<<
>>

Различные варианты одночастичных потенциалов для адсорбентов с плоской поверхностью

Будем считать, что молекулы (атомы) подложки взаимодействуют с молекулами (атомами) адсорбата посредством потенциала Леннард-Джонса (3.3). При этом линейный σи энергетический εпараметры могут быть найдены с помощью формул Лоренца-Бертло:

в которых индекс 5относится к подложке, а f- к адсорбату.

Используя (3.3), можно получить выражение для одночастичного потенциала, создаваемого подложкой произвольной геометрии:

в котором p- плотность атомов подложки, ∣r - r'∣- расстояние между атомом подложки и атомом адсорбата, dΩ- мера площади или объема.

Плоская подложка, случай двумерного континуума

В общем виде потенциал подложки будет иметь вид:

где- расстояние между элементом площади подложки и

частицей, для которой рассчитывается потенциал; dS = xdxdφ- элемент площади подложки в цилиндрической системе координат; ps- поверхностная плотность атомов подложки.

Проведем некоторые преобразования, необходимые для интегрирования потенциала. Дифференцируя расстояние между элементом площади подложки и частицей, получим sds = xdx. Следовательно, dS = sdsdφ.

После преобразований получим:

Проводя интегрирование, окончательно находим выражение для потенциала плоской двумерной поверхности

В дальнейшем все получаемые потенциалы будем записывать в приведенных единицах.

Для случая плоской двумерной поверхности приведенный потенциалопределим соотношением:а

приведенную координатусоотношением(в дальнейшем значок * в

обозначении приведенной координаты опускаем).

88

График потенциала плоской двумерной подложки показан на рис. 36. На рис. 37. представлен физический аналог такой подложки - графен (монослой

Рис. 36. Потенциал двухмерной подложки

Рис. 37. Слой графена

Массивная плоская подложка

В случае массивной подложки потенциал будет иметь следующий вид: где- расстояние между элементом объема адсорбента и

частицей, d3r'= xdxdφdz'- элемент объема подложки (рис. 38), р - объемная плотность адсорбента. Перейдя к новой переменной 5 = ∣r - r', получим для потенциала выражение:

откуда с учетом (3.3) получим окончательное выражение для потенциала плоской массивной подложки:

В приведенных единицах для приведенного потенциала последнее выражение принимает следующий вид (рис. 39):

RQ

Рис. 38. Плоская массивная подложка Рис. 39. Потенциал плоской массивной подложки

3.3.

<< | >>
Источник: Гринев Илья Викторович. ИССЛЕДОВАНИЕ АДСОРБЦИОННЫХ СЛОЕВ НА ПЛОСКИХ И ИСКРИВЛЕННЫХ ПОВЕРХНОСТЯХ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ КЛАССИЧЕСКОГО МЕТОДА ФУНКЦИОНАЛА ПЛОТНОСТИ. ДИССЕРТАЦИЯ на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Тверь - 2014. 2014

Еще по теме Различные варианты одночастичных потенциалов для адсорбентов с плоской поверхностью:

  1. Различные варианты одночастичных потенциалов для адсорбентов со сферической поверхностью
  2. Одночастичные потенциалы для цилиндрической поры и двумерных цилиндрических адсорбентов (нанотрубок)
  3. Глава 3. Адсорбционные потенциалы для двумерных и трехмерных адсорбентов с плоской и криволинейной геометрией
  4. Исследование локальной плотности и адсорбции на плоских адсорбентах
  5. Весовые плотности, интеграл взаимодействия и сумма вариационных производных в случае плоских континуальных адсорбентов
  6. 4.1. Исследование локальной плотности и адсорбции на внешней и внутренней поверхностях двумерных сферических адсорбентов
  7. Сравнение потенциалов пор различной геометрии
  8. Межмолекулярные взаимодействия и различные виды адсорбционных потенциалов
  9. 16. Орфоэпия, её лингвистические и культурно-исторические основы. Стили произношения. Произносительные варианты. Нормы и варианты ударения в различных частях речи. Орфоэпические словари
  10. 1.2. Сравнение показателей плоских солнечных коллекторов различных производителей
  11. 3.5. Оценка динамики средней концентрации гемоглобина у детей с ЮРА, получающих различные варианты терапии
  12. Е. использования своих потенциалов и, отчасти, денежных средств для получения каких-либо
  13. 3.2. Стенд "Атон" для тепловых испытаний плоских солнечных коллекторов
  14. Выбор исходных данных для моделирования процесса обработки рабочей цилиндрической поверхности изношенной цапфы мельницы
  15. 5.2.1. Требования к исходной поверхности для оббепечения адгезии высокоресурсного покрытия
  16. Оценка размерного и температурного интервала штатного функционирования сканирующего туннельного микроскопа для изучения отдельных участков поверхности
  17. Учет неоднородности адсорбентов
  18. Вывод уравнения кривой, описываемой вектором необыкновенной волны на выходной поверхности плоскопараллельного элемента из одноосного кристалла при вращении падающего под постоянным углом на входную поверхность луча вокруг нормали