<<
>>

Керамика ЦТС

Для керамики ЦТС мощность, рассеиваемая единицей объема Qv, была рассчитана как для разных частот и разных амплитуд электрического поля, так и для разных форм переключающего напряжения (синусоидальный, меандр).

Соответствующие графики dT∣dt(Qv)представлены на рисунках 5.14-5.18.

Как показано в пункте 5.2.2 отношение Pτβv∕Psзависит от амплитуды и формы переключающего напряжения. Значения v/Ц рассчитанные по данным, представленным в пункте 5.2.2, показаны в таблице 5.4.

Теплоемкость единицы объема в общем случае зависит от температуры, и, по имеющимся литературным данным [Каллаев2009], значение cvдля ЦТС составляет 2,25∙106(Т = 27 0C) и 2.45∙106 (T= 127 0C) Дж/м3К. Поскольку температура образца в процессе формовки петли поднималась до температуры порядка 200 0C (рис. 5.2-5.4) и достаточно сильно зависела от частоты, то, очевидно, что разброс значений может быть связан именно с колебаниями температуры образца. Так, для случая меньшей амплитуды

электрического поля, соответствующей меньшей температуре разогрева образца, значения теплоемкости меньше (таблица 5.4).

Рис. 5.14 Зависимость скорости нагрева образца ЦТС 19, S = 0.25 см2 в начальный момент подачи синусоидального поля амплитуды 850 В/мм частоты в диапазоне 50-1500 Гц от мощности, рассеиваемой единицей объема образца.

Рис. 5.15 Зависимость скорости нагрева образца ЦТС19, S = 0.25 см2 в начальный момент подачи синусоидального поля амплитуды в диапазоне от 280 до 1270 В/мм на частоте 300 Гц от мощности, рассеиваемой единицей объема образца.

Рис.

5.16 Зависимость скорости нагрева образца ЦТС19, S = 0.25 см2 в начальный момент подачи импульсного поля в форме меандра от мощности, рассеиваемой единицей объема образца в импульсных полях в форме меандра. Em = 850 В/мм. f = 50-1500 Гц

Рис. 5.17 Зависимость скорости нагрева образца ЦТС19, S = 0.25 см2 в начальный момент подачи импульсного поля в форме меандра от мощности, рассеиваемой единицей объема образца в импульсных полях в форме меандра. Em = 700 В/мм. f=50-1500Πj

Рис. 5.18 Зависимость скорости нагрева образца ЦТС-19, S = 0.25 см2 в начальный момент подачи импульсного поля в форме меандра от мощности, рассеиваемой единицей объема образца в импульсных полях в форме меандра. E111 = 600 В/мм. f = 50-1500 Гц

Таблица 5.4 Расчет теплоемкости образца

поле Отношение объемов (у/г; Коэффициент

наклона!—), 10 ⅛ у

Теплоемкость

Cvt IO6Дж/м3К

синусоидальное 300 Гц 0.64 0.26±0.005 2.4±0.2
850 В 0.24±0.005 2.6±0.2
меандр 850 В 0.77 0.25±0.005 3.1±0.2
700 В 0.49 0.19±0.005 2.5±0.2
600 В 0.32 0.17±0.005 1.8±0.2

<< | >>
Источник: Елисеев Антон Юрьевич. ПРОЦЕССЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ГИСТЕРЕЗИС КЕРАМИКИ ЦИРКОНАТА-ТИТАНАТА СВИНЦА И МОНОКРИСТАЛЛОВ НИОБАТА БАРИЯ КАЛЬЦИЯ. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2016. 2016

Еще по теме Керамика ЦТС:

  1. Керамика ЦТС
  2. Получение керамики ЦТС
  3. Глава 2. Методики исследований и получения пьезокерамической керамики ЦТС
  4. Определение коэффициента тепловой диффузии сегнетоэлектрических пленочных материалов на основе керамики ЦТС
  5. Керамика цирконата-титаната свинца
  6. § 1. Керамика
  7. Температурные измерения диэлектрических характеристик тонких пленок ЦТС
  8. Глава 3. Результаты исследований фазового состояния, структуры и состава тонких пленок ЦТС
  9. Тарная керамика. Корчаги
  10. Сегнетоэлектрические свойства керамики BTS.
  11. Фазовый анализ тонких пленок ЦТС
  12. Методы получения тонких сегнетоэлектрических пленок ЦТС
  13. Зависимость диэлектрических характеристик образцов керамики BTS от числа слоев с разной концентрацией олова.
  14. Свойства керамик на основе твердых растворов Ba(Ti1.xSnx)O3
  15. Дисперсия диэлектрической проницаемости керамики на основе BTS со слоистой структурой
  16. Глава 4. Исследования диэлектрических, пироэлектрических и пьезоэлектрических свойств тонких пленок ЦТС
  17. Изменение свойств тонких пленок ЦТС при вариации давления рабочего газа
  18. Влияние температуры отжига на фазовое состояние, микроструктуру и состав тонких пленок ЦТС