<<
>>

Технические характеристики ячеек фазовой памяти

Для многих практических применений важен такой параметр как скорость работы устройства. В этом PCM на несколько порядков превосходит флэш-память и приближается к оперативной памяти типа DRAM (Dynamic Random Access Memory) Скорость работы PCM определяется в первую очередь длительностью импульса записи.

В ряде работ удалось уменьшить длительность записывающего импульса до 10 нс и менее [16,21], а в работе [22] при особых условиях аморфизации удалось уменьшить длительность импульса записи до 1 нс. Однако экстремальные значения достигаются благодаря высокой плотности тока, поэтому в реальных элементах памяти длительность записывающего импульса составляет от 50 до нескольких сотен наносекунд [16].

Важным параметром памяти является количество циклов перезаписи В работе [23] показано, что долговечность ячейки обратно пропорциональна длительности импульса стирания, поскольку выделяющаяся энергия разрушает интерфейс между пленкой ХСП и электродом. Сегодня долговечность коммерческих элементов памяти достигает IO8 циклов перезаписи. Более высоких результатов удается добиться на отдельных ячейках памяти, в работе [10] показано, что ячейка может стабильно работать более IO10циклов при длительности импульса стирания, равной 10 нс, а в [23] удалось достичь IO11циклов перезаписи. Полученная в ходе данной работы ячейка памяти будет выдерживать IO12 циклов перезаписи.

На данный момент значительные усилия направлены на улучшение характеристик ячеек памяти, в первую очередь за счет выбора оптимальной геометрии ячейки и состава ХСП. Наиболее простая ячейка памяти состоит из слоя ХСП и узкого нижнего электрода, который в английской литературе называется нагревателем. На верхнюю часть пленки наносят металлический электрод, который эффективно отводит тепло, выделяющееся при протекании тока через ячейку. Снизу пленки ХСП находится диэлектрик с низкой теплопроводностью, поэтому в процессе записи максимальный нагрев и кристаллизация происходят вблизи границы пленки с нижним электродом. Однако при такой геометрии ячейки значительная часть выделяющегося джоулева тепла уходит на разогрев электрода, поэтому в работе [25] была предложена ячейка с тонким столбиком ХСП (pore-like cell). В такой ячейке максимальный нагрев достигается внутри столбика, что позволяет уменьшить мощность стирающего импульса вдвое. Интересные результаты получены на ячейках с кольцевым нижним электродом [24,26].

Поскольку толщина электрода может достигать нескольких нанометров, площадь контакта может быть сделана значительно меньше, чем в обычной ячейке. Это позволяет существенно уменьшить ток записывающего импульса [24]

1.6.

<< | >>
Источник: Батуркин Сергей Александрович. ИССЛЕДОВАНИЕ ТОКОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ СОСТАВА GST-225, ЛЕГИРОВАННЫХ АЗОТОМ И БОРОМ. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2015. 2015

Еще по теме Технические характеристики ячеек фазовой памяти:

  1. Разработка программы анализа массива ячеек энергонезависимой фазовой памяти (ЯЭФП) на основе ХСП состава GST-225
  2. Разработка модели конструкции ячейки энергонезависимой фазовой памяти
  3. Надежность устройств фазовой памяти и связь с физико-химическими свойствами материалов
  4. 1.1.1.5 Характеристика процессов памяти
  5. 33. общая характеристика процессов памяти
  6. 34. общая характеристика процессов памяти
  7. 35. общая характеристика процессов памяти
  8. О результатах исследования структурных характеристик в металлических нанокластерах при фазовом переходе плавление- кристаллизация
  9. О методике исследования изменения формы и структурных характеристик наночастиц при фазовом переходе кристалл-жидкость
  10. 30. характеристика уровня развития различных познавательных процессов (восприятия, памяти, мышления, речи)
  11. 4.Понятие о памяти. Учет свойств, закономерностей и особенностей памяти при организации учебной деятельности школьников.
  12. Вопрос №21. Память как основа целенаправленного поведения. Типы памяти. Физиологичексие механизмы и этапы формирования памяти