4.3.1.Влияние колебаний камеры на толщину покрытия

Исследование влияния частоты колебаний рабочей камеры на толщину покрытия проводились в условиях, описанных в предыдущем разделе. Амплитуда колебаний - величина постоянная и равна 2,5 мм.

167

Рис. 4.7. Зависимость толщины покрытия от частоты колебаний рабочей камеры. Материал покрытия MσS2 , детали- сталь 45: 1 - отожженная; 2 - закаленная

Анализ полученных результатов показывает, что с увеличением частоты колебаний толщина пленки покрытия возрастает. Рост толщины покрытия с повышением частоты колебаний происходит в результате увеличения количества и усилий ударов в единицу времени, скорости относительного скольжения.

Влияние частоты колебаний свыше 33,3 Гц не исследовалось, так как это ухудшает условия эксплуатации основных узлов вибрационной установки.

Исследования по определению влияния амплитуды и частоты колебаний рабочей камеры на толщину покрытия в процессе вибрационной обработки позволяют заключить, что наибольшее влияние на толщину покрытия оказывает изменение амплитуды колебаний. Целесообразность повышения интенсивности обработки за счет увеличения амплитуды колебаний рабочей камеры отмечается в трудах многих специалистов, занимающихся проблемами вибрационной обработки [125-127].

Исследования влияния частоты колебаний рабочей камеры на толщину цинкового покрытия проводились в условиях, описанных в предыдущем разделе. Амплитуда колебаний сохранялась постоянной, равной 3,5 мм. Частота колебаний изменялась в пределах 15÷33,3 Гц. Результаты экспериментов представлены в табл. 4.1 и на рис. 4.8.

Таблица 4.1

Влияние частоты колебаний на толщину покрытия

Рис.

сталь 3; 2 - сталь 40; 3 - сталь У8

Анализ полученных результатов показывает, что с увеличением частоты колебаний толщина оксидной пленки не изменяется. Увеличение частоты колебаний практически не влияет на толщину оксидной пленки в пределах приводимых частот.

Из вышеприведенного следует, что изменение частоты колебаний не оказывает существенного влияния на толщину цинкового покрытия в пределах изучаемых частот.

4.3.2.