Тензо- и пьезорезистивные преобразователи

Принцип действия основан на изменении объёма или электрической проводимости при деформации проволочного или полупроводникового элемента.

Различают проволочные, плёночные и интегральные тензоэлектрические преобразователи.

(б) – плёночный тензорезистор

Тензорезистор содержит подложку 1, на которой наклеена проволочка 2(диаметр проволоки сотые доли миллиметра, сверху покрыта лаком)

Плёночнай тензорезистор: на подложку 1 изготовленную из бумаги или ткани нанесена плёнка 4, покрытая лаком. Такие тензопреобразователи при использовании наклеиваются на элемент конструкции, деформация которого измеряется( погрешность 10-15%.

Современные тензопреобразователи (пьезопреобразователи): на пластине из полупроводника или керамики выращивается методом планарной технологии тензорезистор. По такой технологии изготавливается мембраны всех датчиков давления.

Коэффициент относительной тензочувствительности описывается формулой около рисунка (б).

Установлено, что в общем случае величина S определяется формулой

S=(1+2µ )+m

µ - коэффициент Пуассона, µ=1,5…1,8

Тензо – натяжение, (1+2µ )