Практическая значимость результатов работы:
I. Теория поляронных и экситонных состояний в КРС, развитая в работе позволила описать как качественно так и количественно следующие экспериментальные результаты:
а) спектры экситонного поглощения в сверхтонких пленках на различных подложках;
б) спектш поглощения в размерно-квантованных пленках
Результаты, полученные для систем с магнитным полем, также могут быть использованы для интерпретации магнитооптических экспериментов.
Теория рассеяния свободных носителей заряда на полярных оптических фононах, изложенная в диссертации, позволяет указать способы увеличения или ослабления подвижности как для КЯ, так и в случае ЩП-структуры.
Теория позволяет количест-венно объяснить существующие эксперименты.Результаты, полученные для ИК-поглощения света указывают на возможность использования фотон-фононного резонанса
для исследования поверхностных оптических фононов в структурах с КЯ и СР.
Научная новизна работы состоит в том, что впервые
Предсказана немонотонность размерной зависимости энергии связи полярона в тонкой пленке полярного кристалла.
Построена теория экситонных состояний Ванье-Мотта в структурах с КЯ и CP, позволяющая провести последовательный анализ всех вкладов в экспериментально наблюдаемую величину - энергию кванта рекомбинации электрон-дырочной пары.
Построена теория поляронных экситонных состояний диамагнитного экситона. В качестве предельных случаев теория имеет известные результаты.
Проанализированы размерная зависимость и зависимость от параметров соседних сред коэффициента рассеяния и коэффи-циента релаксации импульса носителей заряда. Результаты получены на базе гамильтониана построенного путем последовательного выделения колебательных мод в размерно-ограниченной системе. Предсказана возможность усиления и подавления рассеяния носителей на оптических фононах в тонких пленках за счет подбора параметров подложки. Для ЩЩ-структуры предложена теория позволяющая получить описание основных экспериментальных результатов по поведению подвижности.
Для вероятности и коэффициента поглощения ИК-света сво-бодными носителями заряда в структурах с КЯ при неупругом рассеянии на полярных оптических фононах получены корректные размерные зависимости и указано на существование сложной структуры линии фотон-фононного резонанса.