Выводы

1. Рассмотрен метод расчета вероятности ионизации {/-минус центров в электрическом поле.

2. Построена модель, описывающая вольтамперную характеристику халькогенидного стеклообразного полупроводника, которая основана на многофононной туннельной ионизации //-минус центров в сильных электрических полях и нагреве.

3. Разработана программы анализа массива ячеек энергонезависимой фазовой памяти (ЯЭФП) на основе ХСП состава GST-225, произведена оценка корректности математической модели ЯЭФП, разработан метод параметрической идентификации R-C-NR ЯЭФП, разработаны средства и методы автоматизированного измерения электрофизических параметров образцов R-C-NR ЯЭФП, разработана программа идентификации R-C-NR ЯЭФП

Из графиков и статистических данных можно сформулировать следующие выводы- рекомендации:

1. Показано, что в интересующей области электрических полей наиболее вероятна термостимулированная туннельная ионизация центра. Характерная величина энергии центров в халькогенидах системы GeSbTe составляет порядка 0,3-0,4 эВ. Поэтому для ионизации центр должен захватить несколько фононов, а следовательно процесс ионизации является многофононным.

2. При некоторых значениях электрического поля данная модель имеет три решения, что соответствует S-образной вольтамперной характеристике.

3 При хорошем начальном приближении δ = (1 ÷ 17)% наиболее эффективен метод градиентного спуска, усиленный вероятностными операциями, генетический алгоритм менее эффективен. Таким образом, разработанный алгоритм идентификации на основе метода градиентного спуска рекомендуется использовать в случаях, когда информация об объекте идентификации избыточна и требуется оперативная идентификация параметров объекта исследования.