Многократное рассеяние

Электроны и позитроны, проходя через вещество, рассеиваются на кулоновских потенциалах ядер и электронов. Это приводит к большому числу процессов рассеяния с очень малым отклонением от первоначального пути.

жесткие акты рассеяния моделируются индивидуально, а для “мягкого” рассеяния применяется метод укрупненных столкновений.

Учет многократного рассеяния электронов крайне важен для моделирования пробега электронов в полупроводнике и в значительной степени определяет пространственное распределение заряда в детекторе.