3.2 Влияние проводимости на нелинейные свойства сегнетоэлектрических композитов

Данный параграф посвящен исследованию нелинейных диэлектриче-

71

физико-химические свойства, но обладают одинаковыми температурами Кю­ри.

цаемость с увеличением х значительно возрастает и сильно зависит от частоты. На рисунке 3.2.1 представлены зависимости ( Г) для

на разных частотах, а также для сравнения при­водится зависимость ε'(T) для поликристаллического образца KDP.

2 К. Фазовый переход для KDP наблюдается при 123 К, а диэлектрическая проницаемость в максимуме достигает порядка 50 и в пределах IO¹ -IO⁰Гц не зависит от частоты.

На рисунке 3.2.2 приведены результаты исследования полевой зависи- дования показали, что с увеличением х растет не только диэлектрическая проницаемость, но и её зависимость от поля.

73

происходит рост как линейной так и нелинейной части диэлек­трической проницаемости; фазовый переход размывается и на температур­ном ходепоявляется гистерезис.

термодинамически неравновесными открытыми системами с развитой сетью внутренних границ раздела и градиентов химических потенциалов между компонентами.

др. Результатом этого влияния является энергетический барьер, определяю­щий физические процессы на границе фаз [174].

(KH2PO4)1√(Pbo.95Geo.o5Te)_xнаходится в сегнетоэлектрическом состоянии, не­обходимо учитывать наличие спонтанной поляризации. В работе [175] при определении величины потенциального барьера на границе сегнетоэлектрик- металл спонтанная поляризация учтена в виде дополнительного слагаемого вида

где е - заряд электрона, Ps-спонтанная поляризация, ε_st- статическая ди­электрическая проницаемость, ε_z- высокочастотная (оптическая) проницае­мость, ε₀- электрическая постоянная.

При наличии свободных носителей установление спонтанной поляри­зации в сегнетоэлектрике сопровождается накоплением компенсирующего заряда, который сводит энергию поля внутри и вне образца к минимуму. Ес­ли поляризация соседних зерен не параллельна, то неравный нулю скачок поляризации на границе между зернами порождает деполяризующие поля, которые в равновесном состоянии могут компенсироваться свободными за­рядами на границе раздела. При этом с изменением спонтанной поляризации вблизи температуры Кюри меняется не только действительная, но и мнимая часть диэлектрической проницаемости.

Вопрос о температурном гистерезисеє'( Т) для сегнетоэлектриков C размытым фазовым переходом второго рода неоднократно обсуждался в ли­тературе [143].

вторая и третья причины: появление внутренних электрических полей дефек­тов на границах неоднородностей и экранирование поляризованных областей микрокристаллов, которые в дальнейшем не участвуют в процессах перепо- ляризации. О наличии полярных групп выше T= 124 К свидетельствуют и наши результаты исследования коэффициента третьей гармоники (см. рис. 3.2.3). Температурный гистерезис диэлектрической проницаемости может быть обусловлен и другими причинами. Например, «затягиванием» сегнето­электрических доменов в параэлектрическую фазу вследствие закрепления доменных границ дефектами решетки.

3.3