Заключение

В диссертации проведено теоретическое исследование особенностей и электрических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников структуры GST-225 легированных азотом и бором а так же проведено исследование образцов ЯЭФП полученных экспериментальным путем.

1. Проведенные исследования показали, что легирование способствует усилению сопротивления аморфной фазы ХСП, а так же к увеличению термостабильности. При внедрении атомов азота в структуры GST сопротивление материала повысилось в десятки раз, благодаря этому ячейка памяти может работать при более низких напряжениях, а стабильность фазового состояния материала увеличивалась на порядок.

2. Легирование позволило увеличить количество циклов изменения фазового состояния (перезаписи) на несколько порядков. Количество циклов перезаписи напрямую зависит от качества отжига материала.

3. В интересующей области электрических полей наиболее вероятна термостимулированная туннельная ионизация U-минус центров. Характерная величина энергии центров в халькогенидах системы GeSbTe составляет порядка 0,3-0,4 эВ.

4 Алгоритмы синтеза и параметрической идентификации ЯЭФП в совокупности с методом оптимизации Катхилла-Макки позволяют получить валидную модель массива ЯЭФП в виде пленочной резистивной-емкостной среды с распределенными параметрами. При этом возможно моделирование поведения ЯЭФП в диапазоне частот до З ГГц

5. ХСП состава GST-225 легированные азотом являются более предпочтительными чем легированные бором для использования в ЯЭФП. Количество циклов изменения фазового состояния (циклов перезаписи) ХСП легированного азотом составляет IO¹¹, а аналогичный показатель ХСП легированного бором составляет IO⁷

6. Адекватность разработанной модели была подтверждена экспериментальным путем, при этом исследование производилось в широком диапазоне частот до 3 ГГц.

7. Выявлены оптимальные параметры импульсов напряжения для изменения фазового состояния и получены значения числа циклов перезаписи для образцов ХСП легированных бором и азотом