Введение
Актуальность темы. Халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП), интенсивное изучение которых началось в середине 50х годов 20 века после открытия Б.Т Коломийцем и H А Горюновой у них полупроводниковых свойств [1], выдвинули перед исследователями ряд фундаментальных вопросов, решение которых в ТОЙ ИЛИ ИНОЙ степени за прошедшие 50 лет привело к практическому использованию ХСП в разнообразных приборах [2].
Известно, что возможность легирования кристаллических полупроводников явилась одним из важнейших факторов, способствовавших развитию полупроводниковой электроники [3]. Практически начиная с первых экспериментальных исследований [4], было обнаружено, что ХСП не легируются в том смысле как это принято в кристаллических полупроводниках. H Ф.Мотт [5] объяснил такую характерную нелегируемость ХСП способностью атомов насыщать свои ковалентные связи уже в расплаве, которая затем сохраняется и в твердом состоянии [6].Экспериментально было показано, что некоторые примеси [7] способны сильно изменять электрические свойства, и в большинстве случаев это трактуется как изменения состояний в щели подвижности, связанные с дефектными состояниями, что позволяет сделать предположения о природе как примесных, так и собственных дефектов [8].
Одно из основных свойств ХСП, используемых в современной микроэлектронной промышленности, является изменение фазового состояния и как следствие проводимости под воздействием внешних воздействий. Данное свойство находит все более широкое применение в промышленности, что обуславливает актуальность исследований в данном направлении.
Цель работы. Целью настоящего диссертационного исследования является исследование особенностей фазового перехода ХСП на основе GST-225 в целях повышения их термостабильности для дальнейшего использования в ячейках энергонезависимой фазовой памяти (ЯЭФП). Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:
1.
выявить основные токовые характеристики и установить механизмыфункционирования стеклообразных халькогенидных полупроводников,
легированных азотом и бором,
2. разработать математическую модель физических процессов фазового перехода в неупорядоченных полупроводниках структуры GST -225;
3. разработать модель массива ЯЭФП с учетом неоднородности свойств ХСП состава GST-225,
4. разработать оптимизированные алгоритмы анализа, синтеза и параметрической идентификации ЯЭФП,
5. ВЫЯВИТЬ оптимальные параметры импульсов напряжения для изменения фазового состояния и получить значения числа циклов перезаписи для образцов ХСП легированных бором и азотом
Методы исследований. Поставленные задачи решались с помощью различных методов, включая численные методы, методы линейных преобразований, функций Грина, метод Jll ІЦВ. методы дифференцирования. Для решения задачи определения механизма переноса носителей в пленках ХСП был предложен метод генерации и переноса носителей за счёт токов термоэмиссии. Для расчёта BAX структуры ХСП и распределения в ней потенциала было решено уравнение Пуассона, распределение концентрации носителей в котором даётся уравнением Максвелла-Больцмана.
Вычисление вероятности термостимулированной туннельной ионизации (/-минус центров основывалось на модели Хуанга-Риса. Для синтеза ЯЭФП различных конструктивных вариантов использовались генетические алгоритмы, при этом для их оптимизации использовался в частности метод Катхилла-Макки.
Научная новизна. В диссертационной работе впервые:
1. детально исследовано влияние легирования ХСП состава GST-225 бором и азотом на изменение проводимости при изменении фазового состояния,
2. разработана математическая модель физических процессов в полупроводниковых структурах состава GST-225 и в частности термостимулированной туннельной ионизации (/-минус центров;
3. проведено моделирование работы основных элементов устройства памяти, образующих, с учетом неоднородности по площади свойств ХСП, неоднородную диссипативную среду;
4.
получены оптимальные параметры импульсов напряжения для изменения фазового состояния легированных бором и азотом ХСП состава GST-225, а так же выявлено предельное количество циклов изменения фазового состояния для каждого типа ХСП.Научная и практическая значимость диссертационного исследования состоит в том, что полученные результаты существенно дополняют известные результаты по изучению применения ХСП в устройствах ЯЭФП Установленные механизмы протекания токов в ХСП материалах. Разработанные в диссертации методы моделирования ЯЭФП позволяют прогнозировать поведение больших массивов с учетом неоднородности структуры отдельных элементов, что может быть использовано при расчете надежности
данных элементов. Полученный в диссертации макет ячейки энергонезависимой фазовой памяти на основе ХСП состава GST-225 легированной азотом может стать основой для изготовления ячеек в промышленных масштабах.
Основные положения, выносимые на защиту:
1. В интересующей области электрических полей наиболее вероятна термостимулированная туннельная ионизация электрона. Характерная величина энергии центров в халькогенидах системы GeSbTe составляет порядка 0,3-0,4 эВ.
2. Генетические алгоритмы синтеза и параметрической идентификации ЯЭФП в совокупности с методом оптимизации Катхилла-Макки позволяют получить валидную модель массива ЯЭФП в виде пленочной резистивной-емкостной среды с распределенными параметрами. При этом возможно моделирование поведения ЯЭФП в диапазоне частот до 3 ГГц
3. ХСП состава GST-225 легированные азотом являются более предпочтительными нежели легированные бором для использования в ЯЭФП. Количество циклов изменения фазового состояния (циклов перезаписи) ХСП легированного азотом составляет IO11, а аналогичный показатель для ХСП легированного бором - IO7.
Личный вклад автора. Основные экспериментальные результаты исследования получены в соавторстве, теоретические исследования полученных результатов выполнены соискателем. Формулировка защищаемых положений и основных выводов диссертационной работы принадлежат автору.
Работа по теме диссертации проводилась в рамках реализации проектной части государственного задания № 3.2448.2014/К.
Апробации работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на международной конференции «Фундаментальный и прикладной наноэлектромагнитизм» (FANEM,12) (Минск, БГУ, 2012г.), международной конференции FM&NT 2014 (Рига, Латвийский университет, 2014 г.), международной конференции «Наноинноватика 2013» (Рязань, РГРТУ, 2013), XVIII Всероссийской научно-технической конференции студентов, молодых ученых и специалистов "Новые информационные технологии в научных исследованиях " (НИТ-2013) (Рязань, РГРТУ, 2013)
Публикации. По теме диссертации опубликовано 5 работ в журналах, рекомендованных ВАК для публикации основных научных результатов диссертаций, а также получен патент на полезную модель
Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы, содержащего 80 наименований. Общий объем диссертации составляет 101 страница, включая 48 рисунков и 12 таблиц.
Еще по теме Введение:
- Во введении
- Понятие введенного судна
- Способы введения химиопрепаратов
- Про марнотний Флоренсъкий з'їзд римлян задля унГі з греками; про введення унії в православну Русь, що лишалася під польським володінням, і про скасування тієї унії найсвятішим єрусалимським патріархом Теофаном і козацьким гетьманом Сагайдачним; про унітів, що ховалися поміж православних; про нещирість короля Собеського щодо православноїРусі і про Люблінський з'їзд для введення унії в Русі; про вимовки й руську нехіт
- Введение налога на недвижимость.
- Введение
- Введение
- Введение
- Введение
- Введение
- 1. Введение
- Введение
- Введение
- Введение
- 0. Введение в контекст.