в таблице 4.12.

Таблица 4.12. Электрофизические характеристики образцов

Концентрация примеси Sb, см'3 14

1.5-10

13

9,5-10

13

3.5-10

Удельное электросопротивление, Omcm 7.5 15 30
Концентрация 14 14 14
примеси Ga, см’3 8.5-10 6.5-10 0.9-10
Удельное электросопротивление, Omcm 4 5 30

Измерения температурных зависимостей температуропроводности (коэффициента тепловой диффузии) проводились импульсным методом C использованием импульсного анализатора температуропроводности Linseis XFA 500 в температурном диапазоне от -40oC до IOO0C согласно методике раздела 2.3.2. Измерение температуропроводности исследуемых образцов проводилось в вакууме.

На рисунках 4.15 и 4.16 приведены температурные зависимости коэффициента тепловой диффузии легированных сурьмой и галлием образцов германия, а на рисунке 4.17 сравнительная зависимость кристаллов электронного и дырочного типа проводимости (сурьма и галлий).

Рис.

4.15. Температурные зависимости коэффициента тепловой диффузии кристаллов Ge легированных Sb с различными УЭС (кривая 1 - 7,5 Ом-см, кривая 2-15 Ом-см, кривая 3-30 Ом-см)

Рис. 4.16. Температурные зависимости коэффициента тепловой диффузии кристаллов Ge легированных Ga с различными УЭС (кривая 1-4 Ом-см, кривая 2-5 Ом-см, кривая 3-30 Ом-см).

Рис. 4.17. Температурные зависимости коэффициента тепловой диффузии кристаллов Ge легированных Sb (кривая 1) и Ga (кривая 2) с одинаковым УЭС (30 Ом-см)

Наблюдалось незначительное уменьшение температуропроводности с увеличением температуры у образцов легированных галлием и увеличения у образцов, легированных сурьмой.

Было обнаружено увеличение значения температуропроводности у образца, легированного сурьмой с удельным электросопротивлением 30 Ом-см по сравнению с образцом легированным сурьмой и удельным электросопротивлением 7.5 Ом-см.

У образцов, легированных галлием, в исследуемом температурном диапазоне изменение значения температуропроводности для различных значений удельного электрического сопротивления слабо выражено.

<< | >>
Источник: Гавалян Мамикон Юрьевич. Влияние кристаллографической ориентации и примесного состава на оптические, диэлектрические и теплофизические характеристики кристаллов германия и парателлурита. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2016. 2016

Еще по теме Определение коэффициента температуропроводности с помощью Linseis XFA 500:

  1. Измерение коэффициента температуропроводности с помощью анализатора температуропроводности и теплопроводности Linseis XFA 500
  2. 23.1. Метод определения удельной теплоёмкости и коэффициента температуропроводности
  3. Определение коэффициента температуропроводности динамическим методом
  4. К теплофизическим свойствам твёрдых горючих ископаемых обычно относят удельную теплоёмкость, коэффициенты теплопроводности и температуропроводности, коэффициент теплового расширения, а также теплоту сгорания.
  5. Определение масштабного коэффициента
  6. 6.2 Определение коэффициентов компетентности экспертов
  7. Определение коэффициента тепловой диффузии несегнетоэлектрических материалов
  8. 22.3.1. Определение коэффициента размолоспособности по ВТИ
  9. Определение коэффициента тепловой диффузии сегнетоэлектрических пленочных материалов на основе керамики ЦТС
  10. 23.2. Метод определения коэффициента теплопроводности