ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ

Из приведенного литературного обзора видно, что структура и физические свойства тонких слоев ЦТС в значительной степени определяются технологическими условиями синтеза пленок и материала подложки (и нижнего электрода), в качестве которого, в силу привязки к современной кремниевой микроэлектронике, используются платинированные пластины

монокристаллического кремния.

В этой связи анализ механизмов формирования (роста) фазы перовскита в подобных поликристаллических тонких пленках ЦТС, изучение взаимосвязи сегнетоэлектрических характеристик с их микрокристаллической структурой и составом, а также определение соотношения различных модификаций сегнетоэлектрических фаз в области морфотропной фазовой границы, в том числе моноклинной фазы, представляется актуальной темой экспериментальных исследований.

Таким образом, исследование «Сегнетоэлектрических свойств наноструктурированных систем на основе цирконата-титаната свинца» является актуальной научной задачей. Для ее решения необходимо:

1. Изучить механизмы формирования фазы перовскита в тонких поликристаллических пленках ЦТС вблизи МФГ на основе анализа элементного состава пленок и их микроструктуры на различных технологических этапах их

получения на платинированных подложках монокристаллического кремния Pt∕TiO₂∕SiO₂∕(lll)Si.

2. Провессти фазовый анализ тонких пленок ЦТС в районе МФГ в зависимости от давления рабочего газа и режимов высокотемпературного отжига.

3. Проанализировать диэлектрические и пьезоэлектрические параметры тонкопленочных сегнетоэлектрических конденсаторов на основе ЦТС и изучить связь этих параметров с кристаллической структурой и составом.