2.2.1 Оптическая микроскопия
В работе использовались оптические микроскопы исследовательского класса МИМ-8М (JlOMO), Zeiss Axiovert и Leitz WetsIaar, обеспечившие выполнение основных видов наблюдений в режимах на отражение, на просвет, в светлом поле, в темнопольных режимах с косым и всесторонним освещением,
в поляризованном свете.
В ходе работы были реализованы автоматические процедуры подсчета дислокационных ямок на монокристаллах германия и парателлурита, что расширяет возможности метода селективного травления для исследования неоднородных распределений дислокаций в крупногабаритных образцах.Анализ регистрируемых изображений проводился с применением специализированных программных продуктов фирмы ImagePro Plus. Одной из характерных задач, решавшихся с их помощью, была задача разделения слитных изображений дислокационных ямок травления, вносящих погрешности в измерение плотности дефектов. Алгоритм корректировки изображений основывался на применении морфологических операций над бинарными изображениями, смысл которых поясняется в таблице 2.1
Таблица 2.1- Морфологические операции над бинарным изображением
| erode | Эрозия объекта. Приводит к замене значений граничных пикселов объекта на 0. Однократное применение эрозии приводит к удалению слоя границы толщиной в 1 пиксел. |
| dilate | Наращение объекта. Приводит к замене значений пикселов фона, граничащих с объектом, на 1. Однократное применение наращения приводит к добавлению к объекту слоя толщиной в 1 пиксел. |
| open | Открытие. Представляет собой последовательное применение эрозии и наращения. Приводит к соединению областей фона, ранее разъединенных узкими участками пикселов объектов. |
| close | Закрытие. Представляет собой последовательное применение наращения и эрозии. Приводит к удалению небольших по площади фрагментов фона, ранее разъединенных узкими участками пикселов объектов. |
На рисунке 2.6 представлен результат корректировки числа ямок травления за счёт сегментации слитных изображений.
Рисунок 2.6 - Результаты подсчёта числа ямок травления до и после корректировки слитных изображений
2.2.2
Еще по теме 2.2.1 Оптическая микроскопия:
- Оптическая микроскопия поверхности пленок
- 3.2 Особенности возникновения плазменного образования вблизи поверхности оптических материалов и его взаимосвязь с их реальной оптической стойкостью
- Глава 2. Технологические основы современных сканирующих зондовых микроскопов. Обзор основных методик туннельной микроскопии. Нанотехнологический комплекс «YMKA-02G»
- 1.3 Свойства оптических материалов для области спектра 10 мкм. Критерии для выбора оптических материалов мощных лазеров
- Световая микроскопия
- Электронная микроскопия
- Инфракрасная микроскопия
- 2.2.4 Растровая электронная микроскопия
- Темнопольная микроскопия
- Сканирующая зондовая микроскопия
- Просвечивающая электронная микроскопия
- СОГЛАСОВАНИЕ СИСТЕМЫ «НАБЛЮДАТЕЛЬ — ОСВЕТИТЕЛЬ — МИКРОСКОП»
- Люминесцентная микроскопия
- Атомно-силовая микроскопия
- Исследования поверхности с помощью растрового электронного микроскопа
- Фазово-контрастная микроскопия
- Исследования микроструктуры на просвечивающем электронном микроскопе