Керамика ЦТС
Для керамики ЦТС мощность, рассеиваемая единицей объема Qv, была рассчитана как для разных частот и разных амплитуд электрического поля, так и для разных форм переключающего напряжения (синусоидальный, меандр).
Соответствующие графики dT∣dt(Qv)представлены на рисунках 5.14-5.18.Как показано в пункте 5.2.2 отношение Pτβv∕Psзависит от амплитуды и формы переключающего напряжения. Значения v/Ц рассчитанные по данным, представленным в пункте 5.2.2, показаны в таблице 5.4.
Теплоемкость единицы объема в общем случае зависит от температуры, и, по имеющимся литературным данным [Каллаев2009], значение cvдля ЦТС составляет 2,25∙106(Т = 27 0C) и 2.45∙106 (T= 127 0C) Дж/м3К. Поскольку температура образца в процессе формовки петли поднималась до температуры порядка 200 0C (рис. 5.2-5.4) и достаточно сильно зависела от частоты, то, очевидно, что разброс значений может быть связан именно с колебаниями температуры образца. Так, для случая меньшей амплитуды
электрического поля, соответствующей меньшей температуре разогрева образца, значения теплоемкости меньше (таблица 5.4).
Рис. 5.14 Зависимость скорости нагрева образца ЦТС 19, S = 0.25 см2 в начальный момент подачи синусоидального поля амплитуды 850 В/мм частоты в диапазоне 50-1500 Гц от мощности, рассеиваемой единицей объема образца.
Рис. 5.15 Зависимость скорости нагрева образца ЦТС19, S = 0.25 см2 в начальный момент подачи синусоидального поля амплитуды в диапазоне от 280 до 1270 В/мм на частоте 300 Гц от мощности, рассеиваемой единицей объема образца.
Рис.
5.16 Зависимость скорости нагрева образца ЦТС19, S = 0.25 см2 в начальный момент подачи импульсного поля в форме меандра от мощности, рассеиваемой единицей объема образца в импульсных полях в форме меандра. Em = 850 В/мм. f = 50-1500 Гц
Рис. 5.17 Зависимость скорости нагрева образца ЦТС19, S = 0.25 см2 в начальный момент подачи импульсного поля в форме меандра от мощности, рассеиваемой единицей объема образца в импульсных полях в форме меандра. Em = 700 В/мм. f=50-1500Πj
Рис. 5.18 Зависимость скорости нагрева образца ЦТС-19, S = 0.25 см2 в начальный момент подачи импульсного поля в форме меандра от мощности, рассеиваемой единицей объема образца в импульсных полях в форме меандра. E111 = 600 В/мм. f = 50-1500 Гц
Таблица 5.4 Расчет теплоемкости образца
| поле | Отношение объемов (у/г; | Коэффициент наклона!—), 10 ⅛ у | Теплоемкость Cvt IO6Дж/м3К | |
| синусоидальное | 300 Гц | 0.64 | 0.26±0.005 | 2.4±0.2 |
| 850 В | 0.24±0.005 | 2.6±0.2 | ||
| меандр | 850 В | 0.77 | 0.25±0.005 | 3.1±0.2 |
| 700 В | 0.49 | 0.19±0.005 | 2.5±0.2 | |
| 600 В | 0.32 | 0.17±0.005 | 1.8±0.2 | |
Еще по теме Керамика ЦТС:
- Керамика ЦТС
- Получение керамики ЦТС
- Глава 2. Методики исследований и получения пьезокерамической керамики ЦТС
- Определение коэффициента тепловой диффузии сегнетоэлектрических пленочных материалов на основе керамики ЦТС
- Керамика цирконата-титаната свинца
- § 1. Керамика
- Температурные измерения диэлектрических характеристик тонких пленок ЦТС
- Глава 3. Результаты исследований фазового состояния, структуры и состава тонких пленок ЦТС
- Тарная керамика. Корчаги
- Сегнетоэлектрические свойства керамики BTS.
- Фазовый анализ тонких пленок ЦТС
- Методы получения тонких сегнетоэлектрических пленок ЦТС
- Зависимость диэлектрических характеристик образцов керамики BTS от числа слоев с разной концентрацией олова.
- Свойства керамик на основе твердых растворов Ba(Ti1.xSnx)O3
- Дисперсия диэлектрической проницаемости керамики на основе BTS со слоистой структурой
- Глава 4. Исследования диэлектрических, пироэлектрических и пьезоэлектрических свойств тонких пленок ЦТС
- Изменение свойств тонких пленок ЦТС при вариации давления рабочего газа
- Влияние температуры отжига на фазовое состояние, микроструктуру и состав тонких пленок ЦТС