5.4 Влияние структуры точечных дефектов монокристалла на параметры полостей
Проверка влияния условий предварительной термообработки на параметры «лазерных» полостей, возникающих в ЩГК, производилась на монокристаллах хлорида калия, в которых размеры полостей, составляли 10÷45 мкм при концентрации порядка IO4см'3, что делает эти кристаллы наиболее удобными для производимых исследований (при использовавшихся в эксперименте параметрах лазерного излучения).
Для проведения данного эксперимента из одного и того же монокристалла KCl выкалывались заготовки размером ~ 30?30?30 мм3, термообработка которых производилась затем в печи сопротивления КС-14 в течение двух часов при рабочих температурах 400, 500, 600 и 700 0C. Часть образцов остывала вместе с печью (отжигалась), а остальные доставались из печи и остывали на воздухе (закаливались). Таким образом, было подготовлено 8 групп заготовок, по 3 образца в каждой. Из этих заготовок непосредственно перед проведением воздействия выкалывались образцы со свежими поверхностями скола.Таблица 5.3 - Влияние предварительной термообработки на параметры пор в KCl
| Состояние образцов перед воздействием | Температура термообработки, oC | Параметры дефектов | ||
| Средний размер дефектов, MKM | Максимальный размер дефектов, MKM | Плотность дефектов, -3 CM | ||
| 700 | 10,9 | 15,4 | 6,3-IO4 | |
| Отожженные | 600 | 14,3 | 20,3 | 5,5-Ю4 |
| образцы | 500 | 17,3 | 22,4 | 2,3-Ю4 |
| 400 | 17Д | 18,9 | l,3∙104 | |
| Закаленные | 700 | 13,5 | 18,9 | 4,5-Ю4 |
| 600 | 13,4 | 17,5 | 3,4∙ IO4 | |
| образцы | 500 | 12,6 | 18,2 | 2,2∙ IO4 |
В таблице 5.3 приведены данные о параметрах полостей, возникших после воздействия в образцах, прошедших термообработку.
Воздействие излучения на образцы этой группы производилось в условиях, когда плазменное образование возникало перед передней гранью. Для предварительно отожжённых монокристаллов характерно, что разброс размеров полостей ниже, чем в образцах, не проходивших термообработку. Размеры возникших полостей dcpи dmaxв отожжённых образцах оказались несколько меньше, чем в исходных. Эта разница становится заметней сростом температуры предварительного отжига. В то же время несколько возрастала площадь зоны, в которой наблюдались полости, а также их концентрация.
Влияние на процесс порообразования в монокристаллах KCl проведенной нами предварительной закалки образцов, оказалось во многом сходным с влиянием отжига. При этом разброс между размерами полостей оказался заметно меньше, чем в тестовых исходных образцах. Следует отметить, что отжигавшиеся заготовки были достаточно массивными, поэтому при невысокой теплопроводности хлорида калия режим «закалки», видимо, недостаточно отличался от режима отжига, то есть скорость остывания была слишком мала, чтобы в образце зафиксировалась структура точечных дефектов, полностью соответствующая температуре закалки.
Исследование влияния катионных примесей на процесс лазерного порообразования в монокристаллах KCl проводилось на образцах KCl: Pb. Примесь свинца, как известно из данных работы [343], способствует заметному увеличению пределов прочности и текучести монокристаллов KCl и, в то же время, практически не влияет на оптические свойства материала в ИК - области спектра. Поэтому такие кристаллы представляют значительный интерес с практической точки зрения. Концентрация свинца в этих образцах варьировалась в пределах 10'3÷10^2вес. %. Технология получения легированных монокристаллов была достаточно близка к технологии выращивания чистых кристаллов. Измерения параметров полостей, возникших в данных монокристаллах в результате воздействия излучения мощного импульсного СО2 - лазера, показали, что примесь свинца не повлияла на их оптическую стойкость.
Влияние анионных примесей на стойкость ЩГК к воздействию лазерного излучения проверялась на уникальных образцах «сверхчистых» монокристаллов KCl и NaCLPb. Содержание посторонних примесей в данных образцах не превышало IO'6вес. % [197]. Нам не удалось, даже при повышении плотности энергии воздействующего излучения до величины 50 Дж/см2, обнаружить (несмотря на возникновение вблизи поверхности образца низкопорогового оптического пробоя воздуха) в этих образцах практически ни одного дефекта, сходного по размерам и морфологии с описанными выше «лазерными полостями» (лишь в одном из образцов KCl вблизи края монокристалла были замечены две полости). При такой лучевой нагрузке образцы монокристаллов, выращенных по обычной технологии, практически с вероятностью 100% разрушались катастрофически, с разлётом обломков, что не позволяло провести их дальнейшее исследование.
Еще по теме 5.4 Влияние структуры точечных дефектов монокристалла на параметры полостей:
- 9. Соотношение первичного и вторичного в структуре дефекта как параметр псих дизонтогенеза.
- Точечные оценки параметров
- Точечные оценки параметров распределения
- 2.6 Влияние поверхностных дефектов полированной поверхности меди на коэффициент отражения в ИК - области
- Секториальное распределение дефектов структуры
- Дефекты кристаллической структуры (общая характеристика и основная классификация)
- 4.3. Дефекты структуры кристаллов парателлурита и связь их образования с ростовой кинетикой
- Методы исследования дефектов кристаллической структуры
- 4.4. Дефекты структуры кристаллов германия и связь их образования с ростовой кинетикой
- О влиянии поверхностных и объемных дефектов на термодинамические и структурные характеристики наночастиц алюминия при плавлении
- Влияние примесей на параметры решетки
- Дефекты структуры и оптические аномалии в кристаллах парателлурита и германия
- Вопрос 31 Структура дефекта при ДЦП и ее учет в дифференциальной диагностике.
- Вопрос 28 Структура дефекта развития при РДА и ее учет в дифференциальной диагностике.