Глава 1. Обзор информационных источников
Халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП) были открыты Борисом Тимофеевичем Коломийцем и Ниной Александровной Горюновой в середине 1950-х годов в Физико-техническом институте им.
А.Ф. Иоффе Коломиец исследовал сложные многокомпонентные соединения, содержащие атомы халькогены, и В ОДНОМ ИЗ таких соединений, синтезированном совместно с Горюновой, были обнаружены полупроводниковые свойства, которые сочетались со всеми признаками стеклообразного состояния [1].В 1962 г. Пирсон с соавторами наблюдали на вольтамперной характеристике (BAX) стекол системы As-Te-J участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением [2]. В 1963 г. Коломиец и Лебедев при приложении к пленкам Tl-As-Se(Te) пилообразных импульсов напряжения также наблюдали S-образную BAX [13] При подаче на образец прямоугольных импульсов напряжения они наблюдали достаточно быстрый переход пленки в состояние с низким сопротивлением после некоторого времени задержки. Приблизительно в то же время аналогичные результаты были получены Овшинским на пленках ХСП состава SiTeAsGe [14].
Рассмотрим пленку ХСП толщиной L,на которую подано напряжение V. Если приложенное электрическое поле меньше 104 В/см, то сопротивление пленки остается постоянным [15]. При увеличении приложенного напряжения сопротивление пленки монотонно уменьшается. Наконец, когда приложенное напряжение достигает порогового значения I'⅛, которое также называют напряжением прямого перехода, после некоторого времени задержки ⅛ происходит переход в проводящее состояние, который происходит за время собственного переключения Zwи сопровождается быстрым ростом тока ОТ Iiдо Ic.n (Рис. 1.1).
Время задержки ⅛ зависит от толщины пленки и может изменяться от наносекунд для пленок нанометровой толщины до сотен микросекунд для пленок толщиной в несколько десятков микрон.
Кроме того, время задержки быстро уменьшается при увеличении приложенного напряжения. Время собственного переключения tsw (switching time) очень мало, согласно оценкам Овшинского tsw< 10^1° сек [16].В проводящем состоянии напряжение на образце остается приблизительно постоянным, в то время как ток может изменяться в широких пределах. Это свидетельствует о том, что в проводящем состоянии образуется область C высокой плотностью тока, которую также называют шнуром тока.
Рис 1 1 Схематическое изображение нелинейной BAX халькогенидов в сильных электрических полях с эффектом переключения
Важно отметить, что эффект переключения является обратимым. Если уменьшить напряжение ниже некоторого минимального значения K⅛ (holding voltage - напряжение поддержки или напряжение обратного перехода), устройство возвращается вдоль линии нагрузки в исходное состояние с высоким сопротивлением за время восстановления tr (recovery time). Благодаря обратимости эффект переключения часто называют обратимым пробоем материала. В работе Коломиец и Лебедев наблюдали, что пленка ХСП сохраняет проводящее состояние в течение нескольких микросекунд после снятия приложенного напряжения [17].
1.1.
Еще по теме Глава 1. Обзор информационных источников:
- Глава 7(2). Информационная война как целенаправленное информационное воздействие информационных систем
- Предмет, метод и система информационного права. Источники информационного права
- Обзор источников
- Обзор источников.
- Обзор источников и литературы
- 3. Источники угроз информационной безопасности Российской Федерации
- Типы информационных источников
- 6.2.1. Источники финансовых и нефинансовых показателей для проведения аналитического обзора, аналитические процедуры
- ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
- ГЛАВА L ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
- Глава I ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
- ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
- ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
- ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
- ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
- Глава І. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
- Глава 1. Литературный обзор
- Глава 1. Обзор литературы
- ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
- ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР