<<
>>

Высокотемпературный отжиг

Высокотемпературный отжиг пленок проводился «на воздухе» в двух различных печах. В муфельной печи, предназначенной для отжига свинецсодержащих материалов, пленки выкладывались на платиновой подставке, прикрытой алундовым тиглем.

Скорость изменения температуры составляла 50C∕mπh,время отжига - 1 час. Охлаждение осуществлялось в печи, после выключения, и составляло около 12 часов. Распыленные пленки отжигались также на «на воздухе» в трубчатой печи СУОЛ-0.3.2/12. Печь оснащена ПИД- регулятором, с помощью которого поддерживалась постоянная скорость нагрева. Пленки выкладывались на пластину и размещались в печи. Скорость нагрева составляла 5oC∕mπh,а время отжига - 1 час. Время охлаждения составляло около 6 часов от момента выключения нагрева.

Температура отжига (Тотж) варьировалась от 530 oC до 650 °С. Контроль температуры осуществлялся при помощи платино-платино-родиевой термопары без холодного спая, а отклонение температуры от заданной Тотж не превышало I0C.

2.1.3

<< | >>
Источник: Канарейкин Алексей Геннадьевич. Сегнетоэлектрические свойства наноструктурированных систем на основе цирконата-титаната свинца. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Санкт-Петербург - 2018. 2018

Еще по теме Высокотемпературный отжиг:

  1. 4.2.1. Высокотемпературный отжиг
  2. Теплообменники с высокотемпературными теплоносителями
  3. Кинетика отжига полостей в ЩГК, возникающих после воздействия лазерным импульсом
  4. 1.2.11 Нейронные сети, обучаемые по методу имитации отжига.
  5. 1.3. Классификация пьезокерамических материалов. Высокотемпературная пьезокерамика
  6. Влияние температуры отжига на фазовое состояние, микроструктуру и состав тонких пленок ЦТС
  7. Параметры циклов амплификации
  8. Использование метода ДОЭ для анализа сегнетоэлектрических пленок
  9. Объекты исследований
  10. Заключение
  11. 6.2.2 Теоретический анализ результатов эксперимента
  12. Глава 3. Результаты исследований фазового состояния, структуры и состава тонких пленок ЦТС